STB5N62K3 | ||
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产品描述:
MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
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标准包装:1000 | ||
数据手册: |
安装类型 | 表面贴装 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 4.2A(Tc) |
漏源极电压(Vdss) | 620V |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
FET 功能 | 标准 |
供应商器件封装 | D2PAK |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.6 欧姆 @ 2.1A,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 70W |
数据手册: |
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