STS11NF30L
  • 量产中
产品描述:
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
标准包装:1
数据手册: --
  • 规格参数
  • 产品特性
  • 技术文档
  • 产品评论
功率 - 最大值 2.5W
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1440pF @ 25V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 5.5A,10V
供应商器件封装 8-SO
FET 功能 逻辑电平门
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 30nC @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
安装类型 表面贴装
登录之后就可发表评论

请输入下方图片中的验证码:

验证码