IXFN80N50
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产品描述:
Module; single transistor; 500V; 80A; SOT227B; Ugs: ±40V; screw
标准包装:1
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安装类型 底座安装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 380nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A
漏源极电压(Vdss) 500V
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
FET 功能 标准
供应商器件封装 SOT-227B
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 9890pF @ 25V
功率 - 最大值 780W
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