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江苏长晶科技FST2.0高性能 <span style='color:red'>IGBT</span>产品介绍

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江苏长晶科技FST2.0高性能 IGBT产品介绍

　　江苏长晶科技股份有限公司是一家专业从事半导体产品研发、生产和销售的企业。自2019年起，连续4年被中国半导体行业协会评为 “功率器件十强企业”。2021年开始自主研发有着“工业CPU”之称的IGBT，截至2023年Q3在家电/工业/新能源等行业实现8款产品市场应用与批量供应。　　特性简介　　1. IGBT工艺平台　　图1 相同的电流电压，不同代次芯片Vcesat&Ets表现「基于1200V/40A」　　2. 产品定义　　针对应用细化IGBT芯片的类型，精准的产品定义实现最佳的应用效果。　　3. 应用表现　　平衡性：优化关断损耗的同时减小关断应力，实现良好的温升/电磁兼容性　　产品简介　　1. 长晶产品系列分类　　L系列应用于0-8khz载波频率　　S系列应用于8-20khz载波频率　　K系列应用于20-45khz载波频率　　2. 长晶产品概览

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长晶科技

发布时间：2024-03-26 15:12 阅读量：562 继续阅读>>

<span style='color:red'>IGBT</span>与MOSFET的区别

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IGBT与MOSFET的区别

　　IGBT和MOSFET是当今电子领域中常见的功率半导体器件，它们在电力控制、变换器等领域发挥着重要作用。虽然两者在某些方面有相似之处，但在结构、工作原理和应用场景上存在明显差异。　　1.结构差异　　IGBT：IGBT是一种混合型半导体器件，结合了双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)的优点。其结构包括PNP型双极晶体管结构和场效应晶体管的栅极。通过加在栅极上的电压信号来控制器件的导通和截止。　　MOSFET：MOSFET是一种场效应晶体管，由金属氧化物半导体结构组成。其主要部分包括栅极、漏极和源极，通过栅极电场控制沟道的导电性，实现器件的导通与截止。　　2.工作原理差异　　IGBT：IGBT的开关速度相对较慢，主要由栅极驱动电路决定。当栅极施加正向电压时，激活PNP晶体管，形成导通;当施加负向电压或零电压时，晶体管截止。　　MOSFET：MOSFET具有较快的开关速度，由于栅极电场可以控制电流流经的沟道，因此具有较低的导通电阻。当栅极施加正向电压时，激活沟道导通;当栅极施加负向电压或零电压时，沟道截止。　　3.特性比较　　3.1 耗散功率　　IGBT：在高功率应用中具有较高的耗散能力，适用于大功率交流调制。　　MOSFET：具有较低的开关损耗和导通电阻，适用于高频开关电源。　　3.2 开关速度　　IGBT：开关速度较慢，适用于低频调制及大功率应用。　　MOSFET：开关速度较快，适用于高频开关电源和高速开关应用。　　3.3 结构复杂性　　IGBT：相对MOSFET而言结构较为复杂，包含双极型晶体管结构。　　MOSFET：结构简单，易于集成和制造。　　3.4 环境适应性　　IGBT：具有较强的耐压和耐热性，适用于高温高压环境下的应用。　　MOSFET：对于温度和电压波动较为敏感，需配合保护电路使用。　　3.5 应用领域　　IGBT：广泛应用于电力变换器、电机驱动、逆变器等大功率应用领域。　　MOSFET：主要应用于功率放大、开关电源、模拟电路等低功率高频应用领域。　　4.适用场景比较　　4.1 电力控制　　IGBT：在大功率电力控制系统中得到广泛应用，如变频调速、电力传输等。　　MOSFET：在低功率电力控制系统中具有优势，如开关电源、电池管理等。　　4.2 温度要求　　IGBT：耐高温性较强，适用于高温环境下的电力控制系统。　　MOSFET：对温度敏感，适用于一般温度环境下的应用。　　4.3 频率要求　　IGBT：适用于低频调制，如电机驱动等需要稳定输出的场景。　　MOSFET：适用于高频开关电源、射频功率放大器等需要快速响应的场景。　　4.4 体积和效率　　IGBT：由于结构复杂，通常体积较大，但在大功率情况下具有高效率。　　MOSFET：体积小巧，适合集成化设计，提高系统效率。　　4.5 成本考量　　IGBT：相对MOSFET而言，价格更低廉，适合大功率应用场景。　　MOSFET：价格略高，但在低功率高频应用中性能更为出色。　　IGBT和MOSFET作为电子领域中重要的功率半导体器件，各自具有独特的特性和适用场景。IGBT在大功率、低频电力控制领域具有优势，而MOSFET则在低功率、高频应用中表现较为突出。

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IGBT

发布时间：2024-03-19 11:23 阅读量：550 继续阅读>>

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安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗

　　智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT，实现了更高效率，因此非常适合三相变频驱动应用，如热泵、商用暖通空调(HVAC)系统以及工业泵和风扇。　　据估计，全球温室气体排放量约有26%来自于运行中的住宅和商业建筑，其中供暖、制冷和建筑物供电等间接排放量约占18%。世界各国政府正致力履行其能源和气候承诺，更节能、更低碳的解决方案也随之日趋重要。　　SPM31 IPM通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流，以实现出色效率。例如，安森美采用FS7技术的25A SPM31与上一代产品相比，功率损耗降低达10%，功率密度提高达9%。在电气化趋势和更高的能效要求下，这些模块助力制造商大幅改进供暖和制冷系统设计，同时提高能效。安森美的SPM31 IPM系列产品采用FS7技术，具备更佳的性能，实现高能效和更低能耗，进一步减少了全球的有害排放。　　这些高度集成的模块含栅极驱动IC、多种模块内置保护功能及FS7 IGBT，实现优异的热性能，且支持15A至35A的宽广电流范围。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高，是节省贴装空间、提高性能预期、同时缩短开发时间的理想解决方案。此外，SPM31 IPM还具有以下优势：　　栅极驱动和保护控件　　低损耗、具有抗短路能力的IGBT　　每一相有IGBT 半桥负端，以支持各种控制算法　　内置欠压保护 (UVP)　　内置自举二极管和电阻器　　内置高速高压集成电路　　单接地电源

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安森美

发布时间：2024-02-27 13:06 阅读量：379 继续阅读>>

MOS管和<span style='color:red'>IGBT</span>管有什么区别？

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MOS管和IGBT管有什么区别？

　　在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管? 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧!　　什么是MOS管?　　场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。　　MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。　　如上图，MOSFET种类与电路符号。　　有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。　　关于寄生二极管的作用，有两种解释：　　MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。　　防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。　　MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。　　什么是IGBT?　　IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。　　IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。　　IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。　　IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD(续流二极管)。判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。　　IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　　MOS管和IGBT的结构特点　　MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。　　IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。　　IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。　　另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。选择MOS管还是IGBT?　　在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：　　也可从下图看出两者使用的条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用，“?”表示当前工艺还无法达到的水平。　　总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。　　MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

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MOS管

发布时间：2024-02-27 10:53 阅读量：2486 继续阅读>>

尼得科：MOSFET和<span style='color:red'>IGBT</span>功率半导体介绍

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尼得科：MOSFET和IGBT功率半导体介绍

　　随着科技的飞速发展，功率半导体器件正日益成为日常生活和工业生产中不可或缺的技术支持。它们不仅广泛应用于手机、电脑等消费电子设备，更深度涉及到汽车、人工智能等多个领域。因此，为了更好地适应市场需求，功率半导体器件的开发和生产正在朝着更高效、更可靠以及更本地化的方向迅猛发展。　　其中，MOSFET和IGBT是目前功率半导体产品的主力，让我们一起来了解一下他们的特点吧!　　随着MOSFET和IGBT等功率半导体广泛应用，市场需求上升，性能要求增加。尤其在车规级别，对安全性能要求更高。因此，在功率半导体投入使用前，对其进行专业参数测试至关重要。为此，尼得科精密检测科技株式会社(尼得科集团旗下子公司)推出两款新型功率半导体检测装置。　　特征1：　　通过各检测工作台相连接的方式实现高达 144UPH(25 秒/Unit)的工作量。　　特征2：　　一键式装卸的结构以及通用型治具的采用，大幅度降低了对应不同品类的治具的安装时间以及治具成本。　　特征3：　　实现行业高水平的低Ls 4.5nH，可进行高精度检测提案。　　除了实现自动检测的NATS-1000，还有手动款NATS-1630/1730可以选择，其在NATS系列的高精度&高速度检测基础上，操作更加简单，可选择手动/在线/加载和卸载配置，客制化检测路径!　　尼得科精密检测科技株式会社的功率半导体检测装置在2023年亮相于PCIM展会，在展会上引起了各行业客户的关注与认可。　　今后，为响应碳中和的愿景，准确把握新能源发展市场的脉搏，尼得科精密检测科技株式会社将持续深耕电气和电子相关行业领域，不断进行技术研究和实践，致力于为半导体行业提供专业的检测检查技术，为推动更安全、更高效的社会做出积极贡献。

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尼得科

发布时间：2024-02-20 09:28 阅读量：1422 继续阅读>>

<span style='color:red'>IGBT</span>单管及<span style='color:red'>IGBT</span>模块的区别

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IGBT单管及IGBT模块的区别

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种常见的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高速开关等特点。在现代电力电子应用中，IGBT单管和IGBT模块是两种常见的形式。虽然它们都具有类似的结构和工作原理，但仍存在一些显著的区别。　　1. 结构和封装　　IGBT单管是一种单一的电子器件，由一个IGBT芯片、一个驱动电路和一个散热器组成。它通常采用TO-247或TO-220等封装形式，封装较小，适用于低功率应用。　　相比之下，IGBT模块是一种集成了多个IGBT单管、自由轮二极管和驱动电路的电子模块。这种集成化的设计可以方便地实现高功率应用，同时也提高了系统的可靠性和稳定性。IGBT模块采用更大型的模块封装，如MOSFET模块或IGBT模块的Econopack、Primepack或Intelligipak等。　　2. 特性　　IGBT单管和IGBT模块的特性也有所不同。　　(1)导通电阻和开关速度　　IGBT单管通常具有较低的导通电阻和开关速度，适用于低功率应用。而IGBT模块则具有较高的功率密度和更高的导通电阻，适用于高功率应用。　　(2)电流承受能力　　IGBT模块具有更高的电流承受能力，可以满足更严苛的应用要求。例如，IGBT模块可以承受数百安培的电流，而IGBT单管的电流承受能力通常在几十安培以下。　　(3)热传导性能　　IGBT模块还具有更好的热传导性能，可以更有效地散热。这是由于IGBT模块采用了更大的封装，可以容纳更多的散热器和散热片，从而提高了散热效果。　　3. 应用　　IGBT单管和IGBT模块在功率半导体器件领域中都有其独特的应用和优势。　　(1)IGBT单管适用于低功率应用，如家用电器、电源和马达控制等。　　(2)IGBT模块适用于高功率应用，如电力电子、工业自动化、交通运输和风力发电等。例如，IGBT模块可以用于电动汽车的电驱动系统，可以实现高效、可靠和节能的电动汽车控制。　　总结，选择IGBT单管还是IGBT模块主要取决于具体的应用需求和系统设计要求。在选择时，需要考虑功率、电流、电压、散热、封装和价格等因素，以确保选择最适合的器件。

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IGBT

发布时间：2023-12-22 09:31 阅读量：1535 继续阅读>>

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新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型

　　全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)扩大了支持电路仿真工具* 1 LTspice® 的SPICE模型* 2 阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此，罗姆已经提供超过3,500 种分立产品的LTspice®模型，这些模型从各产品页面均可下载。目前，罗姆官网上发布的产品所对应的LTspice®模型覆盖率已超过80%，有助于客户利用嵌入了功率元器件等分立产品的电路仿真工具来提高设计便利性。　　另外，除了产品页面外，罗姆官网自2023年10月起还开设了可以浏览所有仿真模型的“设计模型”页面，在这里可以轻松下载各种模型。此外，还一并提供添加库和创建符号(电路图符号)的指南文档等，有助于客户顺利创建电路和执行仿真。未来，罗姆将继续扩大支持各种仿真工具的模型阵容，通过提供满足客户需求的在线工具和资源(例如已经发布的“ROHM Solution Simulator* 5 ”)，助力解决客户在电路设计过程中的问题。　　<背景>　　近年来，在电路设计中使用电路仿真的机会越来越多，可用的工具也多种多样。其中，LTspice®是具有代表性的电路仿真工具之一，其用户包括从学生到企业工程师的广大群体。为了满足众多用户的需求，罗姆进一步扩充了支持LTspice®的分立产品模型阵容。　　<仿真模型一览页面>　　・设计模型除了LTspice®模型外，罗姆还发布了支持不同使用工具环境的各种仿真模型。 https://www.rohm.com.cn/support/design-model　　<支持文档>　　・LTspice®模型的使用方法　　・LTspice®模型的使用方法：收敛速度改善技巧　　・LTspice®是 Analog Devices, Inc.的注册商标。使用其他公司的商标时，请遵循权利方制定的使用规定。　　<术语解说>　　*1) 电路仿真工具　　一种无需实际准备电子元器件而仅使用软件进行电子电路设计和验证的工具。　　*2) SPICE模型　　在电子电路仿真工具中使用的、用数学公式来表现元器件工作特性的数据。仿真工具对应的SPICE模型的格式可能因文本文件的格式而异。　　*3) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)　　金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。　　*4) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管　　)同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。　　*5) ROHM Solution Simulator　　在罗姆官网上运行的免费电路仿真工具。从元器件选型和元器件单品验证到系统级的运行验证，均可通过该仿真工具来实现。

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罗姆

发布时间：2023-10-16 10:48 阅读量：1602 继续阅读>>

英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP <span style='color:red'>IGBT</span>s H7新品

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英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

　　英飞凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统(ESS)、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。　　在分立式封装中，650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A，有四种不同封装类型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7的TO-247-3 HCC封装具有较高的爬电距离。TO-247的4引脚封装(标准封装：IKZA，Plus封装：IKY)在提高性能方面表现出众，因为它不仅能降低开关损耗，还提供了额外的优势，如更低的电压过冲、最小的导通损耗和最低的反向恢复损耗。凭借这些特性，TRENCHSTOP™ IGBT7 H7简化了设计，最大限度减少了并联器件的需求。　　此外，650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7具有出色的防潮性能，可在恶劣环境中可靠运行。该器件通过了JEDEC 47/20/22的相关测试，特别是HV-H3TRB，符合工业应用标准，因此非常适合户外应用。IGBT专为满足环保以及高效能源应用的需求而设计，相较于前几代产品有显著改进。因此，TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 是常用于太阳能和储能系统等中的NPC1拓扑的理想补充。

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英飞凌

发布时间：2023-10-12 14:05 阅读量：1387 继续阅读>>

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IGBT是什么

　　IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，中文名称是“绝缘栅双极晶体管”。通过结合MOSFET和双极晶体管，IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。IGBT有N沟道型和P沟道型两种，本文中以目前主流的N沟道型为例展开介绍。　　N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下。有些等效电路图会更详细一些，但这里为了便于理解，给出的是相对简单的示意图。包括结构在内，实际的产品会更复杂一些。有关结构等的详细内容将在后续文章中介绍。　　IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同。IGBT与MOSFET一样通过电压控制端口，在N沟道型的情况下，对于发射极而言，在栅极施加正电压时，集电极-发射极导通，流过集电极电流。我们将另行介绍其工作和驱动方法。　　IGBT是结合了MOSFET和双极晶体管优点的晶体管。MOSFET由于栅极是隔离的，因此具有输入阻抗高、开关速度较快的优点，但缺点是在高电压时导通电阻较高。双极晶体管即使在高电压条件下导通电阻也很低，但存在输入阻抗低和开关速度慢的缺点。通过弥补这两种器件各自的缺点，IGBT成为一种具有高输入阻抗、高开关速度*、即使在高电压条件下也能实现低导通电阻的晶体管。　　*开关速度比MOSFET慢，但比双极晶体管快。

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IGBT

发布时间：2023-09-13 11:36 阅读量：1805 继续阅读>>

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士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

　　随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求，新能源汽车的市场需求逐渐增大，已然成为汽车发展的大趋势，但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此，需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。　　针对这一需求，士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块(B3模块), 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好的体验。　　该模块产品阻断电压可以达到1200V，可以满足800V平台新能源汽车快速充电的需求，在5C倍率的充电速度下，可以实现5min充电0-80%。同时，该模块峰值工况下支持850V电压，输出电流350-400Arms，输出动能强，汽车加速快，这对于追求速度与激情的消费者来说是极其重要的。　　士兰微电子基于自主研发的精细沟槽 FS-V 技术开发的这款六单元拓扑模块，可以为车辆提供高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级特性，从而为严苛的环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。　　与传统的驱动模块相比，士兰600A/1200V IGBT模块的电流密度更高，可以将更多的功率输出到驱动轴，提高车辆的加速性能和行驶距离。此外，该模块还具有高短路能力和高阻断电压等级，可以保护逆变器免受突发电流和电压的损害，从而延长逆变器的寿命。　　该模块IGBT芯片采用士兰最新一代的场截止5代(Field-Stop V)技术和最先进的精细沟槽技术，较之前常规IGBT工艺具有更窄的台面宽度，用于降低饱和压降，提高器件的功率密度，缩小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um，可以使得器件-40度下耐压大于1200V，大大降低了器件的饱和压降和关断损耗;其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数，具有较低的静态损耗，以及低开关损耗，可以增大模块的输出能力，提高整个电控系统的效率;采用导热性优良的DBC，进一步降低模块热阻，提高输出能力。　　产品验证数据显示，该模块的规格和同封装下的输出能力已经超过了同类竞品，达到了世界一流水平。这也意味着，士兰600A/1200V IGBT模块是一款创新产品，它可以为混动和纯电动汽车等应用带来更高的燃油效率和更快的充电速度，进而改善车辆的性能和驾驶体验。　　二十多年来，士兰微电子坚持走“设计制造一体化”道路，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从5吋到12吋”的跨越，为汽车客户与零部件供应商提供一站式的服务。　　士兰微电子应用于汽车电子的产品不仅涵盖了主驱、车载充电机、车身电子、底盘电子和智能座舱等功率器件，还包括驱动IC、电源IC、电机IC和MCU等系列产品，可以为客户提供更可靠、更具性价比、更高性能的产品和解决方案。在稳产保供的大方针下，全力以赴促进客户和行业的共同发展。

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士兰微

发布时间：2023-09-07 11:02 阅读量：2043 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments

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