IRFH5302TRPBF
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产品描述：
Single N-Channel 30 V 3.5 mOhm 76 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
标准包装：4000
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 76nC @ 10V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Ta），100A（Tc）
漏源极电压（Vdss） 30V
封装/外壳 8-PowerVDFN
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 PQFN（5x6）单芯片焊盘
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 50A，10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 4400pF @ 15V
功率 - 最大值 3.6W
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