| MUN5215DW1T1G | ||
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| 产品描述：
MUN5215DW1 Series 1.4 V 100 mA SMT NPN-Pre-Biased Digital Transistor - SOT-363
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| 标准包装：3000 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
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| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） | 10k |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 数据手册： |
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