| MJD112-1G | ||
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| 产品描述：
MJD Series 100 V 2 A Through Hole NPN Complementary Darlington Power Transistor
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| 标准包装：75 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 20µA |
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| 频率 - 跃迁 | 25MHz |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 2A |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 3V @ 40mA，4A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 1000 @ 2A，3V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率 - 最大值 | 1.75W |
| 数据手册： |
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