BSP322PH6327XTSA1
BSP322PH6327XTSA1
  • 量产中
  • PG-SOT223-4
  • EAR99
产品描述：
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
标准包装：1
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Package / Case TO-261-4, TO-261AA
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Part Status Active
Manufacturer Infineon Technologies
Series SIPMOS®
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 380µA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging Digi-Reel®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 1A, 10V
Power - Max 1.8W
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) @ Vgs 16.5nC @ 10V
Category Discrete Semiconductor Products
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Family Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 372pF @ 25V
ECCN EAR99
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