| STP10P6F6 | ||
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| 产品描述：
Transistor: P-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; -60V; -7.2A; 30W
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： -- |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 通孔 |
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| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 6.4nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 10A（Tc） |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 160 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 340pF @ 48V |
| 功率 - 最大值 | 30W |
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