<span style='color:red'>南亚科</span>12月营收双降,2018年全年营收年成长54.27%
存储器大厂南亚科 3 日公布 2018 年 12 月及 2018 年全年自结财报,根据财报显示,南亚科 2018 年 12 月营收为 48.29 亿元(新台币,下同),较 11 月减少 10.62%,也较 2017 年同期减少 18.87%,创下 15 个月来的新低纪录。而且,2018 年第 4 季营收连 3 个月下滑,累计营收为 169.58 亿元,较第 3 季的 243.75 亿元大幅下滑超过 3 成,与 2017 年第 4 季的 167.83 亿元约略持平。事实上,南亚科在上一季法人说明会时,总经理李培瑛就表示,整体来说,在中美贸易摩擦等不确定因素增加的情况下,对于 2018 年第 4 季的 DRAM 需求相对较上半年保守。而且,在影响因素未确定的情况下,对 DRAM 的长期走势还需要做密切的观察,这使得 2018 年第 4 季营收较之前有衰退,不过,南亚科仍旧在 2018 年前 3 季营收表现突出的情况下,使得累计 2018 年的全年营收,仍较 2017 年亮眼,总营收金额为 847.22 亿元,较 2017 年度增加 54.27%。根据李培瑛之前的说法,就目前情况来看,中美贸易摩擦的影响仍是市场最大的变量。这样的情况会造成需求端的趋向保守,供给端的投片量减少。所以,日前国际大厂宣布降低 2019 年的相关资本支出,主要也可能是受到这样情况的影响。而南亚科本身也为了因应这样的情况,2018 年也已经下调相关的资本支出,从新台币 240 亿元下调到 210 亿元。也因为减少的资本支出是在于机器设备的增加上,这将使得原本预计 2019 年 20 奈米 4.7 万片的月产能,也将会有些许调降的情况。不过,虽然在 DRAM 供应面有下调资本支出、减少投片量的情况,而且需求面也有较为保守的趋势产生,但是就整体市场的情况来分析,却不会太过悲观。李培瑛预估,2019 年整体的价格不会有过去呈现 2 位数百分比的暴跌情况产生,而是呈现逐季缓步走跌的情况,时间大约在 1 到 2 季之间。李培瑛还进一步分析 DRAM 价格不会暴跌的主因,是来自于目前市场上包括手机、服务器、消费性电子产品都还供需健康的状况,仅在个人计算机方面,受到贸易摩擦及处理器缺货的因素所影响,会有短期市场跌价的压力。
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发布时间:2019-01-04 00:00 阅读量:1352 继续阅读>>
受贸易战关税影响大,<span style='color:red'>南亚科</span>11月营收创一年来新低
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发布时间:2018-12-05 00:00 阅读量:1260 继续阅读>>
PC短期有跌价压力,<span style='color:red'>南亚科</span>:贸易战对大陆组装厂影响将持续
半导体大厂财报会旺季开跑,DRAM大厂南亚科今(16)日财报会率先登场,是半导体大厂第一间开财报会,被视为半导体业的风向球。南亚科虽第3季营收为243.75亿元(新台币,下同),较上季减少0.9%,不过,毛利率再攀新高,税后净利128.72亿元,单季每股盈余(EPS)4.15元,累计前三季已赚进一个资本额,EPS为10.23元。南亚科说明,DRAM部分平均售价与上季相当,销售量较上季减少低个位数百分比,新台币兑换美元汇率本季对营收贡献约3.2%。南亚科第3季营业毛利为143.6亿元,毛利率58.9%,比上季增加3.9个百分点,营业利益为124.3亿,营业利益率为51%,季增4.2个百分点。南亚科指出,上季营业外收支为4.3亿元,主要来自于利息收入、新台币贬值贡献汇兑利益及其他。整体单季税后净利128.72亿,净利率52.8%,比上季增加6.8百分点。单季每股盈余为4.15元。南亚科自结前3季营收入677.64亿元,比去年同期成长77.6%,税后净利是314.9亿元,每股盈余为10.23元,每股净值51.51元。南亚科表示,20纳米DDR4营收占比于第3季达到3成,8GB DDR4服务器产品近期获得客户验证,第4季将推出LPDDR4/4X产品线。预估2018年第4季位元销售量与上季持平,全年位销售量年成长可达48%。至于自行研发的10纳米级制程技术目前开发进度良好。南亚科也观察,手机未来规格以多镜头为主,产品差异化主要倚赖存储器规格升级,如安卓旗舰机主流的內存容量为6GB-8GB,苹果OLED新机则导入4GB。服务器部分,中国区服务器需求年增23%,北美四大数据中心需求也稳定成长,全球服务器年增率约11%。另电视、机顶盒、智能音箱和SSD也是重点市场内存块,新一代智能手表预期仍将带动未来可穿戴设备的成长。不过,PC方面,受CPU缺货,以及现货市场次级品影响,短期有跌价压力。总经理李培瑛进一步分析,服务器与手机市场健康,其中,手机受惠对储存器装载量增加,服务器部分虽会受到处理器短缺影响,但储存器装载与需求量也增加,另外,消费市场需求也不差;PC市场则对DRAM需求则有些供过于求。他认为,若就供给端来看,新增产能量产时程落在第4季,需求端相对较上半季保守,第4季产品平均售价(ASP)可能下滑约5%,至于明年市况,李培瑛认为,首要观察仍是国际问题,尤其中美贸易战所影响的贸易关税和CPU短缺,如贸易战规模和延续时程尚未明朗情况下,导致需求端趋于保守,而供给端扩厂态度理性,虽价格调整难免,但报价应不至于有太剧烈波动,DRAM市场长期走势还需要密切观察。李培瑛并补充说,很多组装厂都在中国大陆,有些直接受影响,有些间接受影响,若终端客户组装厂在中国大陆,就必须要应对,如移到他国等等,但恐怕需要一点时间。
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发布时间:2018-10-17 00:00 阅读量:1576 继续阅读>>
Q4 DRAM价格估转跌,<span style='color:red'>南亚科</span>,华邦电承压
台积电要并<span style='color:red'>南亚科</span>??双方否认市场传言
根据日本媒体报导,台积电董事长刘德音受访时表示不排除收购存储器厂的可能性,市场点名台塑集团旗下DRAM厂南亚科的可能性最高。台积电昨日对此澄清指出,董事长刘德音的说法是,长期来看台积电不排除任何可能,但针对并购存储器厂消息,台积电目前没有这个计划。南亚科则表示没有收到任何有关此事的相关消息。日本媒体报导,台积电董事长刘德音昨日接受访问罕见松口表示,不排除收购存储器厂的可能性。报导中指出,虽然目前尚无潜在的收购目标,但消息人士已点名台湾DRAM大厂南亚科,可能是台积电未来寻求合作或投资的对象。外媒引述业界消息来源指出,南亚科可能是台积电潜在收购对象或合作伙伴,报导中亦点出台积电与DRAM大厂美国美光成立合资公司也是可能的选项之一。再者,台积电过去曾考虑收购全球第二大NAND Flash厂东芝半导体,但因彼此合作空间太小而放弃。不过,被点名的南亚科表示不清楚有任何收购消息。台积电昨日对此澄清表示并无此一计划。台积电表示,刘德音昨日的回答是说对任何选项不排除任何可能,对台积电而言,一向不排除未来的任何可能计划,就好像台积电是否赴美国设厂一事,台积电目前无此计划,但不排除未来的可能性,但针对台积电并购存储器公司此事,目前并无此一计划。
发布时间:2018-09-07 00:00 阅读量:1545 继续阅读>>
<span style='color:red'>南亚科</span>法说将打头阵,存储器Q3旺季可期
存储器中尤其是DRAM迎来5年史上最长的好光景,随着第三季旺季需求可望带动价格续小涨。下周二(17日)南亚科技将召开法人说明会揭开法说会序幕。南亚科上季获利攀高以及展望仍正面。明年则需观察供需面是否有变化。根据TrendForce存储器储存研究(DRAMeXchange)调查显示,受惠于买方急欲增加库存以及第三季传统旺季需求,即使供给位元成长逐季增加,本季平均销售单价仍可望小幅上扬。整体而言,虽然10纳米级带来的位元成长不若先前世代明显,但随着供应商在今年上半年陆续导入,将持续贡献未来数个季度的位元增长。以下半年来说,DRAMeXchange认为,虽然需求在旺季可望维持稳健,但已可观察到价格上涨幅度越来越小,在今年第四季可能面临持平开出的状况。南亚科先前表示,今年DRAM市况一整年健康,明年需观察供需面变化;若韩美三大厂产能开出的情况如其预先所规划的话,明年整体市况仍可望供需平衡。去年是存储器大好的一年,不论是DRAM、NAND Flash、NOR Flash全面上涨;今年以来则不同调,标准型DRAM最强势,预期价格攀高至第三季,NAND Flash、NOR Flash整体价格则高档震荡,各规格涨跌不一。DRAM厂南亚科第二季在DRAM销售价量齐扬,营运表现亮丽,业绩逐月改写历史新高,上季单季营收达245.92亿元(新台币,下同),季增30.8%,并刷新单季业绩历史新高。南亚科认为,随着智能手机存储器装置量增加,加上服务器需求持续强劲,第三季DRAM市场旺季效应可期。受惠于DRAM价格稳扬,加上20纳米效益显现,南亚科第二季获利估将逾110亿元,单季每股获利超过3.6元,表现优于预期。依对南亚科的持股比例换算,南亚科第二季获利将超过110亿元,换算单季每股净利超过3.6元,获利季增幅度超过34%。南亚科今年上半年每股净利达到6元,展望下半年,第三季报价估续稳定小涨,今年本业就可以赚进一个股本以上。华邦电子整体第二季合并营收134.85亿元,较今年首季增加10.9%,续写新高纪录。今年全年营运将再挑战18年来新高。华邦电上半年营收256.41亿元,年增17.4%。展望下半年,华邦电董事长焦佑钧日前表示,今年上半年有客户在消化存货,去化库存动作已经明显趋缓,下半年的景气看起来还不错。旺宏电子第二季合并营收约88.8亿元,比第1季的90.61亿元减少约2%,主要为第二季是传统最淡的一季。下半年起迎传统旺季,第三季营运可望比第二季成长,整体下半年表现亦将优于上半年。今年以来NOR Flash市况仍健康,旺宏电子2018年1月至6月合并营收为179.41亿元,较2017年同期增加36.2%。
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发布时间:2018-07-12 00:00 阅读量:1243 继续阅读>>
<span style='color:red'>南亚科</span> DRAM价量齐扬6月,Q2营收创高
DRAM价格及出货量同步上扬,台系DRAM厂南亚科公告6月自结合并营收达85.86亿元(新台币,下同)、月增3.12%,续创单月新高,较去年同期增加104.74%。南亚科第二季合并营收达245.93亿元,写下单季新高,季增幅为三成,相较去年同期成长逾九成。法人表示,DRAM市场将进入传统旺季,带动行动DRAM出货畅旺,连带服务器DRAM价格也微幅增加,使南亚科第三季营收有望比第二季更上一层楼。南亚科公告6月合并营收为85.86亿元,已经连续3个月改写单月新高,带动今年第二季营收站上245.93亿元,累计今年上半年合并营收达433.90亿元,相较去年同期增加74.56%,创下单月、单季及历史同期同创新高的优异成绩。法人表示,南亚科主要受惠于第二季DRAM价格续扬,且打入服务器DRAM市场,在近期服务器及资料中心等应用需求畅旺带动下,使南亚科营收表现逐月走升。时序即将步入今年第三季,行动DRAM将开始进入大量备货潮,由于产能供给有限,因此将连带让服务器DRAM价格也出现微幅增长。集邦科技预期,由于库存尚未达到安全水位,因此仍有相对稳健的拉货动能,带动DRAM整体均价呈现微幅季成长。集邦科技指出,第三季DRAM价格涨幅主要由服务器存储器与行动式存储器带动。服务器存储器的需求较第二季稳健提升,以行动式存储器而言,价格的涨幅主要由Android高阶手机在高容量LPDDR4采用量提升所支撑,预期第三季整体行动式存储器价格在高阶机种的带动下有机会出现1∼2%的涨幅。因此,法人圈看好,南亚科今年第三季将可望受惠于行动DRAM、服务器DRAM需求及价格同步上升,带动业绩再度上升,有机会改写第二季创下的历史新高数字。南亚科不评论法人预估财务数字。
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发布时间:2018-07-05 00:00 阅读量:1455 继续阅读>>
<span style='color:red'>南亚科</span>5月营收同比暴增102.33% 将加码投资20纳米制程
DRAM大厂南亚科4日公布5月份财报。根据财报显示,受惠于DRAM需求强劲,价格持续维持高档的情况下,5月份合并营收为新台币83.26亿元,较4月份增加8.4%,较2017年同期则是暴增102.33%,再度创下历史单月新高纪录。累计,2018年前5个月合并营收为新台币348.04亿元,较2017年同期增加68.44%。根据南亚科在第1季法说会上对第2季的营运展望表示,南亚科的20纳米产品销售占总营收比逾6成,且20纳米8Gb DDR4产品已量产出货的情况下,预估2018年第2季位元销售量季成长约高2位数字百分比。此外,在日前的股东会上,董事长吴嘉昭也指出,2018年全年而说,智能手机仍是DRAM最大应用市场,而服务器与资料中心的应用虽然居次,但是其位元需求成长已超越智能手机。因此,预期2018年全年DRAM整体位元需求将较2017年增加约22%。而南亚科日前也宣布,将加码投资20纳米制程,其总金额将可能达到新台币197.1亿元的规模。预计在2019年第2季底前,将每月20纳米制程数量提升至4.7万片。目前,南亚科的每月总产能约6.8万片,其中20纳米制程者约占3.8万片。南亚科也指出,目前DRAM市场供需仍处于健康的状态,价格仍有小幅上升的空间。因此,针对本身将增加产能,是否会对市场造成影响,南亚科指出,期扩厂的原因来自于因应客户与产品需求,因此整体来说,对DRAM市场供需影响将有限。
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发布时间:2018-06-05 00:00 阅读量:1258 继续阅读>>
<span style='color:red'>南亚科</span>出货中兴遭管制 战火延伸到DRAM产业!
南亚科接获台湾“经济部”国贸的管制令要求出货中兴通讯须先经过申请并通过核准才能放行,这意味着相关事件已从手机通讯相关领域,延伸至DRAM产业.近日,台湾最大的内存芯片制造商南亚科证实,已接获台湾“经济部”国贸的管制令要求出货中兴通讯须先经过申请并通过核准才能放行的通知,南亚科近期将向“经济部”提出申请出售关键内存给中兴通讯,该公司短期内出货中兴将受影响,这意味着相关事件已从手机通讯相关领域,延伸至DRAM产业,引起业界高度关注。DRAM即动态随机存储器,是最为常见的系统内存,比如手机里的4G、6G内存。除了智能手机之外,DRAM也是个人电脑、平板电脑、数据服务器等设备不可或缺的芯片部件。联发科后南亚科也遭管制,短期内出货中兴恐受影响美国商务部上月17日向中兴通讯发出长达七年的出口管制禁令,要求所有美商不得出售零组件给中兴通讯。 台湾“经济部”国贸局传出随后也对联发科发出公文,要求若要出货给中兴通讯,必须依进出口管制规定,提出申请,通过后始得出货。联发科则随后提出申请获准。如今传出南亚科也遭到管制,对于每月出货中兴的实际金额,南亚科并未透露,仅表示中兴通讯是该公司客户,虽然营收占比不高,但依照“经济部”的要求,已提出申请审核,只要对方保证所采用的内存不会用于输往违反美国禁令的地区,还是可以卖给中兴通讯, 不过短期内南亚科出货中兴通讯恐受申请程序而拖延。南亚科强调,目前DRAM供给短缺,货源相当抢手,不担心美国对中兴通讯出口管制,会影响南亚科业务。 不过,如果华为也受到美方制裁,影响性恐怕会比中兴通讯还大,南亚科会密切注意后续发展。全球存储器市场增长强劲2017年,全球存储器市场收入增加近500亿美元,达到1300亿美元,较2016年上涨61.8%。存储器市场的强劲增长带动半导体产业收入上升。2017年,全球半导体收入共计4204亿美元,较2016年上涨21.6%。中国在全球存储芯片市场消耗的量至少占1/2到1/3,但目前自主生产的 DRAM 芯片为零。全球市场目前几乎已经被三星(韩国)、美光(美国)和SK海力士(韩国)三家企业垄断。截至2017年年中,这三家公司总共占据全球DRAM芯片市场96%的份额。中国存储器市场投资超千亿,有望在2019年量产紫光国芯在2016年和2017年先后宣布在武汉和南京建厂,研发和生产NANO FLASH闪存和DRAM 存储芯片,两个半导体基地共计投入540亿美元。今年4月,紫光国芯宣布获准一笔13亿元的债券融资,其中1.9亿元将用于高性能第四代DRAM存储器项目建设。目前紫光国芯的DRAM存储器芯片已经形成了较为完整的产品系列,接口覆盖 SDR、DDR、DDR2 和 DDR3 DRAM等。除了国家队紫光国芯,中国DRAM存储芯片厂商还包括合肥长鑫和福建晋华。2016年底,兆易创新联合合肥长鑫投资494亿元建设DRAM存储器基地。同年,福建晋华则与台湾联华电子合作,一期投资370亿元,在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂。整体而言,中国在存储芯片市场上的投入已经达到数千亿规模。业内人士预测,中国存储器三大厂商——长江存储(紫光控股)、合肥长鑫和福建晋华的试产时间都在2018年下半年,量产时间在2019年上半年。
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发布时间:2018-05-09 00:00 阅读量:1621 继续阅读>>
<span style='color:red'>南亚科</span>厂房被爆电压下降,晶圆损失在可控范围

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