| MMBF170 | ||
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| 产品描述：
N-Channel 60 V 5 Ohm Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOT-23
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| Categories | Discrete Semiconductor Products |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Power Dissipation (Max) | 225mW (Ta) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 500mA（Ta） |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Part Status | Active |
| Vgs (Max) | ±20V |
| 数据手册： |
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