SK海力士宣布与<span style='color:red'>台积电</span>合作开发HBM4
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SK海力士宣布与台积电合作开发HBM4

　　集微网4月19日消息，SK海力士今日宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。　　SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”　　两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片(BaseDie)进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片(CoreDie)堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。　　* 硅通孔(TSV，ThroughSiliconVia)：在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。　　SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E(第五代HBM产品)都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)工艺。若在基础裸片采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化(Customized)HBM产品。　　与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS**技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。　　** CoWoS(ChiponWafer onSubstrate)：台积电独有的制程工艺，是一种在称为硅中阶层(Interposer)的特殊基板上搭载并连接GPU、xPU等逻辑芯片和HBM的封装方式。其技术在2D封装基板上集成逻辑芯片和垂直堆叠(3D)的HBM，并整合成一个模组，因此也被称为2.5D封装技术 。　　SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示：“通过与台积电的合作伙伴关系，公司不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作(OpenCollaboration)。今后，公司将提升客户定制化存储器平台(CustomMemoryPlatform)的竞争力，以巩固公司‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”　　台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：“多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过与此融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品，为我们的共同客户开展新的AI创新成为关键推动力。”
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发布时间：2024-04-19 11:03 阅读量：293 继续阅读>>
消息称<span style='color:red'>台积电</span>明年为苹果量产2nm芯片
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消息称台积电明年为苹果量产2nm芯片

　　近日，有媒体透露苹果下一代2nm芯片技术将于明年(2025年)量产。与此同时，台积电正在积极推进 2nm 工艺节点，首部机台计划今年 4 月进厂。消息称台积电已经向苹果公司展示了2nm芯片原型，预计将于2025年推出。　　报道中还提到，台积电目前正在评估工厂，计划于2027年率先生产更先进的1.4nm芯片。台积电已经于2023年第4季度开始量产其增强型3nm节点，该节点很可能在今年晚些时候首次出现在苹果设备中。　　2023年12月，新竹科学园区管理局长王永壮宣布竹科宝山一期已建设完成，台积电全球研发中心今年启用。而宝山二期工程目前正在建设过程中，同时推进台积电2nm工艺一厂和二厂，建成之后将成为台积电的第一家2nm工艺生产基地，目前各项建设工作进展顺利。　　在近几个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家也多次谈到他们的2nm制程工艺，他表示研发进展顺利，在按计划推进在2025年量产，采用这一制程工艺代工的芯片，较采用3nm制程工艺代工的芯片将有更高的晶体管密度、更好的能效、更强的性能。
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发布时间：2024-01-19 09:27 阅读量：1350 继续阅读>>
<span style='color:red'>台积电</span>预计2030年实现1纳米制程芯片生产
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台积电预计2030年实现1纳米制程芯片生产

　　台积电日前在2023年IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，发布进军至1nm制程的产品规划蓝图，这一计划与英特尔去年透露的规划类似。　　根据规划，台积电将并行推动3D封装和单芯片封装的技术路径的发展。预计在2025年，台积电将完成N2和N2P节点，使得采用3D封装的芯片晶体管数量超过5000亿个，而采用传统封装技术的芯片晶体管数量超过1000亿个。　　台积电计划在2027年达到A14节点，并在2030年达到A10节点，即1nm制程芯片。届时，采用台积电3D封装技术的芯片晶体管数量将超过1万亿个，而采用传统封装技术的芯片晶体管数量将超过2000亿个。　　据悉，台积电将使用EUV极紫外光刻、新通道材料、金属氧化物ESL、自对齐线弹性空间、低损伤低硬化低K铜材料填充等等一系列新材料、新技术，并结合CoWoS、InFO、SoIC等一系列封装技术。　　台积电在会议上还透露，其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面展开。同时，台积电重申，2nm 级制程将按计划于 2025 年开始量产。　　尽管台积电的发展速度有所放缓，但其在半导体代工领域的竞争对手，如三星等公司，仍在不断努力追赶台积电在先进制程领域的领先地位。今年六月，三星代工公布了其最新的工艺技术发展路线图，计划在2025年推出2纳米制程的SF2工艺，并在2027年推出1.4纳米制程的SF1.4工艺。如果这些计划能够如期实现，三星有可能在与台积电相似的时间节点上实现类似的先进工艺水平。
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发布时间：2023-12-29 14:52 阅读量：1220 继续阅读>>
消息称英特尔Lunar Lake将由<span style='color:red'>台积电</span>生产
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消息称英特尔Lunar Lake将由台积电生产

　　英特尔明年将推出Lunar Lake，或将委托台积电量产，打破过往英特尔CPU芯片从来没有委外生产的传统。根据此前曝光的技术细节，台积电将负责为英特尔生产三款 Lunar Lake 关键芯片，包括 CPU、GPU 和 NPU，均采用 3nm 工艺，预计将会在明年上半年开始投片量产。　　报道称，英特尔下一代的Lunar Lake MX 处理器将采用全新的微架构，从头开始设计，以提供突破性的每瓦性能效率，主要针对移动设备而来。Lunar Lake MX 处理器预计提供具有最多8 个通用核心(包括4 个高效能Lion Cove 核心+ 4 个Skymont 效能核心)、12MB 缓存、最多8 个Xe2 GPU 丛集以及最多8 个通用核心的处理器。其中，该处理器的计算模块将采用台积电的3纳米级N3B 制程技术生产。同时，英特尔自己表示，其Lunar Lake CPU 将使用自己的intel 18A 制造制程。　　据悉，Lunar Lake与前两代英特尔笔记本电脑平台有所不同，将CPU、GPU和NPU集成到片上系统(SoC)中。在封装过程中，利用英特尔的Foveros先进工艺，将SoC与高速I/O芯片结合，并在同一IC基板上封装DRAM LPDDR5x与两个先进的封装芯片，展现了创新性的整合技术。　　关于这一合作，目前台积电和英特尔均未发表评论。
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发布时间：2023-11-23 09:42 阅读量：1701 继续阅读>>
三星扩建美国芯片工厂 计划2030年赶超<span style='color:red'>台积电</span>
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三星扩建美国芯片工厂 计划2030年赶超台积电

　　台积电作为全球晶圆代工行业的第一，一直是其他代工厂商追赶的目标。三星计划扩建其位于美国得克萨斯州泰勒市的半导体芯片工厂。这家韩国公司最近与一家无晶圆厂半导体芯片公司签订了一项提供先进人工智能处理芯片的合同，而这次芯片工厂的扩建可能就是这份合同带来的结果，该公司希望扩大其芯片生产能力。　　据 JoongAng Daily 报道，三星将在其泰勒市的半导体芯片工厂增加一栋建筑，建筑面积约为 270 万平方英尺。建设工作已经开始，三星已经聘请了一家当地的工程公司来负责施工审查和检查过程。根据泰勒市网站上的文件，这栋新建筑目前的名称是“三星制造厂 2”。文件中还写道：“市政府与三星签订了一项开发协议，要求市政府指定资源并创建快速流程，以提供与场地开发和建筑施工活动相关的审查、批准和检查服务。”　　这栋建筑将位于市区的西南部，是三星在 2022 年以 170 亿美元的初始投资目标开工的泰勒芯片工厂的一部分。然而，由于建设成本的上涨和新建筑的增加，该预算已经上升到 250 亿美元(IT之家备注：当前约 1805 亿元人民币)。虽然公司没有透露新建筑的具体计划，但有人预计它可能是一个存放原材料的地方或芯片生产线的一部分。　　去年，三星向美国政府提出了在得克萨斯州的11个半导体芯片工厂获得税收优惠的申请。该公司承诺在未来20年内投资近2000亿美元，目标是在2030年成为全球最大的半导体芯片公司并超越台积电，成为世界上最大的合同芯片代工厂。
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发布时间：2023-11-22 10:05 阅读量：1227 继续阅读>>
<span style='color:red'>台积电</span>计划在日本建第三工厂 生产3纳米芯片
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台积电计划在日本建第三工厂 生产3纳米芯片

　　据知情人士透露，台积电考虑在日本建设第三座芯片工厂，生产先进3纳米芯片;这可能使日本成为一个重要的全球芯片制造中心。知情人士说，这家芯片代工大厂已经告知供应链合作伙伴，其考虑在日本南部的熊本县建设第三个工厂，项目代号台积电Fab-23三期。　　台积电目前正在日本建设第一个工厂，生产性能低一些的芯片;据知情人士指出，还计划建设第二座芯片工厂。目前尚不清楚何时开建第三工厂。3纳米芯片制程是目前商用的最先进芯片制造技术，不过等到新工厂量产时，3纳米可能会落后届时最新技术1-2个世代。　　对此，台积电发言人表示：“我们将根据客户需求、运营效率、政府补贴、经济状况等来决定产能扩张策略。台积电致力于长期满足客户需求并支持半导体行业。” “我们正在进行投资，以应对制造业的结构性变化。我们正在考虑在日本建设第二家工厂的可能性，但目前我们没有进一步的信息可以透露。”　　日本首相岸田文雄(Fumio Kishida)政府一直在提供数万亿日元的补贴，以吸引国内外半导体企业的投资。除了台积电，日本还成功获得了美光科技、三星电子和力积电(Powerchip)的投资。日本官员还帮助国内初创企业Rapidus公司在北海道建立尖端2nm芯片的生产线。　　据了解，一个3纳米晶圆厂的成本可能高达200亿美元，其中包括用于生产的机器，尽管具体的成本将取决于工厂何时建成，以及如何获得土地和其他材料。目前尚不清楚台积电预计在第三家晶圆厂投入多少资金。日本通常承担此类设施成本的50%左右。
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发布时间：2023-11-22 10:00 阅读量：1260 继续阅读>>
英飞凌、恩智浦和博世获德国批准入股<span style='color:red'>台积电</span>芯片厂
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英飞凌、恩智浦和博世获德国批准入股台积电芯片厂

　　近日，德国反垄断机构声明表示，批准博世 (BOSCH)、英飞凌 (Infineon) 和恩智浦 (NXP) 入股台积电的德国德勒斯登12英寸芯片厂。　　德国企业联合管理局表示，三家公司将分别收购台积电成立的半导体公司European Semiconductor Manufacturing Company(ESMC)10%的股份。　　德国企业联合管理局负责人Andreas Mundt在一份声明中表示：“最近动荡的地缘政治表明，确保半导体供应是多么重要，尤其是对德国工业而言。”Mundt还补充说，欧盟和德国都致力于将更多的半导体生产带来欧洲和德国。　　台积电是全球最大的芯片代工制造商，自2021年以来，该公司一直商谈在德国东部萨克森州建立制造工厂(或称“晶圆厂”)的事宜。　　该工厂将是台积电在欧洲的第一座工厂，对于德国政府推动国内芯片业发展的雄心壮志而言，台积电的这座工厂将发挥至关重要的作用。新工厂计划于2027年投入运营，预计每月可生产4万块300毫米晶圆。　　此前在8月8日，台积电声明称，已批准一项在德国半导体工厂的计划，将与博世、英飞凌和恩智浦共同成立合资公司ESMC，批准向ESMC不超过34.9993亿欧元，用于在德国提供代工服务。合资公司将由台积电持有70%的股份，博世、英飞凌和恩智浦各持有10%的股权。预计将超过100亿欧元，该工厂将由台积电运营。
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发布时间：2023-11-10 14:28 阅读量：1660 继续阅读>>
消息称<span style='color:red'>台积电</span>日本二厂将生产6纳米芯片
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消息称台积电日本二厂将生产6纳米芯片

　　台积电将在熊本第二工厂量产6纳米芯片，总投资额约为2万亿日元，日本经济产业省考虑最多提供9000亿日元左右的资金支援。第二工厂投资总额可能高达约2万亿日元，或成为日本重要的半导体生产据点。　　该工厂预计2024年夏季之前动工，2027年开始量产，力争每月量产6万个左右，预计量产线宽6纳米和12纳米的运算用逻辑半导体，计划销售给索尼集团等。　　据悉，台积电在熊本的第一家工厂由熊本县的代工服务子公司日本先进半导体制造公司(JASM)运营，索尼半导体解决方案公司、丰田汽车集团和电装也参与了投资。 第二座工厂的建设规模和工艺复杂度都将超过第一座工厂。　　根据日本政府的预测，若“日本二厂”能够成功运营，到2037年，该工厂的税收收入预计将超过政府的补贴金额。
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发布时间：2023-10-17 10:01 阅读量：1172 继续阅读>>
英特尔与<span style='color:red'>台积电</span>联手开发多晶片封装芯片
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英特尔与台积电联手开发多晶片封装芯片

　　英特尔宣布，与台积电携手，打造全球首款符合Chiplet互连产业联盟(UCIe)标准的多晶片封装芯片，当中包含英特尔与台积电各自生产的IC。业界分析，Chiplet架构设计有助降低IC设计与系统客户成本，由于整合不同制程的芯片，并透过先进封装技术实现差异化堆叠，实现更多元芯片应用。　　Chiplet架构设计是一种新型的集成电路设计方法，它将芯片分解为多个较小的独立模块，每个模块称为芯片组件或者芯片块。这些芯片块可以由不同的制造商生产，并且可以在不同的芯片上进行组合，以构建出定制化的芯片解决方案。　　传统的芯片设计方法通常是将所有的电路和功能集成在一个单一的芯片中，这会导致芯片面积过大、功耗过高、设计周期长等问题。而Chiplet架构设计则可以将不同的功能模块分别设计，然后将它们组装在一起，以实现更高效、更灵活的芯片设计。　　英特尔和台积电是全球芯片行业的领军企业，它们联手打造多晶片封装芯片，将引领芯片行业的新趋势。随着Chiplet架构设计的不断发展和成熟，预计未来将有更多的芯片企业加入这一领域，推动芯片行业的创新和发展。
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发布时间：2023-09-25 14:37 阅读量：1770 继续阅读>>
<span style='color:red'>台积电</span>官宣收购英特尔旗下IMS,认购Arm股份
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台积电官宣收购英特尔旗下IMS,认购Arm股份

　　台积电召开董事会特别会议，宣布了两个重要战略：收购英特尔手下IMS和认购Arm股份，以此扩大晶圆代工版图。　　台积电将以不超4.328亿美元的价格收购英特尔旗下子公司IMS Nanofabrication (以下简称“IMS”)10%的股份。本次收购将使IMS的估值达到约43亿美元，英特尔将保留IMS的大部分股权。该交易预计将于2023年第四季度完成。　　资料显示，IMS Nanofabrication 是一家专注于研发和生产电子束光刻机的公司，其产品被广泛应用于半导体制造、光学元件制造、MEMS制造等领域，具有高分辨率、高精度、高速度等优点。　　同时，台积电宣布根据Arm IPO时的股价对Arm Holdings plc进行不超过1亿美元的投资。　　Arm预计将于本周在美国纳斯达克上市。Arm是软银旗下芯片设计公司，拥有全球大多数智能手机计算架构背后的知识产权。　　此外，据路透社报道，苹果已与Arm签署了一项新的芯片技术协议，该协议有效期将延续到2040年以后。目前，苹果在其iPhone、iPad和Mac芯片的设计过程中都使用了Arm的技术来进行定制。
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发布时间：2023-09-14 09:36 阅读量：1372 继续阅读>>

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