CSD16323Q3
CSD16323Q3
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产品描述:
CSD16323Q3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=25 V, 8针 SON封装
标准包装:2500
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8.4nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),60A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 25V
封装/外壳 8-TDFN 裸露焊盘
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 8-SON
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 24A,8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 12.5V
功率 - 最大值 3W
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库存数量77354库存更新于
2025-07-22
订货周期5-10days
SPQ/MOQ2500/1000
库存地--
生产批次5年内

供应商编码:SP1027

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2500+$0.67611
5000+$0.65689
10000+$0.63612
25000+$0.63442
库存数量17500库存更新于
2024-04-10
订货周期6Weeks
Supplier SPQ/MOQ2500/2500
库存地--
生产批次2316

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