NTLUD3A260PZTAG
  • 量产中
产品描述:
NTLUD3A260PZTAG, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 0.9 A, Vds=-20 V, 6针 UDFN封装
标准包装:1
数据手册:
  • 规格参数
  • 产品特性
  • 技术文档
  • 产品评论
安装类型 表面贴装
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4.2nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A
漏源极电压(Vdss) 20V
封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 6-UDFN(1.6x1.6)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 300pF @ 10V
功率 - 最大值 500mW
数据手册:
登录之后就可发表评论

请输入下方图片中的验证码:

验证码