安装类型 | 表面贴装 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 2.6A(Ta) |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 125 毫欧 @ 2.6A,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 800mW |
数据手册: |
---|