TSHF5210
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产品描述:
890 nm 100 mA ±10° Through Hole High Speed Infrared Emitting Diode - T-1 3/4 BOX
标准包装:1
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视角 20°
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值) 120mW/sr @ 100mA
类型 IR
朝向 顶视图
安装类型 通孔
封装/外壳 径向,5mm 直径(T 1 3/4)
波长 890nm
电压 - 正向(Vf)(典型值) 1.4V
电流 - DC 正向(If) 100mA
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