<span style='color:red'>晶圆制造</span>公司排名一览
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晶圆制造公司排名一览

　　晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。下面Ameya360电子元器件采购网给大家介绍一下“晶圆制造公司排名”。　　1.晶圆制造公司排名　　1、中芯国际　　中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆集成电路制造业领导者，　　2、华虹集团　　华虹集团是中国目前拥有先进芯片制造主流工艺技术的8+12寸芯片制造企业，集团旗下业务包括集成电路研发制造、电子元器件分销、智能化系统应用等板块，　　3、华润微电子　　华润微电子有限公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的半导体企业。　　4、晶合集成　　合肥晶合集成电路股份有限公司结合平板显示、汽车电子、家用电器、工业控制、人工智能、物联网等产业发展趋势，提供面板驱动芯片、微控制器(MCU)、CMOS图像传感器(CIS)、电源管理(PMIC)、人工智能物联网(AIoT)等不同应用领域芯片代工。　　5、武汉新芯　　武汉新芯集成电路制造有限公司拥有2座12寸晶圆厂，每座晶圆厂产能可达3万片+/月，是业界先进的半导体三维集成技术平台。　　6、积塔半导体　　上海积塔半导体有限公司经营范围包括：集成电路芯片设计及服务，集成电路芯片制造等，是华大半导体旗下全资子公司。　　7、绍兴中芯　　绍兴中芯集成电路制造股份有限公司是提供模拟芯片及模块封装的代工服务的制造商，为国内外客户提供一站式代工解决方案。　　8、粤芯半导体　　粤芯半导体专注于物联网、汽车电子、工业控制、5G 等应用领域，致力于满足国产芯片制造需求。　　9、方正微电子　　深圳方正微电子有限公司是一家从事集成电路芯片制造的国家高新技术企业，是国内首家实现6英寸碳化硅器件制造的厂商。　　10、宁波中芯　　中芯集成电路（宁波）有限公司市场涵盖5G通信与移动终端、智能家电与工业控制、工业物联网与医疗电子等多个战略性新兴产业，是国内优秀的工艺半导体晶圆代工制造商。
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发布时间：2022-10-28 11:06 阅读量：1949 继续阅读>>
晶圆是什么 <span style='color:red'>晶圆制造</span>工艺流程
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晶圆是什么 晶圆制造工艺流程

　　晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。下面Ameya360电子元器件采购网给大家介绍一下“晶圆是什么东西 晶圆制造工艺流程”。　　一、晶圆是什么　　晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。　　二、晶圆制造工艺流程　　1、表面清洗　　2、初次氧化　　3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。　　（1）常压CVD(NormalPressureCVD)　　（2）低压CVD(LowPressureCVD)　　（3）热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)　　（4）电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)　　（5）MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)　　（6）外延生长法(LPE)　　4、涂敷光刻胶　　（1）光刻胶的涂敷　　（2）预烘(prebake)　　（3）曝光　　（4）显影　　（5）后烘(postbake)　　（6）腐蚀(etching)　　（7）光刻胶的去除　　5、此处用干法氧化法将氮化硅去除　　6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱　　7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理　　8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱　　9、退火处理，然后用HF去除SiO2层　　10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅　　11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层　　12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区　　13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜，作为栅极氧化层。　　14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。　　15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。　　16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。　　17、沉积掺杂硼磷的氧化层　　18、濺镀第一层金属　　（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。　　（2）真空蒸发法（EvaporationDeposition）　　（3）溅镀（SputteringDeposition）　　19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。　　20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置　　21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性
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发布时间：2022-10-28 11:03 阅读量：2717 继续阅读>>
<span style='color:red'>晶圆制造</span>发力!2018年大陆12英寸晶圆月产能逼近70万片
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晶圆制造发力!2018年大陆12英寸晶圆月产能逼近70万片

根据全球市场研究机构集邦咨询最新《中国半导体产业深度分析报告》指出，高资本支出的晶圆厂建设项目备受业界关注，尤其是近期士兰微、粤芯等新一批晶圆制造项目的出现，将使得产业竞争升温，并且带动产能扩增，预估至2018年底中国大陆12英寸晶圆制造月产能将接近70万片，较2017年底成长42.2%；同时，2018年产值将达人民币1,767亿元，年成长率为27.12%。根据集邦咨询最新统计资料显示，自2016年至2017年底，大陆新建及规划中的8英寸和12英寸晶圆厂共计约28座，其中12英寸有20座，8英寸则为8座，多数投产时间将落在今年。目前中国集成电路制造产业是内资、外资及合资三种方式并存的模式，其中合资及外资部分几乎占去一半以上的产能，并且在先进技术对比方面，外资厂商也占有绝对优势。观察厂商布局动态，以中芯国际为首的本土晶圆厂最先进量产制程目前仍处于28nm Poly/SiON阶段，虽然在28nm营收占比、28nm HKMG量产推进及14nm研发方面皆取得不错的成绩，但台积电（南京）、联芯（厦门）、格芯（成都）等外资厂商的同步登陆布局也进一步加剧与本土厂商在先进制程的竞争；同样，在国际巨头长期垄断的存储产业领域下，作为新进者的长江存储、晋华集成、长鑫存储三家本土厂商，未来也会长期受到来自国际巨头厂商在技术专利及价格等多方面的挑战。大批的晶圆制造项目集中落地，考验资源优化分配及地方资本承担风险能力另外，从中国政府透过产业基金推动半导体发展的策略来看，集邦咨询预估，未来包含一期与二期在内的大基金，与地方投入资本总额将逼近人民币1万亿元规模。大基金目前在晶圆制造端的投资，包含企业及项目的部分有中芯国际、华虹宏力、华力微电子、长江存储、士兰微、耐威科技等，还有一些重点项目仍在积极对接中。相较于地方资本在晶圆制造的投资，大基金参与或是准备参与的新建重点晶圆制造项目，具备相对更高的避险能力。集邦咨询指出，对于地方资本来说，目前真正能落地的资金相对有限，而晶圆制造项目对资本的连续性投入要求最为严苛，需要同时考虑初期设厂的大规模投资，以及投产中可能存在的产能利用率不高的潜在风险，再加上地方政府换届时对当地重点项目传承性影响的不确定因素，对仅有地方资本及企业参与的晶圆制造项目来说，恐会面临较为严峻的挑战。
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发布时间：2018-01-18 00:00 阅读量：1325 继续阅读>>
中国半导体<span style='color:red'>晶圆制造</span>材料产业分析
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中国半导体晶圆制造材料产业分析

半导体晶圆制造材料和晶圆制造产能密不可分，近年随着出货片数成长，半导体制造材料营收也由2013年230亿美元成长到2016年的242亿美元，年复合成长率约1.8%。从细项中可看出硅晶圆销售占比由2013年35%降到2016年的30%。 与先进制程相关的光阻和光阻配套试剂(用来提升曝光质量或降低多重曝光需求的复杂度)，以及较先进Wafer后段所需的CMP制程相关材料销售占比则提升，可见这几年材料需求的增长和先进制程的关联性相当高。 此外，从2016年晶圆制造材料分类占比可看出，硅晶圆占比最大为30%，随着下游智能终端机对芯片性能的要求不断提高，对硅晶圆质量的要求也同样提升，再加上摩尔定律和成本因素驱使，硅晶圆稳定向大尺寸方向发展。目前全球主流硅晶圆尺寸主要集中在300mm和200mm，出货占比分别达70%和20%。 从硅晶圆面积需求的主要成长来自300mm来看，也证实在晶圆制造中，较先进的制程还是主要的需求成长来源；此外，硅晶圆在2013～2016年出货面积年复合成长率达5.8%，高于硅晶圆产业同时期的营收成长率，可见硅晶圆平均价格显著下滑。 由于硅晶圆是晶圆制造的主要材料，在此轮半导体产业复甦中，特别是在中国芯片制造厂积极扩张产能下，预计短期内硅晶圆产业将同步受益。 根据2016年全球主要硅晶圆厂商营收资料，前六大厂商全球市占率超过90%，其中前两大日本厂商Shin-Etsu和SUMCO合计全球市占率超过50%，台湾环球晶圆由于并购新加坡厂商SunEdison Semiconductor，目前排名全球第三，2016年销售占比达17%。 中国半导体材料分类占比市场状况与全球状况类似，硅晶圆和封装基板分别是晶圆制造和封装材料占比最大的两类材料。从增长趋势图可看到2016～2017年中国半导体材料市场快速增长，无论是晶圆制造材料还是封装材料，增长幅度都超过10%。 中国晶圆制造材料中，关键材料主要仍仰赖进口，但随着政府政策大力支持和大基金对产业链持续投入，已出现如上海新升半导体、安集微电子、上海新阳与江丰电子等颇具实力的厂商。 这些厂商在政策支援下，积极投入研发创新，各自开发的产品已初见成效，现已成为中国半导体材料产业中坚力量。根据中国新建晶圆厂和封测厂的建设进程，多数建设中的产线将在2018年陆续导入量产，届时对应的上游半导体材料产业将出现新一轮爆炸性成长。 中国半导体制造材料产业发展趋势 在中国国家政策支持下，大基金和地方资本长期持续投入，中国集成电路产业快速发展，官方目标是以「制造」带动上下游全产业链共同进步，在此过程中，需要不断完善和优化产业链各环节，掌握核心环节重点突破，逐步摆脱核心领域长期依赖进口的窘境。 半导体材料产业具有产品验证周期长和龙头垄断等特点，想要顺利打入国际一线客户厂商将非常困难，一般芯片生产商在成功认证材料商后，很少会更换供应商，例如全球前六大硅晶圆厂商几乎供应全球90%以上的硅晶圆，中国集成电路硅晶圆基本上全部依赖进口。 中国半导体材料厂商要想尽快打入市场，不仅要加强研发和拿出高质量产品，还要在政府的支持和协调下，优先从当地芯片制造厂商着手，完成在当地主流芯片生产厂商的成功认证，从而进一步实现以中国国产替代进口。 对内资源重整是中国半导体材料产业未来发展重要趋势，综观中国半导体材料厂商，对应下游产品普遍倾向中低阶，且分布繁杂分散，即便在中低阶材料供应上，内部也容易出现恶性竞争；而不仅在核心材料如光阻、硅晶圆片与光罩等材料上，落后于世界先进水平，在常用试剂材料上，也仅有少数厂商能达到下游一线厂商的稳定标准。 目前中国半导体产业拥有良好的发展机会，政策和资金的大力支持吸引大批厂商集中参与，很多厂商纷纷表明进行产业升级的决心，如许多中小型的太阳能电池板厂商纷纷表示要进军电子级硅晶圆片产业，但电子级硅晶圆材料比电池用硅晶圆纯度高出好几个数量级，两者并不在同一个技术水平，况且太阳能电池板厂商下游与半导体产业链相差甚远，所有的使用者关系需重新建立，也不利于后期产品的认证和销售。 这些问题都需要半导体材料产业集中优势资源，针对各类别半导体材料，以一部分大厂为首，进行资源再整合。 中国半导体材料产业面临严峻挑战 现阶段政府政策积极引导，大基金和地方资本支撑，为中国半导体材料产业解决前期资金问题，但钱不一定能买来技术、人才与市场，因此后期中国半导体材料产业将面对更多来自技术、人才与客户认证等方面的严峻挑战。 技术挑战 目前中国半导体材料技术方面，挑战主要集中在大硅晶圆、光阻与光罩材料等领域。 在硅晶圆方面，中国主要生产的是6吋硅晶圆，8吋自给率不到20%，12吋硅晶圆以上海新升半导体为首，正处于客户验证阶段，技术水平和产品稳定性仍面临严格考验； 光阻中国产厂商北京科华(合资)和苏州瑞红的产品多应用于LED、面板及部分8吋Fab等中低阶领域； 全球光罩基材基本由日本厂商垄断，Photronic、大日本印刷株式会社与凸版印刷3家的全球市占率达80%以上。 事实上，材料产业相关基础专利技术早已被国际大厂垄断，而基础专利又是材料产业必备要素，同时国外厂商又不愿将专利出售给中国，因此在基础专利瓶颈的突破上进度缓慢。 人才挑战 突破技术的关键在于人才。近期关于中国集成电路产业人才短缺和人才挖角有诸多讨论，根据统计，截止2020年中国集成电路产业中高阶人才缺口将突破10万人，中国半导体材料产业多年来发展缓慢，与其人才储备严重不足息息相关。目前政府已为半导体材料产业清除政策和资金障碍，下一步将着重解决人才引进和人才培养方面的问题。 认证挑战 与半导体材料认证紧密相连的就是产品良率，良率好坏决定代工厂直接竞争力，因此各中下游代工制造厂商对上游材料的认证非常严格，某些关键材料的认证周期可长达2年甚至更久。 一旦认证成功，制造厂商和上游材料厂商将紧紧绑定在一起，只要上游材料商保证供应材料的持续稳定性，中端制造商将不会冒险考虑更换供应商，如今中国半导体材料产业快速发展，如何成功嵌入客户供应链将是未来面对的一大难题，在此期间，如果政府出面对合作厂商进行协调，将有助于加速半导体材料产业取得当地厂商的认证。 小结 中国当地半导体材料产品多偏向应用于LED、面板等中低阶应用，用于集成电路生产的材料依然以进口为主，中国生产替代空间非常庞大。未来随着多条中国新建晶圆制造产线陆续投产，预计2018年将为中国当地半导体材料产业发展带来新契机。 未来中国半导体材料产业发展趋势将从两方面同步进行： 集中优势资源，针对各类别半导体材料，以一部分大厂为首，进行资源再整合； 建立完善的半导体材料体系，加快核心材料的研发，实现中国国产替代。 中国半导体材料产业虽然克服了政策和资金的障碍，但仍面对来自技术、人才与客户认证等方面的严峻挑战。 未来产业将着重解决以下问题：基础专利瓶颈突破进展缓慢、半导体材料人才储备和培养严重不足、联合政府协调作用，以及率先突破当地认证关卡。 目前中国半导体材料产业虽然比较薄弱，关键材料仍以进口为主，但随着政府政策大力支持和大基金对产业链持续投入，已出现颇具实力的厂商，在积极投入研发创新下，各自开发的产品已初见成效，现已成为中国半导体材料产业的中坚力量。 因为制程精细度要求(技术规格)和影响(制造材料的影响会直接反映在芯片表现上，有些中低阶应用的封测材料和芯片的直接表现影响较小)，半导体制造材料面对的是比封测材料更高的进入障碍(由于制程复杂度的差异，相较于封测材料，材料进入晶圆制造产线评估的难度较高，且接受度略低)，这也使得同样是进口替代。 目前中国推广的项目主要集中在裸晶(Starting Materials)、光阻(从LED放量)与靶材(后段金属制程)等产值大，且较易独立评估技术指标的产品。由此可知，中国半导体晶圆制造相关材料产业需要获得更多支援，才能提高产业的竞争力。
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发布时间：2017-10-31 00:00 阅读量：1233 继续阅读>>
2016年全球<span style='color:red'>晶圆制造</span>设备商排名TOP 10，Gartner说出产生差距的原因
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2016年全球晶圆制造设备商排名TOP 10，Gartner说出产生差距的原因

在3D NAND与尖端逻辑芯片制程设备支出成长推动下，调研机构Gartner表示，2016全年全球半导体晶圆级制造设备市场规模年增11.3％，达374.07亿美元。一扫2015年规模年减1％阴霾。 Gartner研究副总裁Takashi Ogawa表示，由于市场对资料中心高端服务，以及对移动装置中的高效能处理器与存储器需求大增，使得各半导体业者纷纷对晶圆级制造设备进行投资，进而推动了半导体设备市场规模的成长。 Gartner进一步分析，3D半导体制造是造成前十大前段设备业者表现出现落差的主要原因。具有3D半导体蚀刻解决方案的设备业者，表现都相当亮眼，例如应材的蚀刻设备业务，便因为3DNAND Flash的投资需求而出现强劲成长。成长表现最亮眼的Screen Semiconductor Solutions，除了同样受惠于3D NAND Flash投资热潮外，还有日圆兑美元升值的汇率利多因素加持，因为本统计是以美元作为计价单位。 应用材料（AppliedMaterials）2016年营收大幅成长，尤其是蚀刻领域设备营收成长更是明显。主要归功于其3D刻蚀设备。 资料显示，2016年应用材料整体晶圆级制造设备营收年增20.5％，达77.37亿美元。营收续居各业者之冠。 日本业者ScreenSemiconductor Solutions则是在日圆兑美元汇率升值，以及市场对3D NAND产能需求增加等因素影响下，2016年整体晶圆级制造设备营收年增41.5％，达13.75亿美元。虽然该公司2016年营收在前十大业者中仅排名第六，但营收年增率居各业者之冠。 2016年营收年增率仅次于Screen Semiconductor的是日立先端科技（Hitachi High－Technologies）。该公司营收年增率为24.3％，营收为9.80亿美元。营收在前十大业者中排名第七。 美国科林研发（LamResearch）与荷兰ASML则是分别以营收52.13亿与50.91亿美元，名列二与三名。上述两业者2016年营收年增率为8.4％与7.6％。 综观2016年营收前十大业者，仅Hitachi Kokusai与ASM International营收下滑，分别年减16.6％与14.7％，达5.28亿与4.97亿美元。 前十大业者合计营收占所有业者总营收的78.6％，较2015年占比77.4％，扬升了1.2个百分点。
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发布时间：2017-04-25 00:00 阅读量：1323 继续阅读>>

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