| MMBT589LT1G | ||
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| 产品描述：
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
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| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 1A |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 650mV @ 200mA，2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 100 @ 500mA，2V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率 - 最大值 | 310mW |
| 数据手册： |
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