FDME1034CZT
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产品描述:
FDME1034CZT, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 6针 MicroFET 薄型封装
标准包装:1
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安装类型 表面贴装
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4.2nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A,2.6A
漏源极电压(Vdss) 20V
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 6-MicroFET(1.6x1.6)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 66 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 300pF @ 10V
功率 - 最大值 600mW
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