NTMFS4939NT1G
  • 量产中
产品描述:
Power MOSFET 30 V, 53 A, Single N-Channel, SO-8 FL
标准包装:1
数据手册:
  • 规格参数
  • 产品特性
  • 技术文档
  • 产品评论
安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 28.5nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Ta),53A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 30V
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 5-DFN,8-SO 扁引线(5x6)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1954pF @ 15V
功率 - 最大值 920mW
数据手册:
登录之后就可发表评论

请输入下方图片中的验证码:

验证码