| 安装类型 | 表面贴装 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 77A(Tc) |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 14 毫欧 @ 72A,10V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 217W |
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