2SK4065-DL-E
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产品描述:
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
标准包装:1
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
供应商器件封装 SMP-FD
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 12200pF @ 20V
功率 - 最大值 1.65W
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
FET 功能 逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 220nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Ta)
漏源极电压(Vdss) 75V
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