传海思7nm寻第二供应商,三星,<span style='color:red'>GF</span>,英特尔争破头
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传海思7nm寻第二供应商,三星,GF,英特尔争破头

中国最大IC设计公司海思半导体在台积电16纳米、10纳米两个制程世代一战成名后，全力挺进7纳米制程，业界透露因高通(Qualcomm)7纳米订单重回台积电怀抱，海思在产能等战略考量下，7纳米制程可能会寻求第二供应商，目前传出包括三星电子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries、英特尔(Intel)等纷全力争取海思订单。 晶圆代工7纳米制程将成为重头大戏，半导体厂不仅拼技术良率，亦全力绑桩客户订单，尤其高通在14纳米、10纳米转投三星，台积电7纳米制程最大目标就是把高通订单抢回来，目前看来已成定局，加上苹果下世代处理器订单亦是台积电夺标呼声最高，台积电在7纳米制程可说是旗开得胜。 不过，台积电另一个IC设计大客户海思，却传出在7纳米世代将采取不同于以往的规划，海思在16纳米、10纳米两个世代都是由台积电独家代工，业界传出尽管海思7纳米订单仍会留在台积电，但会寻求第二供应商以分散风险，确保产能供应无虞。 海思这几年快速茁壮，与台积电有着密不可分的关系，尤其台积电在16纳米制程上，高通首次放弃台积电，转到三星投片14纳米制程，当时台积电16纳米制程第一个客户就是海思，跌破业界眼镜，也让海思成为一匹大黑马窜出，整个半导体产业开始正视海思的IC设计实力。 海思在7纳米制程第二供应商的选择上，目前传出三星、GlobalFoundries、英特尔纷全力争取，但各自有一些问题，其中，三星有意以OLED面板、DRAM和NAND Flash存储器等零组件资源作为诱因，希望海思能到三星投片7纳米制程，但海思和三星在智能型手机市场是竞争对手，到三星投片并不是海思乐见的，但零组件搭售策略确实为一个诱因。 GlobalFoundries过去14纳米是向三星授权，在10纳米世代则是弃权，进入7纳米世代后重新加入高阶制程战局，手上的王牌即是IBM。过去海思曾在IBM投片晶圆代工，IBM退出半导体生产制造后，把资产卖给GlobalFoundries，承袭IBM经验成为GlobalFoundries争取海思订单的利器，唯一的障碍是要证实其技术实力。 英特尔则积极以10纳米制程争取海思订单，目前英特尔10纳米制程的逻辑晶体管密度达到每平方毫米1亿个晶体管，相较于台积电4,800万个、三星5,160万个晶体管，将近是两倍；况且英特尔10纳米制程在鳍片间距和栅极间距上，低于台积电与三星，因此，业界认为英特尔10纳米技术相当于台积电和三星的7纳米制程。 半导体业者指出，海思过去在16纳米、10纳米世代上，是台积电除了苹果之外的最重要客户，因为这两个世代没有高通的竞争，但进入7纳米之后状况就不一样了，高通订单回归台积电后，台积电的大客户顺序，海思可能会被排在苹果、高通之后，基于确保产能的战略考量，海思评估找第二家供应商。 海思是华为旗下IC设计公司，根据2016年中国IC设计公司排名，海思以人民币260亿元(折合新台币约1,190亿元)稳居中国规模最大的IC设计公司，其次是清华紫光展锐，规模约人民币125亿元。
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发布时间：2017-10-19 00:00 阅读量：1410 继续阅读>>
台积电和<span style='color:red'>GF</span>在7nm制程大翻身,“挤牙膏”的英特尔毫无意外掉队
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台积电和GF在7nm制程大翻身,“挤牙膏”的英特尔毫无意外掉队

科技网站Anandtech公布了几家半导体巨头最新的制程路线图，主要就是下一代的10nm和7nm工艺制程。通过路线图可以看到台积电与GF可以说即将翻身，而老牌企业Intel则将在10nm制程徘徊一段时间。 从官方公布的路线图来看，台积电是最快到达7nm工艺制程的厂商，在2018年第一季度就可以搞定7nm ff工艺，而GF则在2018年第二季度更新至7nm工艺。三星将会在2019年更新至7nm工艺，至于Intel将会在今后几年不断地改良自己的10nm工艺，就算出来了也要到2021年之后了。 不过GF为7nm划分了三代，第一代是DUV（深紫外光刻），而导入EUV（极紫外光刻）需要到2019年。技术指标上，GF的第一代/第二代7nm相较14nm FinFET可提升40%性能、降低60%功耗，芯片成本降低30%。 如果各家制程路线图没有什么区别的话，那么未来等到Intel使用7nm的时候，迎来的将会是使用7nm改良版的AMD Zen2/3处理器。
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发布时间：2017-06-26 00:00 阅读量：1598 继续阅读>>

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