<span style='color:red'>ROHM</span>推出广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器IC！
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ROHM推出广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器IC！

　　2025年11月13日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出可广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器 IC“BD60210FV” ( 20V 耐压，2 通道) 和 “BD64950EFJ”(40V耐压，1通道)，新产品适用于包括冰箱、空调等白色家电在内的消费电子以及工业设备领域。　　近年来，从白色家电等消费电子到工业设备领域，控制机构的电动化进程加速，对更加节能的直流有刷电机的需求日益增长。另一方面，要求电机驱动器实现设计标准化、减少外置元器件数量、可靠性高、体积小巧。如何兼顾成本和设计效率已成为重要市场需求。ROHM针对这些需求，推出兼顾通用性、空间节省程度及设计便捷性的两款产品“BD60210FV”和“BD64950EFJ”，助力提升应用产品的设计效率与性能。　　两款产品均采用通用性好的封装形式，不仅易于引入新设计中，还可显著提升电路变更、衍生型号开发以及设计标准化的效率。另外，新产品还实现低待机电流(Typ：0.0μA，Max：1.0μA)，可大幅提升应用产品待机时的节能性能。　　“BD60210FV”是一款可驱动2个直流有刷电机或1个步进电机的双路(2ch)H桥*1直接PWM控制*2型电机驱动器。通过采用无需升压的H桥电路结构，更大程度地减少了外置元器件数量，从而有助于进一步节省空间和简化设计。　　而“BD64950EFJ”则采用单路(1ch)H桥电路，同时支持直接PWM控制和恒流PWM控制*3两种控制方式。另外，采用低导通电阻设计，可有效抑制发热，实现高效率电机驱动。该产品耐压40V，适用于需要高电压(24V)驱动的有刷直流电机。　　新产品已经开始量产(样品价格300日元/个，不含税)，并已开始通过电商进行销售，均可购买( BD60210FV 、 BD64950EFJ )。另外， ROHM 还提供可助力应用产品开发和设计的评估板(BD60210FV-EVK-001、BD64950EFJ-EVK-001)。　　未来，ROHM将继续扩充消费电子和工业设备领域的电机驱动解决方案，为社会舒适性的提升和节能贡献力量。　　<应用示例>　　・消费电子设备　　冰箱(制冰机旋转和风门控制)、空调(百叶窗控制)、打印机(导轨移动)　　扫地机器人(刷头旋转)、热水器和电饭煲(阀门控制)、加湿器(驱动风扇控制)　　・工业设备　　自动门和卷帘门(动作控制)、小型传送带(传送控制)、电动工具(旋转控制)其他各种小型电机控制　　<术语解说>　　*1) H桥　　一种用来控制电机旋转方向的电子电路。在绘制电路图时，因4个开关(晶体管或MOSFET)呈H形排列而被称为“H桥”。　　*2) 直接PWM控制　　直接将PWM(脉宽调制)信号传输至H桥等电路，以此直接控制电机转速的方式。通过PWM占空比调节供给电机的电压。电路结构相对简单，响应速度较快。　　*3) 恒流PWM控制　　为保持电机电流恒定而采用PWM控制方式。这种控制方式能使电机在低速时仍能保持转矩，适用于需要精密控制的设备等应用。
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发布时间：2025-11-13 16:10 阅读量：368 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET
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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

　　2025年11月11日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1 范围的100V 耐压功率MOSFET“RS7P200BM” 。该款产品采用5060 尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。　　RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。 　　新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻(RDS(on))*3 4.0mΩ(条件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。本产品已经开始通过电商进行销售，可咨询AMEYA360客服。　　未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。　　开发背景　　随着AI技术的飞速发展和普及，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中，能够应对浪涌电流*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外，在数据中心和AI服务器领域，为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。　　ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品，进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来，ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。　　应用示例　　48V系统AI服务器和数据中心电源的热插拔电路　　48V系统工业设备电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　AGV(自动引导车)等电池驱动的工业设备　　UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　关于EcoMOS™品牌　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　术语解说　　*1) SOA(Safe Operating Area)　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3) 导通电阻(RDS(on))　　MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*4)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
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发布时间：2025-11-11 17:42 阅读量：463 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>：AI将耗尽全球电力？解决AI数据中心电力难题的功率半导体
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ROHM：AI将耗尽全球电力？解决AI数据中心电力难题的功率半导体

　　AI的惊人发展为社会带来巨大变革，同时也凸显出一个严峻课题——支撑其运转的数据中心，电力消耗量正急剧攀升。　　为解决这一电力难题、助力日本引领AI时代，日本经济产业省正大力推进名为“瓦特·比特构想”的国家战略，旨在实现超节能型数据中心并在全国进行优化布局。　　通过“瓦特·比特协同官民座谈会”等平台，日本经济产业省正联合电力、通信、数据中心、半导体等各行业力量，全力推动这一构想的实现。　　目录　　1. AI是否将耗尽全球电力?　　2. 可再生能源在数据中心领域的应用　　3. 服务器机柜会持续增加吗?　　4. 当前的电源系统还能满足需求吗?　　5. 满足下一代AI数据中心要求的功率半导体是什么样的?　　6. 总结　　产品介绍、详细信息、其他链接等　　1. AI是否将耗尽全球电力?　　以ChatGPT为代表的生成式AI迅速普及，直接导致数据中心的电力消耗激增。复杂的AI模型在训练与推理过程中需要庞大的计算资源，而这些资源由24小时不间断运转的数据中心高性能服务器提供支撑。　　电力消耗的急剧增加不仅加重了地区环境的负荷，从稳定供电的角度来看也引发了担忧。展望AI的进一步发展，传统的电力供应体系正逐渐显现出局限性。　　在这种背景下，亟待解决的课题可归纳为三点：“节能化”“可再生能源的利用”“数据中心的区域分散布局”。要实现可持续社会，必须摆脱对化石燃料发电的依赖，将太阳能、风能等可再生能源发电视为电力供应的必要方式。　　2. 可再生能源在数据中心领域的应用　　如今，作为社会重要基础设施的数据中心正迎来重大转型期。　　此前，受低延迟通信需求驱动，“城市型数据中心”多集中建设于东京等大都市圈，为金融、医疗健康、边缘计算等对高速且低延迟的数据访问有要求的服务提供支撑。但随着AI普及带来的用电量增加，以及从大规模灾害时的业务连续性(BCP)角度考量，近年来数据中心向郊区分散的趋势加速。　　“郊外型数据中心”易于确保广阔土地，适合引入太阳能、风能等可再生能源。此外，在电网容量充裕的地区可期待稳定供电;在气候凉爽、水源丰富的地区，冷却效率也会提升，进而降低运营成本。因此，郊外型数据中心在云托管、备份、灾害恢复系统、大规模存储等领域的应用不断推进。　　3. 服务器机柜会持续增加吗?　　无论是难以确保场地的“城市型”数据中心，还是易于获取广阔土地的“郊外型”数据中心，其服务器安置空间都存在局限。　　因此，当前用于存放服务器的机柜，正朝着能高效容纳更多高性能服务器的“高密度AI服务器机柜”方向演进。　　相较于数据中心整体服务器机柜总数的大幅增长，未来更可能呈现“高密度化”趋势：通过增加单个机柜中搭载的CPU、GPU及其他功能板卡，在有限空间内大幅提升单机柜计算能力，从而释放最大性能。　　形象地说，即便外观相同的服务器机柜，其内部的容纳能力也可能提升数倍。　　这种高性能化、高密度化对电力供应机制提出了重大变革需求。传统的多级电力转换存在较大功率损耗，已难以实现高效供电。因此，未来将推进减少电力转换步骤、推进高压直流(HVDC)等技术革新，而SiC和GaN功率半导体的有效利用也将变得不可或缺。以ROHM为代表的各企业，正致力于相关技术研发，为这一电源系统的重大变革提供支持，助力数据中心实现整体节能与高性能化。　　4. 当前的电源系统还能满足需求吗?　　高性能AI服务器(尤其是GPU)的功耗急剧增加，正迫使现有数据中心的电源架构(供电设计)进行根本性重构。原因在于，当前的多级电力转换存在较大转换损耗，已难以实现高效供电。　　当前数据中心的供电流程为：高压交流电(AC)输入后，通过多台变压器和整流器逐步降压，最终转换为服务器所需的低压直流电(DC)。但是，这种多级转换会在每个步骤产生功率损耗，导致效率下降。　　为此，数据中心未来将以电力转换效率提升和可靠性提升为目标，推进以下变革：　　· 减少电力转换步骤　　目前已出现整合多个转换步骤的趋势，例如从高压交流电(AC)直接转换为直流电(DC)，或从高压直流电一次性降压至服务器所需电压。通过大幅减少电力转换步骤，可将转换损耗降至最低水平，提升系统整体效率并降低故障风险。　　· 支持高压输入/高压直流(HVDC)电源　　服务器机柜的输入电压正从传统的12VDC、48VDC等低电压向400VDC甚至800VDC(或±400VDC)等高电压过渡。提高电压可降低电力传输时的电流，从而实现母线轻量化。　　另外，不采用交流电，而是以高压直流电直接为服务器机柜供电的“HVDC”系统正逐步推广。HVDC可减少AC/DC转换器的数量，实现更灵活的电力调控与双向输电，并更容易适用可再生能源。　　· 固态变压器(SST，Solid State Transformer)的发展　　变压器设备有望从传统变压器向采用半导体技术的SST(Solid State Transformer)演进。与传统设备相比，SST被认为是一种能够显著推动小型化的技术方案。　　· SiC/GaN功率半导体需求增长　　要实现高效高压电源系统，就需要传统硅(Si)半导体难以企及的性能。因此，SiC和GaN功率半导体成为必然选择。它们在高压输入条件下仍能实现低损耗、高频运行和高温工作，非常有助于电源系统的小型化与效率提升。　　此外，不仅电源系统，服务器机柜内的各类设备也在向多功能化、高性能化发展，这将有助于进一步提升能效。　　ROHM也在加速面向下一代服务器的解决方案研发，除了利用“EcoSiC™系列”“EcoGaN™系列”“EcoMOS™系列”等技术的现有产品(如SiC/GaN/Si IGBT、隔离型栅极驱动器、冷却风扇驱动器、SSD用PMIC、HDD用复合电机驱动器)外，还计划开发大电流LV MOS、隔离型DC-DC、SoC/GPU用DC-DC、eFuse等产品。　　*EcoSiC™、EcoGaN™、EcoMOS™均为ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　为应对市场变革，ROHM在深度优化现有产品群性能的同时，正积极推进以SiC和GaN为核心的功率半导体创新产品研发，以灵活响应新的市场需求。通过这些举措，ROHM将为从数据中心末端的服务器机柜到整个系统，提供高耐压、高效率的元器件，为下一代电源系统提供支撑。　　5. 满足下一代 AI 数据中心要求的功率半导体是什么样的?　　·高压大电流场景适用SiC器件　　SiC器件在需要高电压大电流的领域具备显著优势。　　如前所述，随着服务器机柜输入电压向高压演进，传统54V机柜电源系统除面临物理空间限制外，还存在用铜量过高、功率转换损耗等问题。　　为此，在下一代数据中心电源系统中采用ROHM的SiC MOSFET，可使其在高电压、高功率条件下发挥出优异性能，通过降低开关损耗及导通损耗实现效率提升，并实现满足紧凑、高密度系统要求的高可靠性。　　这不仅能将能耗降到更低，还有助于削减用铜量，简化数据中心整体的功率转换过程。　　·高效化、小型化场景适用GaN器件　　SiC适用于高电压大电流场景，而GaN则在100V~650V范围内性能优势显著，可实现优异的介电击穿强度、低导通电阻和超高速开关特性。　　AI服务器比通用服务器处理的数据量更大，需运行高性能GPU、大容量存储器及高性能软件。因此耗电量更多，散热与冷却也更为重要。　　在电源模块中使用可实现高速开关(高频运行)的GaN HEMT，能够最大限度降低功率损耗。功率转换效率的大幅提升有望带来节能效果，从而降低运营成本并减轻环境负荷。　　此外，具有高电流密度的GaN器件与传统硅器件相比，体积可减小约30%~50%，便于为电源模块、充电器等设备预留空间，同时简化散热设计。　　而且，通过单元小型化，可利用节省出的空间，减轻冷却系统负担，进而有助于减小系统整体的体积并提高其可靠性。加之GaN器件耐久性高且适用于高频应用，因此被视为数据中心的理想选择。　　ROHM通过采用能进一步提升GaN器件开关性能的自有Nano Pulse Control™技术，成功将脉冲宽度缩短至最小2ns。作为EcoGaN™系列，除150V和650V的GaN HEMT、栅极驱动器外，还包括整合了上述器件的Power Stage IC等产品，为满足AI数据中心对小型、高效电源系统的需求，ROHM正在不断扩充相关产品阵容。　　*Nano Pulse Control™为ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　6. 总结　　AI的进化从未停止，随之而来的电力需求增长已成为不可回避的现实。　　据IEA(国际能源署)预测，未来五年全球数据中心的电力需求较当前增长一倍以上，达到约9,450亿kWh，其中半数将由太阳能、风能等可再生能源提供。这明确表明，在耗电量巨大的数据中心领域，光伏发电(PV)、储能系统(ESS)等可再生能源市场正在快速崛起。　　为应对这一课题，日本政府正以国家战略“瓦特·比特构想”为框架，通过官民协同机制推进多维度解决方案，包括提升电力系统效率、最大化利用可再生能源、优化数据中心布局等。　　ROHM以SiC、GaN器件等先进功率半导体技术为核心，拥有可实现高效电源系统及适配高压输入的丰富产品群。同时，为满足下一代AI数据中心的需求，正积极投入新产品研发。我们将通过这些技术，为以更环保、可持续的方式实现AI带来的美好未来贡献力量。　　关于个别产品的咨询，ROHM还设有可直接向ROHM提问的讨论页面，以及可查阅相关信息的FAQ页面。欢迎大家充分利用这些资源。　　*Engineer Social Hub™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　产品介绍、详细信息、其他链接等　　・关于ROHM的SiC功率器件　　GaN功率器件 | 分立半导体 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・关于ROHM的SiC MOSFET　　SiC MOSFET - 产品搜索结果 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・关于ROHM的GaN功率器件　　GaN功率器件|分立半导体| ROHM Co., Ltd.-ROHM Semiconductor　　关于ROHM的GaN HEMT Power Stage IC　　GaN HEMT Power Stage IC - 产品搜索结果 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・关于ROHM的IGBT　　IGBT | 分立半导体 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・与NVIDIA之间的合作　　罗姆为英伟达800VHVDC架构提供高性能电源解决方案 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・关于适用于AI服务器的MOSFET“RY7P250BM”　　ROHM开发出适用于AI服务器的功率MOSFET~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻~ | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　关于SiC模块“HSDIP20”　　ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化! | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor
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发布时间：2025-11-05 14:18 阅读量：367 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开发出搭载VCSEL的高速高精度接近传感器“RPR-0730”
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ROHM开发出搭载VCSEL的高速高精度接近传感器“RPR-0730”

　　2025年11月4日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出一款可检测高速移动物体的小型高精度接近传感器“RPR-0730”，该产品广泛适用于包括标签打印机和输送装置在内的消费电子及工业设备应用。　　随着工业设备和办公设备向更高性能、更多功能及自动化方向发展，对感测技术的精度提升提出了更高要求，特别是标签打印机、样本传送装置和复印机等应用，除了通过优化生产工艺等提升速度外，还需要具备能够更精准识别目标物的技术，因此引入高速且高精度的接近传感器变得至关重要。为应对这些需求，ROHM推出采用VCSEL作为发光元件、采用光电晶体管作为受光元件的模拟量接近传感器“RPR-0730”。该产品能够高速且高精度地感测传统LED光源难以识别的微细目标物。　　“RPR-0730”是一款反射式小型接近传感器(反射式光电传感器*1)。通过采用比LED指向性更优异的红外VCSEL*2作为发光元件，实现了对更微细目标物的检测。另外，通过采用具有模拟输出功能的光电晶体管*3作为受光元件，实现10微秒(µs)的高速响应性能。这两大优势相结合，能够高速且精确地识别出传统LED光源难以检测到的0.1mm宽的微细线体。作为以往数字输出型产品“RPR-0720”系列的新成员，本产品的应用范围更广泛，其中包括复印机和标签打印机的打印检测、电机和齿轮的旋转检测等需要更高速感测的应用。　　新产品的封装尺寸非常小，仅为2.0mm×1.0mm×0.55mm，并采用可见光截止滤光树脂，可有效抑制照明和太阳光等干扰光的影响。因此，即便在工厂、户外等光环境易变的场所，也能实现稳定的检测。另外，本产品还可轻松安装在需要在狭小空间内安装的设备(比如输送装置内部和精密仪器)中，因此其应用范围更广泛。　　新产品已于2025年10月开始量产(样品价格350日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可联系AMEYA360咨询。　　未来，ROHM将利用发光和受光元件的开发技术优势，继续开发满足客户需求的感测产品，助力各种设备提高便利性并实现小型化。　　<产品阵容>*1: Due to the resistor value in the later stage *2: Detection distance d=3mm　　<应用示例>　　・标签打印机、复印机、碎纸机的打印检测和送纸/卡纸检测等　　・输送设备、自动检测装置的行李/样本等物体检测、工件位置检测等　　・工业设备用机器人的电机和齿轮的旋转检测等　　<术语解说>　　*1) 反射式光电传感器　　一种发光元件和受光元件相结合的光传感器。通过向目标物照射光线并检测其反射光强度，可以判断物体的存在与否或测量距离。　　*2) VCSEL　　Vertical Cavity Surface Emitting LASER(垂直腔面发射激光器)的缩写。激光光源的一种，是可以从表面直接发射光的半导体激光器。与LED相比，其指向性更好，适合高精度感测应用。最初主要用于光通信领域，近年来也越来越多地被用作接近传感器和测距传感器的发光光源。　　*3) 光电晶体管　　将光信号转换为电信号的晶体管型光电转换器件。集光电二极管与晶体管于一体，通过光来控制基极电流，并输出被放大的集电极电流。
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发布时间：2025-11-04 16:31 阅读量：430 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC
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ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC

　　2025年10月23日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出适用于中等耐压系统( 12V ～ 48V 系统) 的采用“TriC3™” 技术的三相无刷直流电机驱动器 IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑，该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性，而这两项之间存在此消彼长的关系，通常很难同时兼顾。　　电机的耗电量约占全球耗电量的60%，从能源效率的角度来看，进一步提升其控制技术越来越重要。尤其是在12V～48V电压等级的应用产品中，电机驱动的主流方案通常采用通过MCU控制3个栅极驱动器的简单架构。然而近年来，对高效率控制且精密控制的需求日益高涨，MCU与一体化三相电机驱动器相结合的解决方案正在加速普及。另一方面，三相电机驱动器还存在技术课题—“抑制功耗”与“降低噪声”之间存在着此消彼长的权衡关系，长期以来被认为两者很难同时兼顾。针对这些课题，ROHM充分利用其在电机驱动器等各种栅极驱动器IC开发过程中积累的先进电路控制技术，成功开发出可同时抑制“功耗”和 “噪声”的新技术“TriC3™”。　　新产品采用ROHM自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃*2的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与ROHM以往的恒流驱动产品相比，新产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，新产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形(UQFN28)和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。此外，ROHM还提供可助力应用产品开发和设计的评估板(BD67871MWV-EVK-003)。本产品也已开通电商销售路径，可通过AMEYA360购买。　　另外， ROHM 还推出了与新产品采用相同封装和引脚配置的恒压驱动通用电机驱动器(BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z)。从通用型到此次采用TriC3™技术的高附加值型产品，ROHM可 提供满足客户多样化需求的丰富产品群，未来ROHM将继续致力于提升电机效率、助力应用产品增强功能、提升性能并降低能耗。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：电动钻头、电动螺丝刀、工业风扇等设备所用的各种电机　　・消费电子：吸尘器、空气净化器、空调、换气扇等设备所用的各种电机、电助力自行车　　<TriC3™>　　ROHM开发的适时细分恒流控制驱动技术。通过三段式精确设定控制栅极电流，实现高速且高效运行，同时抑制振铃现象，有助于降低噪声并实现稳定工作。　　“TriC3™”是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1) EMI(Electromagnetic Interference：电磁干扰)　　EMI是用来衡量对象产品的运行产生多少噪声、是否给外围IC和系统带来问题的指标。“低EMI特性”意味着产生的噪声很少。　　*2) 振铃　　开关时产生的高频振荡和过冲现象。这是由MOSFET在开、关动作时，电路中的寄生电感和寄生电容发生的谐振所导致的现象。
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发布时间：2025-10-23 14:15 阅读量：405 继续阅读>>
体积更小且支持大功率！<span style='color:red'>ROHM</span>开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：481 继续阅读>>
实现业界超高额定功率！<span style='color:red'>ROHM</span>开发出金属烧结分流电阻器UCR10C系列
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实现业界超高额定功率！ROHM开发出金属烧结分流电阻器UCR10C系列

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布成功开发出在2012尺寸分流电阻器(10mΩ～100mΩ)领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。　　在电流检测领域，无论是车载市场还是工业设备市场，都要求分流电阻器能够应对更大功率。另外，车载市场对高接合可靠性的需求、工业设备市场对更高精度的需求也逐年高涨。ROHM为满足这些多样化的需求，一直在大力开发适配度高的分流电阻器，为客户提供电流检测方面的出色解决方案。　　新产品是利用烧结工艺在氧化铝基板上形成铜基电阻体制作而成的。通过优化散热结构，与包括厚膜型*1和金属板型*2产品在内的同等尺寸产品相比，其额定功率高1倍，达到1.0W和1.25W。这不仅能满足客户替换长边电极结构*3产品和更大尺寸产品的需求，还可实现设备小型化并减少元器件数量。　　而且，通过采用金属电阻体，还实现了低TCR*4(0 to +60ppm / ℃)特性。由于能够抑制温度变化导致的误差，因此可实现高精度的电流检测。　　此外，在温度循环可靠性方面，新产品也实现了与金属板型同等的耐久性(-55℃ /+155℃ 1000次循环)。因此，即使在车载等温度变化剧烈的应用场景中，也能确保高接合可靠性，可长期稳定使用。另外，新产品还完全无铅，在RoHS不要求的部位也不含铅材料，可减轻环境负荷。　　新产品已于2025年9月份开始提供样品。如需样品或了解相关事宜，欢迎联系AMEYA咨询。　　ROHM也已开始着手开发3216尺寸(2W)金属烧结分流电阻器“UCR18C系列”，不断扩充大功率、高精度、高可靠性兼具的产品阵容。　　<应用示例>　　车载、工业设备、消费电子等各种电流检测用途　　<术语解说>　　*1) 厚膜型　　采用金属玻璃材料作为电阻体的贴片电阻器。除成本优势外，因其电阻体覆膜较厚，在应对脉冲和浪涌方面具有出色的耐受性。　　*2) 金属板型　　采用金属板作为电阻体的贴片电阻器。其散热性能出色，因低TCR特性而可实现高精度，在性能方面更具优势。　　*3) 长边电极结构　　沿贴片电阻器本体的长边配置电极的结构。相较于沿短边配置电极的一般结构，这种结构的散热效率更好，可支持大功率应用。　　*4) TCR(Temperature Coefficient of Resistance：电阻温度系数)　　表示电阻器的阻值随温度变化而变化多少的指标。数值越低，相对环境温度变化的电阻值变化越小，性能越稳定。　　UCR10C的TCR因阻值而异。另外，所提供的TCR为10mΩ产品在+25/+155℃范围内的保证值。
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发布时间：2025-10-15 13:11 阅读量：678 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管
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ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管

　　中国上海，2025年10月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出一款创新型保护用肖特基势垒二极管“RBE01VYM6AFH”，该产品在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡，可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用，提供高可靠性的保护解决方案。　　近年来，随着ADAS摄像头等应用的精度提升，其搭载的图像传感器的像素也越来越高。这使得产品无法对电源关断时图像传感器感光产生的光生电压进行充分控制，从而存在对应用产品造成损坏的风险，而采用具有低VF特性的肖特基势垒二极管进行保护被认为是行之有效的方案。另一方面，为了防止运行时的热失控，还需要具备低IR特性。但由于VF与IR之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾二者一直是个难题。在这种背景下，ROHM通过从根本上重新改进器件结构，成功开发出兼具低VF和低IR特性的肖特基势垒二极管，使其能够胜任保护工作。　　“RBE01VYM6AFH”是一款突破常规思维的产品，它创新性地将通常用于整流用途的肖特基势垒二极管的低VF特性用在了保护用途中。通过采用基于ROHM自有技术的创新型器件结构，同时实现了通常难以兼顾的低VF和低IR特性。凭借这些优异的特性，新产品即使在严苛的环境条件(VF：Ta=- 40℃、IR：Ta=125℃)下，仍同时满足市场VF<300mV(IF=7.5mA)和IR<20mA(VR=3V)的特性要求。因此，新产品不仅能够防止应用产品停止运行时的高光生电压*1导致的电路损坏，还能大大降低运行过程中出现热失控和误动作的风险。　　新产品的封装采用小型扁平引脚SOD-323HE(2.5mm × 1.4mm)封装形式，兼具出色的可安装性和节省空间优势。在需要在狭小空间中安装的车载摄像头、工业设备、安防设备等众多应用中，均可灵活使用。　　另外，新产品还符合车载电子元器件可靠性标准(AEC-Q101)，在要求高可靠性和长期稳定运行的下一代电子设备设计中，可作为理想的保护器件运用。　　新产品已经在稳定的供应体系下开始量产供应(样品价格：130日元/个，不含税)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360可购买。　　未来，ROHM将通过不断扩充小型封装的产品阵容，进一步满足应用产品日益增长的小型化需求。　　<产品主要特性>　　<应用示例>　　・ADAS摄像头、智能对讲系统、安防摄像头、家庭物联网设备等配备图像传感器的应用　　<电商销售信息>　　网售平台：Ameya360　　・产品型号：RBE01VYM6AFHTR　　<术语解说>　　*1) 光生电压　　光传感器等领域的常用术语，指因光照产生的电压。通常而言，光照强度越大或传感器像素越高，所产生的电压就越大。
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发布时间：2025-10-09 15:00 阅读量：467 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关！
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ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关！

　　～高容性负载驱动，为汽车电子化进程注入强劲动力～　　近日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，针对汽车照明、汽车门锁、电动车窗等正逐步采用Zone-ECU*¹的车身相关应用，推出6款不同导通电阻值的高边IPD*²(智能高边开关)“BV1HBxxx系列”，非常适合用来保护系统免受功率输入过大等问题的影响。全系列产品均符合AEC-Q100车规标准，满足对车载产品严苛的可靠性要求。　　随着自动驾驶和电动汽车(EV)的不断发展，汽车的电子控制越来越复杂。与此同时，从功能安全角度来看，电子保护的重要性日益凸显，以区域为单位对汽车进行管理的“Zone-ECU”应用进程加速。在这种趋势下，用于对负载进行电子保护和控制的IPD的应用也在加速。Zone-ECU需对大量负载进行集中控制，而传统IPD在容性负载驱动能力方面存在不足。ROHM本次发布的高性能IPD在满足低导通电阻、高能量耐受能力等基本性能要求的同时，弥补了容性驱动能力的短板，实现性能提升，充分满足Zone-ECU的需求。未来，新产品投入市场后将会大力推动无需使用机械式保险丝的“汽车电子化”进程。　　新产品具备高容性负载驱动能力*³，在Zone-ECU与输出负载(含各种ECU)的连接部位可充分发挥其性能。同时，凭借ROHM自主研发的最新工艺技术，新产品还成功实现以往难以兼顾的低导通电阻与高能量(破坏)耐受能力。由此，BV1HBxxx系列得以在驱动能力、导通电阻及能量耐受能力这三大关键要素上形成高水平的平衡，有助于实现安全性、效率性与可靠性俱佳的系统设计。与此同时，新产品搭载达到业界先进水平的高精度(实际精度：±5%)电流检测功能，可有效保护连接输出负载的线束。其小型且兼具优异散热性能的HTSOP-J8封装具有很高的通用性。　　新产品已于2025年6月开始以20万个/月的规模投入量产。此外，新产品已经开始通过电商进行销售(样品价格600日元/个，不含税)。未来，ROHM将继续致力于研发高可靠性、高性能的产品，为汽车领域的安全保障和节能减耗贡献力量。　　IPD(带电流检测功能的高边开关)产品阵容应用示例　　・车身相关应用、动力总成系统及逆变器周边、其他开关类应用　　电商销售信息　　发售时间：2025年6月起　　电商平台：新产品在AMEYA360等电商平台将逐步发售。　　产品型号：BV1HB008EFJ-CE2、BV1HB012EFJ-CE2　　BV1HB020EFJ-CE2、BV1HB040EFJ-CE2、BV1HB090EFJ-CE2、BV1HB180EFJ-CE2　　术语解说　　*1)Zone-ECU(Electronic Control Unit：电子控制单元)　　汽车电子架构中的创新设计概念之一。在传统设计中，汽车会搭载分别对应照明、汽车门锁、电动车窗等各项功能的ECU，而Zone-ECU则采用汽车分区理念，在每个区域配置可对该区域内所有功能进行集中控制的集成式ECU。　　*2)IPD(Intelligent Power Device)　　一种不仅可对电子电路进行开关控制，还可保护电路免受电气性破坏(如异常时的过电流)的器件。相较传统机械式保险丝，因其无机械触点而在使用寿命和可靠性方面更具优势。这种器件具有普通半导体开关器件MOSFET所不具备的保护功能，可助力构建安全且可靠性高的系统。　　*3)容性负载驱动能力　　主要在电子电路和半导体元器件领域使用的专业术语，是衡量电路和器件对容性负载(电容)的正常工作能力的性能指标。在由Zone-ECU及其输出负载(含各ECU)构成的电路中，通常会使用大容量电解电容，若容性负载驱动能力较低，将无法抑制浪涌电流，从而导致过热，进而引发误动作或缩短使用寿命。
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发布时间：2025-09-09 14:37 阅读量：480 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>适用于高功率密度车载充电器的紧凑型SiC模块
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ROHM适用于高功率密度车载充电器的紧凑型SiC模块

　　引言　　要实现零碳社会的目标，交通工具的电动化至关重要。更轻、更高效的电子元器件在这一进程中发挥着重要作用。车载充电器(OBC)便是其中一例。紧凑型传递模塑功率模块如何满足当前车载充电器(OBC)的需求?　　正文　　电动交通领域的发展日新月异：为提高车辆的自主性和续航里程，电驱动力总成系统变得越来越 高效和紧凑。车载充电器(OBC)作为这一发展进程中的关键组成部分，必须在保持高效效率的同时，尽可能小型轻量化。这一技术挑战还必须确保成本控制在限定范围内。　　OBC 用于交流充电， 需要由电网( 充电桩) 提供单相或三相电压。单相充电功率范围为 3.6kW~7.5kW，而三相充电功率则支持11kW~22kW。目前，为兼顾成本和效率，市场上的主流OBC 产品以中等功率范围(11kW)为主。22kW的OBC则主要用于高端市场。然而，所有OBC必须支持单相充电，以便在功率受限的情况下仍可为车辆充电。为实现车辆到电网(V2G)和车辆到车辆(V2V)的充电解决方案，越来越需要OBC具备双向充电功能。　　迄今为止，传统OBC的设计主要采用市场上的标准分立器件(THD或SMD封装)进行。尤其对于 SMD器件而言，由于需要通过PCB散热或使用合适的热界面材料将每个独立封装精密地固定在散热器上进行散热，因此存在诸多挑战。这种方案在功率密度提升和系统紧凑性方面已接近极限，而功率模块在新一代产品中则展现出显著的优势。　　图1：OBC的模块化(顶部)架构和集中式(底部)架构　　架构与拓扑　　OBC架构主要有两种(图1)：一种是基于三个相同单相模块的模块化架构;另一种是基于一个三相AC/DC转换器(该转换器也支持单相运行)的集中式架构。这两种架构均可通过单向和双向拓扑实现。　　模块化架构需要更多元器件，从而导致直流链路整体上对储能容量要求提高，进而推高体积和成本。另外，模块化架构还需要额外配置栅极驱动器和电压、电流检测功能。相比之下，集中式架构所需的元器件更少，因此可实现更具成本效益的OBC，这使其已成为高功率密度OBC的首选架构。　　SiC模块可实现更高效率和功率密度　　SiC凭借其卓越的特性，成为非常适用于OBC的功率半导体材料。ROHM的第4代SiC MOSFET采用沟槽结构，实现了超低导通电阻。另外，其非常低的米勒电容可实现超快的开关速度，从而可降低开关损耗。这些特性使得其总损耗更低，进而可减少散热设计负担。　　ROHM已推出专为OBC应用进行了优化的新产品——HSDIP20模块，进一步扩展了EcoSiC™系列的SiC MOSFET产品阵容。该系列模块在全桥电路中集成了4个或6个SiC MOSFET，与采用相同芯片技术的分立器件相比具有诸多优势。　　该系列模块采用氮化铝(AlN)陶瓷将散热焊盘与MOSFET的漏极隔离。这使得其结壳热阻(Rth)非常低，从而无需使用热界面材料(TIM)对散热焊盘与散热器之间进行电气隔离。　　得益于模具材料的应用，功率模块中的各芯片之间实现了电气隔离。这意味着芯片可以比分立器件方案布置得更加紧密(在分立器件方案中则必须考虑PCB上的爬电距离)。这种设计减小了PCB占用面积，同时提升了OBC解决方案的功率密度。　　工作量更少，风险更低　　除了技术优势外，内部隔离功能还可大大简化开发人员的工作：模块内部已内置电气隔离功能。而对于采用分立器件的解决方案，则需要在外部处理隔离问题。模块在交付前已由ROHM进行了相关测试，因此在OBC开发阶段无需再进行额外的电气隔离测试。可见，该系列模块不仅可缩短开发周期并降低开发成本，同时还能降低出现绝缘问题的风险。图2：在800V直流链路电压下，HSDIP模块在不同温度下的开通和关断损耗　　HSDIP20模块还具有第4代SiC MOSFET带来的附加优势：其0V关断电压可降低PCB布局的复杂性和成本。如图2所示，在800V直流链路电压下，采用第4代SiC MOSFET的HSDIP模块在不同温度条件下均表现出较低的开关损耗。图3：基于第4代SiC MOSFET的HSDIP20功率模块产品阵容　　HSDIP20模块的另一个优势在于其可扩展性。ROHM提供丰富的RDS(on)规格和拓扑结构选择，使该系列模块可适用于不同功率范围的OBC应用。目前可提供六款4合1拓扑模块和六款6合1拓扑模块。另外，ROHM还推出一款采用Six-pack拓扑结构的“混合型”模块，该模块通过组合不同RDS(on)的 MOSFET，为图腾柱PFC电路提供低成本解决方案，并可使用同一器件轻松实现单相和三相运行。各种拓扑结构的模块均采用相同封装形式，应用扩展非常便捷。所有功率模块均符合AQG324标准。　　热特性与开关特性　　为了验证HSDIP模块的优势，研发人员对器件进行了特性仿真和测试。在模块的热性能演示中， 采用的是配备36mΩ、1200V SiC MOSFET的Six-pack模块。仿真基于安装在液冷板上的单个模块进行，设定条件为单芯片损耗在25W至35W之间，Ta=Tw=60°C，TIM厚度为20μm，热导率为4.1W/mK。通过同时给芯片施加功率进行仿真，并根据仿真结果绘制出各器件的耗散功率与结温之间的关系曲线图(图4)。图4：HSDIP模块热性能仿真结果　　通过优化内部结构，该系列功率模块实现了非常低的单芯片热阻，在热性能方面具有显著优势。其最高结温远低于SiC MOSFET允许的175°C限值，从而为提升功率密度创造了更大空间，可满足大功率OBC的严苛需求。　　在模拟OBC应用中AC/DC变换级的测试板上，评估了采用36mW、1200V SiC MOSFET的6合1模 块的开关损耗特性。图2中已给出通过该测试获得的开关损耗结果。通过对该模块进行双脉冲测试评估得到的开关损耗结果，同样适用于本文所探讨的双向DC/AC变换级的情况。基于该数据，对11kW系统的双向DC/AC变换级进行仿真(图5)。仿真结果表明，基于采用第4代SiC MOSFET(36mΩ，1200V)的6合1模块构建的11 kW AC/DC变换级，在开关频率为48 kHz并使用强制风冷散热器的条件下，效率可达约99%(该效率值仅考虑了半导体损耗)。图5：HSDIP模块在OBC中双向AC/DC级的效率仿真　　结论　　在电动和混合动力汽车的OBC中，由4个或6个SiC MOSFET构成的模块，相较于分立器件方案具有显著优势。凭借其更高的功率密度，这种模块能够减小OBC的体积和重量，并降低设计的复杂性。 ROHM的HSDIP20模块集成了最新的EcoSiC™ MOSFET，仿真结果表明，将其应用在双向OBC的 AC/DC变换级时，该系列模块不仅展现出优异的热特性，更能实现约99%的效率。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　参考文献　　[1] M. Jankovic, C. Felgemacher, K. Lenz, A. Mashaly and A. Charkaoui，《车载充电器成本与效率考量》[J]。2022年第24届欧洲电力电子与应用会议(EPE'22 ECCE Europe)，德国汉诺威，2022： P.1-P.9。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。　　在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性 能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。　　了解更多信息，请访问罗姆官网：https://www.rohm.com.cn/
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发布时间：2025-08-28 14:34 阅读量：627 继续阅读>>

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