安森美：高压<span style='color:red'>功率器件</span>设计挑战如何破？
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安森美：高压功率器件设计挑战如何破？

　　不断提升能效的需求影响着汽车和可再生能源等多个领域的电子应用设计。对于电动汽车 (EV) 而言，更高效率意味着更远的续航里程;而在可再生能源领域，发电效率更高代表着能够更充分地将太阳能或风能转换为电能。　　这两大领域都广泛采用开关电子器件，因而又催生了更高电压器件的需求。电压和效率之间的关系遵循欧姆定律，也就是说电路中产生的功耗或损耗与电流的平方成正比。同理，当电压加倍时，电路中的电流会减半，因而损耗会降到四分之一。根据这个原理，为了减少传输损耗，电力公司通常使用超高电压来输送电力，比如英国的电网电压常为275,000伏或400,000伏。　　电力公司依赖重型变压器等设备来处理高传输电压，而汽车和可再生能源领域的情况要更复杂一些，因为相关应用中通常涉及大量电子设备。　　半导体设计面临高电压挑战　　基于开关电力电子器件的转换器和逆变器是可再生能源发电厂和电动汽车的关键组件。虽然MOSFET和IGBT都可以用在相关系统中，但前者的栅极驱动功率较低、开关速度更佳且在低电压下效率更高，所以MOSFET占据了市场主导地位，并广泛用于各类电力电子应用。　　功率MOSFET主要有三个作用，即阻断、开关和导通(如图2所示)，因此该器件必须满足每个阶段的要求。　　在阻断阶段，MOSFET要能完全承受应用的额定电压;而在导通和开关阶段，又必须满足对电路损耗和开关频率的要求。导通损耗和开关损耗都会影响整体效率，更高的开关频率有利于搭建更小更轻的系统，而尺寸和重量恰好是电动汽车和工业应用的关键属性。　　追求更高电压的趋势正在挑战传统硅MOSFET的极限，并且实现低导通损耗和快速开关时间所需的低RDS(on)和高栅极电荷值也越来越困难，同时成本也在不断攀升。因此，电力电子设计人员转而借助碳化硅(SiC)来实现更高的效率。SiC是一种宽禁带材料，与硅相比具有多项优势，包括热导率高、热膨胀系数低和最大电流密度更高等，因此在导电性能方面表现更加优异。此外，SiC的临界击穿场强更高，也就是说较薄的器件就能够满足额定电压的需求，从而能够大幅缩小器件尺寸。　　目前SiC MOSFET能够承受近10kV的超高电压阈值，而硅MOSFET能够承受的电压阈值仅为1.5kV。此外，SiC器件的开关损耗较低、工作频率较高，因此能够实现更优异的效率，尤其适合用于工作温度较高、热导率要求高的大电流、高功率应用。　　安森美 (onsemi) 能够满足对更高电压的需求　　为了满足对高击穿电压器件日益增长的市场需求，安森美构建了内部端到端SiC制造能力，能够制造SiC二极管、SiC MOSFET和SiC模块等一系列产品。　　相关产品系列包括NTBG028N170M1，这是一款击穿电压较高的SiC MOSFET，如图3所示。这款N沟道平面器件针对高电压下的快速开关应用进行了优化，VDSS为1700V，扩展VGS为-15/+25V。　　NTBG028N170M1支持高达71A的连续漏极电流(ID)和高达195A的脉冲漏极电流，且其 RDS(ON) 典型值仅为28mΩ，有助于减少导通损耗。另外，该器件的栅极电荷 (QG(tot)) 非常低，仅为222nC，可确保进一步降低高频工作期间的损耗，此外器件采用D2PAK–7L表面贴装，可以减小工作期间的寄生效应。　　安森美EliteSiC系列还包括一系列额定电压为1700V的SiC肖特基二极管，这些二极管可在整流器等电力电子系统中与MOSFET搭配使用。这些二极管具有较高的最大反向重复峰值电压 (VRRM)、较低的正向峰值电压 (VFM) 和出色的反向漏电流，使设计工程师能够在高温环境下实现稳定的高电压运行。　　EliteSiC助力打造高效的电力电子设计　　在依赖电力电子设备的应用中，对更高效率的探索从未停歇。随着系统电压的不断提高，传统的Si-MOSFET无法适应未来需求。SiC器件为相关设计人员指明了新方向，使其能够在提高效率的同时，缩小器件尺寸，满足更严格的应用要求。安森美的1700V NTBG028N170M1能够帮助工程师在关键电力电子系统中实现更高电压的设计。
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发布时间：2024-03-01 11:07 阅读量：1983 继续阅读>>
士兰微49.6亿元定增完成，拟用于SiC<span style='color:red'>功率器件</span>生产线等项目
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士兰微49.6亿元定增完成，拟用于SiC功率器件生产线等项目

　　近日，士兰微49.6亿元定增完成，定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）和补充流动资金。　 11月24日消息，近日，士兰微发布的向特定对象发行股票发行情况报告书显示，公司完成发行2.48亿股公司股份，发行价为20元/股，募集资金总额49.60亿元，募集资金净额约49.13亿元。　　定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）和补充流动资金。　　8月29日，士兰微公告称，为加快“SiC功率器件生产线建设项目”的推进，拟与国家大基金二期、厦门海创发展基金共同出资12亿元，认缴厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（以下简称“士兰明镓”）新增注册资本。　　天眼查APP显示，士兰明镓11月7日发生工商变更，注册资本由约12.7亿元增至约24.6亿元，国家大基金二期完成入股，士兰微获得士兰明镓控制权。而此次公司定增募资投入的“SiC功率器件生产线建设项目”的建设主体，正是士兰明镓。　　借助本次募投项目的建设，士兰微将进一步提升汽车级功率模块等新兴产品的产能规模和销售占比，推进产品结构升级转型，形成功率半导体领域的先发优势、规模优势和成本优势。　　值得一提的是，士兰微已经连续受到国家大基金二期的青睐。今年5月22日，士兰微公告称，公司与国家大基金二期将共同出资21亿元认缴成都士兰半导体制造有限公司新增注册资本，其中国家大基金二期以自有资金出资10亿元。　　在本次认购中，国家大基金二期出手认购的股数也是此次投资者中最多的，达6197.50万股，共斥资12.40亿元，占到士兰微本次总募资的25%。
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发布时间：2023-11-27 09:55 阅读量：1268 继续阅读>>
<span style='color:red'>功率器件</span>的主要用途是什么 <span style='color:red'>功率器件</span>的应用场景有哪些
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功率器件的主要用途是什么 功率器件的应用场景有哪些

　　功率器件是电子设备中的重要组成部分，它们能够控制电流和电压，实现电能的转换和控制。功率器件广泛应用于各种电子设备中，如电源、电动机驱动、照明、通信、医疗、 工业自动化等领域。下面将由AMEYA360电子元器件采购网介绍功率器件在不同应用场景中的应用。　　1.电源　　功率器件在电源中的应用非常广泛,如开关电源、逆变器、稳压器等。开关电源是一种高效率、小体积、轻重量的电源，它采用功率器件进行开关控制，实现电能的转换和控制。逆变器是将直流电转换为交流电的装置，它也需要功率器件进行控制稳压器是一种能够稳定输出电压的电源，它也需要功率器件进行控制。　　2.电动机驱动　　功率器件在电动机驱动中的应用也非常广泛，如直流电机驱动、交流电机驱动等。直流电机驱动需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制，实现电机的正反转和调速。交流电机驱动需要使用三相桥式整流器、逆变器等功率器件进行控制，实现电机的正反转和调速。　　3.照明　　功率器件在照明中的应用也非常广泛，如LED驱动、氙气灯驱动等。LED驱动需要使用功率MOS管、功率MOSFET等功率器件进行控制，实现LED的亮度调节和闪烁控制。氙气灯驱动需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制，实现氙气灯的点亮和调光。　　4.通信　　功率器件在通信中的应用也非常广泛,如射频功率放大器、光电器件等。射频功率放大器是一种能够将低功率信号放大到高功率信号的装置，它需要使用功率晶体管、功率MOSFET等功率器件进行控制。光电器件是一种能够将光信 号转换为电信号的装置，它需要使用光电晶体管 、光电二极管等功率器件进行控制。　　5.医疗　　功率器件在医疗中的应用也非常广泛，如医用电源、医用电刀等。医用电源是一种能够提供稳定电压和电流的电源，它需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制。医用电刀是一种能够将高频电流转换为热能的装置，它需要使用功率晶体管、功率MOSFET等功率器件进行控制。　　6.工业自动化　　功率器件在工业自动化中的应用也非常广泛，如PLC、变频器等。PLC是一 种能够实现逻辑控制和运动控制的装置，它需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制。变频器是一种能够实现电机调速的装置，它需要使用功率晶体管、功率MOSFET等功率器件进行控制。　　7.电动汽车　　功率器件在电动汽车中广泛应用，例如电池充电器、电机驱动器、DC-DC转换器等。这些器件可以提高汽车性能，延长电池寿命，降低运行成本。　　8.交流调光　　在家庭照明设备中，交流调光技术可以控制灯光的亮度和颜色，提高居住舒适度。功率器件在这-应用场景中起到了关键作用。　　9.风电和太阳能发电　　风电和太阳能发电是可再生能源的代表，功率器件在其中的应用越来越广泛，例如功率器件可以实现太阳能电池板的最大功率点跟踪，提高电池板的发电...　　功率器件在各种电子设备中的应用非常广泛，它们能够实现电能的转换和控制，为各种电子设备的正常运行提供了重要的支持。
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发布时间：2023-09-04 10:13 阅读量：2109 继续阅读>>
可控硅:功率电子器件有哪些 <span style='color:red'>功率器件</span>包括哪些产品
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可控硅:功率电子器件有哪些 功率器件包括哪些产品

　　现代工业和电子设备中，可控硅作为一种重要的功率电子器件，扮演着不可替代的角色。作为可控硅厂家，我们深知可控硅的重要性，AMEYA360电子元器件采购网在本文中向您介绍可控硅的基本原理、应用领域。　　一、可控硅的基本原理　　可控硅，又称为晶闸管，是一种半导体器件，具有电流控制特性。它的基本构造包括一个P型半导体阳极、一个N型半导体阴极和一个PN结控制区。在正向偏置下，当控制极施加一个触发脉冲时，可控硅将导通电流，并保持导通状态，直到电流降为零或逆向电压超过其耐受能力。　　二、可控硅的应用领域　　1、交流电控制：可控硅广泛应用于交流电控制领域，例如交流调光、交流电压调节以及交流电流控制。其可靠性和快速开关速度使得可控硅成为家用电器、照明系统和工业设备中的理想选择。　　2、高功率电子：在高功率电子领域，可控硅在电力传输、电机驱动、电网稳定和能源转换方面发挥着重要作用。它们可以用于实现电力因素修正、电流逆变和谐波抑制等功率控制功能。　　3、变频驱动：可控硅被广泛用于变频驱动系统中，如交流电机控制、电力调速和变频空调。通过调节可控硅的触发角度和脉冲宽度，可以实现对电机速度和输出功率的精确控制。　　4、电能质量改善：可控硅器件在电能质量改善方面也发挥着重要作用。通过在电网中引入可控硅，可以有效抑制谐波、消除电压浪涌和实现电能因素修正，从而提高电网的稳定性和可靠性。
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发布时间：2023-07-06 13:12 阅读量：1554 继续阅读>>
<span style='color:red'>功率器件</span>的定义和分类
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功率器件的定义和分类

　　作为电子系统中的最基本单元，半导体功率器件在包括汽车电子、消费电子、网络通信、电子设备、航空航天、武器装备、仪器仪表、工业自动化、医疗电子等各行业都起着至关重要的作用。今天AMEYA360电子元器件采购网将给大家进行介绍！　　01功率半导体分立器件怎么定义　　功率半导体分立器件(Power Electronic Device)又称为电力电子器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等。　　功率半导体分立器件大致可分为功率半导体器件(Power Discrete，包括功率模块)和功率半导体集成电路(Power IC)两大类，其中，功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能上不能再细分的半导体器件。　　1957年美国通用电气公司(GE)研制出世界上第一只工业用普通晶闸管(Thyristor)，标志了半导体功率分立器件的诞生。半导体功率分立器件的发展经历了以晶闸管为核心的第一阶段、以MOSFET和IGBT为代表的第二阶段，现在正在进入以宽禁带半导体器件为核心的新发展阶段。　　02功率半导体分立器件怎么分类　　按照器件结构 ，分为二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管(BJT)、结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。　　按照功率处理能力，分为低压小功率半导体分立器件、中功率半导体分立器件、大功率半导体分立器件和高压特大功率半导体分立器件。　　按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质， (除功率二极管外)可分为电流驱动型与电压驱动型。　　电流驱动型：通过从控制端注入或抽出电流实现其关断的功率半导体分立器件。　　电压驱动型：通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号实现导通或关断的功率半导体器件。　　按照控制电路信号对器件的控制程度，可分为不可控型、半控型和全控型。　　不可控器件：不能通过控制信号来控制其通断的功率半导体分立器件，代表器件为功率二极管;　　半控器件：通过控制信号能够控制其导通而不能控制其关断的功率器件，代表器件为晶闸管及其大部分派生器件;　　全控器件：通过控制信号既能够控制其导通，又能够控制其关断的功率半导体分立器件，代表器件有绝缘栅双极晶体管、功率场效应晶体管、门极可关断晶闸管等;　　按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，可分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。　　单极型器件：有一种载流子(电子或空穴)参与导电的功率半导体分立器件;　　双极型器件：由电子和空穴两种载流子参与导电的功率半导体分立器件;　　复合型器件：由单极型器件和双极型器件集成混合而成的功率半导体分立器件;　　按照功率半导体器件衬底材料的不同，现有的功率半导体分立器件的材料可分为三代：　　第一代半导体材料主要是以锗(早期产品，现已不常见)和硅为代表。　　第二代半导体材料主要是以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料。　　第三代半导体材料主要是以即碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。半导体产业升级。
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发布时间：2023-05-15 10:03 阅读量：2073 继续阅读>>
如何在电机应用中区分使用<span style='color:red'>功率器件</span>
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如何在电机应用中区分使用功率器件

　　每种功率元器件都有其各自的特点，通常需要根据目标应用和所需特性和性能等来区分使用。本文AMEYA360将谈一下如何在电机应用中正确地区分使用IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET。　　在电机应用中区分使用功率器件　　下图与“IGBT的适用范围”一文中使用的图相同，图中根据不同功率器件的特点列出了不同工作频率和输出容量（VA）下的适用范围。对IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET的分立器件覆盖的面积进行比较后，可以汇总如下。当然，由于每种功率元器件都是多样化的，所以这里是基于通常的概括性特点进行汇总的。　　在IGBT与Si MOSFET的比较中，IGBT覆盖输出容量大的低频区域，Si MOSFET覆盖输出容量小的高频区域。　　在IGBT与SiC MOSFET的比较中，SiC MOSFET覆盖输出容量大的高频区域。　　Si MOSFET与SiC MOSFET覆盖的频率范围相同，但Si MOSFET覆盖低输出容量区域，而SiC MOSFET则覆盖高输出容量区域。　　更具体地列出了这些特点，并给出了在电机应用中区分使用它们时的要点。从正确区分使用的角度来看，不同条件下的损耗差异是非常重要的。损耗分导通损耗和开关损耗来考虑。下图中的IGBT、SiC MOSFET、Si MOSFET都是分立器件，“+SBD”和“+FRD”表示外置对应的分立二极管。　　在导通损耗方面，如果流过的电流约在5A以下的范围，Si MOSFET优于IGBT，但在5A以上时IGBT表现更出色。该电流区域未被SiC MOSFET覆盖，因此通常考虑采用IGBT或Si MOSFET。Si MOSFET在以小电流运行的系统中占优势，比如家用空调的室外机等在轻负载时正常稳定运行占比多的应用。这也与上述①中的IGBT和Si MOSFET的覆盖范围比较结果一致。　　关于开关损耗，随着PWM频率（开关频率）变快，在IGBT＋FRD（快速恢复二极管）和SiC MOSFET＋SBD（肖特基势垒二极管）之间的比较中，SiC MOSFET＋SBD更具优势，与上述②中的比较结果一致。这是由于受IGBT+FRD的特点——导通时的反向恢复电流和关断时的尾电流的影响。SiC MOSFET＋SBD因其不会流过尾电流而使开关损耗得以显著改善。　　但是，对于电机应用而言，普通的电机多在20kHz以下的较低频率下使用，加上SiC MOSFET在成本方面不占优势，所以目前SiC MOSFET多在特殊应用中使用。在当今的电机应用中，考虑到性能、损耗和成本之间的平衡，IGBT是主流。　　综上所述，我们探讨了每种功率器件的特点以及包括成本在内的考量，最终需要根据应用的需求选择合适的产品。在包括逆变器在内的电机驱动应用中，除了上述的“IGBT分立器件+FRD”示例外，被广泛使用的还有面向电机应用的FRD内置型IGBT分立器件和IGBT IPM（智能功率模块）。
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发布时间：2023-05-10 10:39 阅读量：1400 继续阅读>>
瑞萨电子推出一款全新汽车级智能<span style='color:red'>功率器件</span>
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瑞萨电子推出一款全新汽车级智能功率器件

　　瑞萨电子宣布，推出一款全新汽车级智能功率器件（IPD），该器件可安全、灵活地控制车辆内的配电，满足新一代E/E（电气/电子）架构的要求。新型RAJ2810024H12HPD采用小型TO-252-7封装，与传统的TO-263封装产品相比，安装面积减少约40%。此外，新器件的先进电流检测功能可实现对过流等异常电流的高精度检测。由于全新IPD即使在低负载时也能检测异常电流，因而允许工程师设计高度安全和精确的电源控制系统，甚至可以检测到最细微的异常情况。　　瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“推出采用瑞萨全新功率MOSFET工艺的新一代汽车IPD，我们感到非常兴奋。瑞萨将继续致力于IPD的开发，提升电源系统的安全性和可靠性，并与我们的微控制器一起构建系统级解决方案，推动用户的系统开发。”　　随着E/E架构不断发展，全新IPD的推出满足了日益增长的市场需求。在传统的分布式E/E架构中，来自电池的电能通过机械继电器和熔断器组成的电箱，经由长而粗的线束分配给各个电子控制单元（ECU）。与机械继电器相比，IPD的寿命更长且免于维护，因而可放置在车辆的任何位置。随着汽车行业向集中式或分区式E/E架构演进，IPD由于采用更短、更细的线束，正成为构建高效、灵活电源网络的理想选择。因此，瑞萨的IPD器件特别为配电控制打造了一款更有效、更安全、更小巧的解决方案。　　全新IPD（RAJ2810024H12HPD）的关键特性　　单通道高端IPD　　小型TO-252-7封装（6.10mm x 6.50mm：不包括引脚）　　25°C时低导通电阻（Ron）为2.3mΩ（典型值）　　在低负载情况下实现高精度电流检测　　内置电荷泵　　负载电流感测的自诊断反馈　　负载短路、过热检测、感测电流输出，和GND开路保护等保护功能　　支持3.3V/5V逻辑接口　　低待机电流　　具有自启动功能的电池反接保护　　符合AEC-Q100和RoHS汽车标准
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发布时间：2023-01-30 11:58 阅读量：1842 继续阅读>>
瑞萨电子:全新汽车级智能<span style='color:red'>功率器件</span>，新一代E/E架构中实现安全灵活配电
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瑞萨电子:全新汽车级智能功率器件，新一代E/E架构中实现安全灵活配电

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，推出一款全新汽车级智能功率器件（IPD），该器件可安全、灵活地控制车辆内的配电，满足新一代E/E（电气/电子）架构的要求。　　新型RAJ2810024H12HPD采用小型TO-252-7封装，与传统的TO-263封装产品相比，安装面积减少约40%。此外，新器件的先进电流检测功能可实现对过流等异常电流的高精度检测。由于全新IPD即使在低负载时也能检测异常电流，因而允许工程师设计高度安全和精确的电源控制系统，甚至可以检测到最细微的异常情况。　　瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“推出采用瑞萨全新功率MOSFET工艺的新一代汽车IPD，我们感到非常兴奋。瑞萨将继续致力于IPD的开发，提升电源系统的安全性和可靠性，并与我们的微控制器一起构建系统级解决方案，推动用户的系统开发。”　　随着E/E架构不断发展，全新IPD的推出满足了日益增长的市场需求。在传统的分布式E/E架构中，来自电池的电能通过机械继电器和熔断器组成的电箱，经由长而粗的线束分配给各个电子控制单元（ECU）。与机械继电器相比，IPD的寿命更长且免于维护，因而可放置在车辆的任何位置。随着汽车行业向集中式或分区式E/E架构演进，IPD由于采用更短、更细的线束，正成为构建高效、灵活电源网络的理想选择。因此，瑞萨的IPD器件特别为配电控制打造了一款更有效、更安全、更小巧的解决方案。　　全新IPD（RAJ2810024H12HPD）的关键特性　　单通道高端IPD　　小型TO-252-7封装（6.10mm×6.50mm：不包括引脚）　　25°C时低导通电阻（Ron）为2.3mΩ（典型值）　　在低负载情况下实现高精度电流检测　　内置电荷泵　　负载电流感测的自诊断反馈　　负载短路、过热检测、感测电流输出，和GND开路保护等保护功能　　支持3.3V/5V逻辑接口　　低待机电流　　具有自启动功能的电池反接保护　　符合AEC-Q100和RoHS汽车标准
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发布时间：2023-01-20 10:09 阅读量：2149 继续阅读>>
意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴<span style='color:red'>功率器件</span>封装ACEPACK SMIT
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意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT

　　意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK™ SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比，意法半导体先进的ACEPACK™ SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。　　工程师有五款产品可选：两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、一个 600V超快二极管整流桥、一个 1200V 半桥全波整流模块和一个1200V晶闸管半桥整流模块。所有器件均符合汽车行业要求，适用于电动汽车车载充电机(OBC) 和 DC/DC变换器,以及工业电源变换。　　意法半导体的 ACEPACK SMIT贴装封装，顶部绝缘散热，使用直接键合铜 (DBC)贴片技术，实现高效的封装顶部冷却。在ACEPACK SMIT 封装顶面有4.6 cm 裸露金属表面，可以轻松地贴装平面散热器，从而节省空间，实现扁平化设计，最大限度地提高散热效率，在高功率下实现更高的可靠性。可以使用自动化生产线设备安装模块和散热器，从而节省人工生产流程并提高生产率。　　此封装极大的提高了功率密度，顶面绝缘散热面的面积是32.7mm x 22.5mm，引脚间的爬电距离达到6.6mm，能耐受绝缘电压为 4500Vrms，且封装的寄生电感电容也极低。　　采用ACEPACK SMIT封装的650V-MDmesh DM6 MOSFET半桥模块SH68N65DM6AG和 SH32N65DM6AG现已上市，符合 AQG-324 标准。SH68N65DM6AG和SH32N65DM6AG 的最大导通电阻 Rds(on) 分别为41mΩ和97mΩ。两款器件适用于电动汽车车载充电机和直流DC/DC 转换器，表贴在水道散热器上，极大的提高了热耗散功率，提升整机效率。多用途灵活性有助于设备厂商简化库存管理和采购选型。　　STTH60RQ06-M2Y是一个600V、60A 全波整流桥车规模块，由软恢复超快二极管组成，可提供PPAP文档。　　STTD6050H-12M2Y是一个1200V、60A 单相半桥AC/DC整流模块，符合AEC-Q101标准，抗噪能力优异，dV/dt 达到1000V/μs。　　STTN6050H-12M1Y是一款1200V、60A的SCR半桥整流模块，由两个内部连接的晶闸管(可控硅整流器 – SCR)组成，符合 AEC-Q101 标准，目标应用包括电动汽车的车载充电机和充电桩，以及工业应用，如电机驱动机构和电源的 AC/DC 转换器、单相和三相可控整流桥、图腾柱功率因数校正、固态继电器。
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发布时间：2023-01-17 10:16 阅读量：2049 继续阅读>>
ROHM采用自有的电路和器件技术“TDACC™” 开发出有助于安全工作和减少功率损耗的小型智能<span style='color:red'>功率器件</span>
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ROHM采用自有的电路和器件技术“TDACC™” 开发出有助于安全工作和减少功率损耗的小型智能功率器件

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向引擎控制单元和变速箱控制单元等车载电子系统、PLC（Programable Logic Controller）等工业设备，开发出40V耐压单通道和双通道输出的智能低边开关*1（Intelligent Power Device，以下简称IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款产品。　　近年来，在汽车和工业设备领域，围绕自动驾驶（自动化）的技术创新日新月异，对安全性的要求也越来越高。在进行设备开发时，必须考虑到如何在紧急情况下确保功能安全*2。传统上，通常采用机械继电器或MOSFET来执行电子电路的ON/OFF控制，但它们在系统故障时不具备相应的保护功能。      从功能安全的角度来看，IPD具有保护功能，而且在寿命和可靠性方面也表现非常出色，因而得以日益普及，其市场规模正在不断扩大。针对市场对提升可靠性的需求，ROHM早在2014年就开始构建IPD专用工艺。此次通过进一步提高专用工艺的电流承载能力，并结合ROHM的模拟设计技术优势，打造了更广泛的产品阵容。　　IPD不仅可以进行电子电路的ON/OFF控制，还内置有保护功能，可保护电路免受电气故障（异常时的过电流）的影响，有助于构建安全且可靠性高的系统。新产品配置在电机和照明等被控设备的下侧（接地侧）电路中，从电路结构方面看，具有可轻松替代机械继电器和MOSFET、易于设计的优点。　　IPD内部的功率MOSFET部分在关断时会因反电动势*3而发热，新产品采用ROHM自有的电路和器件技术“TDACC”*4，通过优化控制流过电流的通道数量，在保持小型封装的前提下抑制了发热量并实现了低导通电阻*5，这些特性在小型IPD中是很难同时兼顾的。这将非常有助于各种设备的安全运行和减少功率损耗。       采用TDACC技术可以进一步缩小封装，从而成功地实现了业界尚不多见的SOP-J8封装双通道输出40mΩ（导通电阻）的产品。单通道和双通道产品均有40、80、160、250mΩ多种导通电阻值可选，能够满足客户多样化的需求。另外，新产品的接触放电耐受能力（表示对过电流浪涌的耐受能力）也高于普通产品，这将有助于各种设备的安全工作。　　未来，ROHM计划将采用TDACC技术的IPD专用工艺进一步微细化，开发更低导通电阻、更小型、更多功能、更多通道的系列IPD产品，通过丰富的产品阵容为汽车和工业设备应用的安全、安心和节能贡献力量。　　应用示例　　◇ BCM（Body Control Module）、外饰灯和内饰灯、引擎、变速箱等车载电子设备　　◇ PLC（Programable Logic Controller）等工业设备　　以及其他各种应用。　　术语解说　　*1) 智能高低边开关（IPD）　　不仅可控制电子电路的ON/OFF，还可以保护电路免受电气故障（异常时的过电流）影响的器件。与传统的机械继电器不同，这种器件没有机械触点，因此在寿命、可靠性和静音方面都表现出色。另外，MOSFET作为普通的半导体开关器件，可能会因过电流而损坏，而IPD则内置保护功能，可以用来构建更安全和更高可靠性的系统。　　*2) 功能安全　　功能安全是“通过监控设备和防护设备等附加功能来降低风险的措施”，是安全措施（出于确保安全的考虑）的一种。汽车领域的功能安全是指由于电子系统故障等导致功能障碍的情况下，把危险降低到不对人体产生危害的程度而进行的安全保护。　　*3) 反电动势　　电机和线圈等感性负载具有试图保持电流持续流动的性质，也就是在IPD关断时试图让电流继续流动而产生的能量。　　*4) TDACC　　ROHM自有的电路和器件技术。IPD内部的功率MOSFET部分在关断时会因反电动势而发热，通过优化控制流过电流的通道数量，实现了在保持小型封装的前提下很难同时兼顾的低发热量和低导通电阻。　　“TDACC”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　*5) 导通电阻　　MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越低，导通时的损耗（功率损耗）越少。
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发布时间：2022-12-21 19:12 阅读量：1817 继续阅读>>

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