| IRFD110PBF | ||
|---|---|---|
|
|
||
|
||
| 产品描述：
Single N-Channel 60 V 0.54 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
|
||
| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： -- |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 通孔 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 8.3nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1A（Ta） |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 540 毫欧 @ 600mA，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
登录之后就可发表评论
请输入下方图片中的验证码：