<span style='color:red'>英特尔</span>拟推出中国特供版Gaudi3AI芯片
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英特尔拟推出中国特供版Gaudi3AI芯片

　　据悉，继此前正式公布新一代AI加速芯片 Gaudi 3 之后，英特尔拟另准备针对中国市场推出“特供版”Gaudi 3，包括名为HL-328的OAM相容夹层卡(Mezzanine Card )和名为HL-388的PCle加速卡两种硬件形态。　　报道指出，英特尔在其Gaudi 3白皮书中披露了上述信息，其中HL-328将于6月24日推出，HL-388将于9月24日推出。根据英特尔公布的资料显示，Gaudi 3在FP16/BF16上可以达到1835 TFLOPS，相比英伟达H100在大模型训练方面快40%、推理能效高50%。　　具体硬件规格方面，中国特供版的Gaudi 3与原版相比，具有相同的96MB SRAM片上存储，128GB HBM2e高带宽存储，带宽为3.7TB/s，拥有PCIe 5.0 x16介面和解码标准。但由于美国对于AI芯片的出口管制规则限制，使得这类高性能AI的综合运算性能(TPP)需要低于4800才能出口到中国，这意味中国特供版的Gaudi 3的16bit性能不能超过150 TFLOPS。　　显然，中国特供版的Gaudi 3 需要大幅降低AI性能，才能合规出口到中国。因此中国特供版Gaudi 3 需要大幅削减内核数量(原版拥有8个矩阵数学引擎和64个张量内核)和工作频率，最终可能需要其AI性能降低约92%才能符合美国的出口管制要求。　　由于中国特供版Gaudi 3 AI性能的降低，这也将使得其TDP(热设计功耗)大幅降低。根据曝光的资料显示，中国特供版Gaudi 3的OAM卡和PCIe卡的TDP均为450瓦，而原版PCIe卡(HL-338)的TDP高达600瓦，原版OAM卡(HL-325L、HL-335)的TDP更是高达900瓦。　　可以预见的是，英特尔专为中国市场推出的“特供版”Gaudi 3的OAM兼容夹层卡(HL-328)和PCle加速卡(HL-388)的AI性能将会与英伟达针对中国市场推出的AI加速卡H20相当，它具有 148 TFLOPS 的 FP16/ BF16 性能，略低于 150 TFLOPS 的限制。但是，在HBM容量及带宽上，英特尔中国特供版Gaudi 3将低于英伟达H20，这也使得其在与英伟达H20的竞争当中可能将处于劣势，当然具体也要看定价是否有优势。
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发布时间：2024-04-16 09:43 阅读量：185 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>发布新款AI芯片Gaudi 3 Q2开始供货
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英特尔发布新款AI芯片Gaudi 3 Q2开始供货

　　英特尔重磅发布了英特尔至强6处理器的全新品牌，推出英特尔Gaudi 3加速器，以高性能、开放性和灵活性助力企业推进生成式AI创新，并发布了涵盖全新开放、可扩展系统，下一代产品和一系列战略合作的全栈解决方案，以加速生成式AI落地。　　其中，英特尔Gaudi 3加速器将会是英特尔对抗英伟达的利器。英特尔CEO基辛格也对此寄予厚望。企业希望将生成式AI从试验阶段扩展到应用阶段。因此，他们需要基于诸如英特尔Gaudi 3 AI加速器这样的高性能、经济实用、节能的处理器所打造的可快速部署的解决方案。并且，Gaudi 3还能满足复杂性、成本效益、碎片化、数据可靠性和合规性等需求。　　英特尔表示，英特尔Gaudi 3 AI加速器将为AI系统提供动力，该AI系统可通过以太网的通用标准连接多达数万个加速器。与上一代产品相比，英特尔Gaudi 3将带来4倍的BF16 AI计算能力提升，以及1.5倍的内存带宽提升。该加速器将为寻求大规模部署生成式AI的企业带来AI训练和推理方面的重大飞跃。　　英特尔Gaudi 3预计可大幅缩短70亿和130亿参数Llama2模型，以及1750亿参数GPT-3模型的训练时间。此外，在Llama 7B、70B和Falcon 180B大型语言模型(LLM)的推理吞吐量和能效方面也展现了出色性能。英特尔Gaudi 3加速器提供开放的、基于社区的软件和行业标准以太网网络，允许企业灵活地从单个节点扩展到拥有数千个节点的集群、超级集群和超大集群，支持大规模的推理、微调和训练。　　对于Gaudi 3 芯片，英特尔在此前的新闻通气会上称该产品的能效是英伟达芯片的两倍多，运行 AI 模型的速度是英伟达 H100 GPU芯片的1.5倍。　　Intel Gaudi 3将于今年第2季开始提供给OEM厂商， 包括戴尔、慧与、联想和美超微等。
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发布时间：2024-04-11 10:31 阅读量：254 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>将获美国35亿美元芯片补贴
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英特尔将获美国35亿美元芯片补贴

　　美国政府计划向英特尔公司投资35亿美元，以帮助其生产先进的半导体用于军事项目。这笔资金已被纳入众议院通过的一项支出法案中，有望让英特尔在利润丰厚的国防市场上占据主导地位。　　报道称，这笔资金将持续三年，用于“Secure Enclave”(安全隔离区)计划。这笔资金来自一个规模达390亿美元的《芯片和科学法案》(Chips and Science Act )拨款池，旨在说服芯片制造商在美国生产半导体。数据显示，有600多家公司表示有兴趣获得这笔资金。　　2023年11月有报道称，英特尔正在与政府谈判，希望从该项目中获得30亿至40亿美元的补贴。据媒体统计，英特尔将获得总额超过100亿美元的《芯片法案》激励，其中包括补贴和贷款。　　据了解，本次拨款基于美国商务部预备向英特尔、台积电和三星电子等公司提供数十亿美元奖励的背景，旨在促进国内制造业的发展。目前商务部已经公布了三项资助，包括向BAE系统(BAESY.US)的美国分公司提供规模较小的国家安全资助，以及向格芯(GFS.US)提供15亿美元资助。　　另外计划向微芯科技提供1.62亿美元的拨款，以加强在美国生产MCU等成熟制程芯片的制造能力;第三项是补助格芯(Global Foundries)15亿美元，开启扩大半导体生产的新项目。报道指出，该计划并非美国国防部确保格芯和IBM在内供应军用芯片计划的一环。美国国防部另外拨款2.38亿美元给投入国防用半导体的八个科技中心。
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发布时间：2024-03-13 09:41 阅读量：232 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>拿下微软订单，将采取18A制程技术代工芯片
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英特尔拿下微软订单，将采取18A制程技术代工芯片

　　微软决定采用英特尔旗下的Intel 18A制程技术，委托代工一款客制化运算芯片。　　据路透社报导，微软执行长纳德拉(Satya Nadella)21日在英特尔晶圆代工大会表示，市场正处于令人振奋的平台转移过程，每一个组织、乃至于整个产业都会从根本上出现转型。为了达成这样的愿景，微软需要可靠的先进、高效能及优质半导体供应链。这是微软决定跟英特尔晶圆代工事业Intel Foundry合作、并选定Intel 18A制程打造旗下一款芯片的原因。　　英特尔之前曾说过，18A制程的效能将在2025年领先业界。但纳德拉并未进一步说明上述芯片的终端应用市场，或正式推出的时间表。　　此次英特尔成功吸引了微软作为芯片代工业务客户，标志着该公司在扭亏方面取得的一个关键胜利 。先前英特尔表示，18A制程已争取到四家「大客户」签约，但未揭露详细信息。目前不清楚微软是否为其中一家对英特尔财务有重要影响的客户。　　英特尔一直寻求证明自己在晶圆代工市场上的竞争实力。代工芯片业务对于这家半导体先驱来说是一个重大转型。近期，英特尔正在努力追赶台积电等业内领军企业。与此同时，微软也在寻求确保稳定的半导体供应，从而为自身的数据中心运营提供动力，特别是在人工智能需求增长的情况下。自研芯片还能让微软根据自己的具体需求对产品进行微调。
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发布时间：2024-02-22 13:11 阅读量：1649 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>晶圆代工，更新路线图
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英特尔晶圆代工，更新路线图

　　4年5个节点。这是英特尔首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 在 2021 年向英特尔的客户、投资者和全世界做出的承诺，当时他制定了英特尔雄心勃勃的计划，以重新夺回代工领域的领导地位。　　由于2010年代复杂的延误，英特尔失去了长期以来作为全球顶级晶圆厂的地位，当时的新任英特尔首席执行官不顾投资者出售英特尔晶圆厂的呼吁，转而全力投资晶圆厂，就像英特尔从未有过的那样。以前做过的事情，成为供全世界使用的自上而下的代工服务。　　现在两年多过去了，英特尔刚刚开始看到这一积极路线图的第一批成果，无论是在技术还是客户方面。基于英特尔首款 EUV 节点intel 4 的产品现已上市，其大批量对应产品intel 3 也已准备就绪。与此同时，英特尔正在对其 2024 年和 2025 年首款全环栅 (GAAFET)/RibbonFET 进行最后的润色。　　对于该公司来说，这是一个令人兴奋的时刻，但也是一个关键时刻。英特尔已经到了需要兑现这些承诺的地步——而且他们需要以一种非常明显的方式做到这一点。　　为此，今天英特尔的代工团队(正式名称为英特尔代工服务：Intel Foundry Services)正在举办其首次会议“Direct Connect”。这不仅仅是为客户和媒体展示的，这是英特尔为整个晶圆厂行业举办的亮相派对，英特尔的代工厂(而且只有英特尔的代工厂)受到关注，这在英特尔的庞大业务中是罕见的。　　除了概述英特尔在 4 年内实现 5 个节点目标方面取得的进展外，Direct Connect 也是英特尔首次有机会谈论前 5 个节点之后的发展。随着英特尔代工工厂在产能、客户和工具方面的扩展，该团队不仅正在考虑一系列更先进的节点，而且还在考虑一系列日益必要的封装技术来支持它们。虽然今天的活动与基辛格 2021 年宣言的整体大胆程度不相上下，但它仍然是一次重要的观察，让我们了解这位曾经(以及未来?)的代工之王在未来几年将会发生什么。　　总而言之，这里有几项值得注意的公告，所以让我们直接深入了解。　　英特尔代工服务更名为“英特尔代工”，开启封装和测试大门　　英特尔的代工集团正在换个新名字，开启了英特尔所谓的“系统代工”时代。英特尔的整个代工服务系列，从晶圆厂到测试再到先进封装，现在都被置于单一的英特尔代工旗帜下。　　从某些方面来说，这也是英特尔为服务披上一层新的蓝色外衣。但这也旨在强调英特尔服务产品的性质。该公司不仅希望为客户制造芯片，而且希望成为芯片生产的一站式商店。因此，除了晶圆光刻技术之外，英特尔还向潜在客户开放其先进封装、芯片组装和测试的完整生态系统。如果客户愿意，他们将能够从英特尔获得完整的芯片，甚至只是利用英特尔提供的个性化服务。　　这一声明有多个角度，但最重要的是，它凸显了英特尔想要做到这一切的愿望。他们不仅想在晶圆代工界占据一席之地;他们希望尽一切努力吸引尽可能多的客户——尽可能地扩大规模。　　更广泛地说，人们希望能够利用英特尔竞争对手的任何失误，因为这些往往是在正在进行的代工竞赛中取得领先的最佳机会。正是英特尔在 10 纳米(以及较小程度的 14 纳米)方面遇到了挫折，而当台积电、三星或其供应链的其他成员陷入困境时，能够迅速介入是英特尔重新获得工艺领先地位的一种方式，这将让他们最终占据最佳制造商的位置。　　超越Intel 18A：18A-P、14A 和混合键合　　抛开业务问题不谈，英特尔今天发布的公告的重点是该公司的晶圆厂路线图，该路线图将在两年多以来首次延期。现在，英特尔正在发货一些首批追赶节点，并准备发货其余节点，该公司将介绍 2025 年 18A 后的情况。　　在高性能/高密度赛道上，这里的重要补充是 18A 的后继者14A。除其他成就外，14A 将是英特尔首次使用高数值孔径 (High-NA) EUV(下一代极紫外光刻技术)的节点。高数值孔径 EUV 有望实现更精细的特征，允许在不依赖多重图案化的情况下处理晶圆，而这对于较小节点尺寸的传统 EUV 来说是必需的。英特尔将其代工业务押注于 High-NA，这与英特尔在 EUV 领域的起步相对较晚(Intel 4/Meteor Lake 是其首款产品)形成鲜明对比，以至于英特尔已经获得了迄今为止全球唯一的高数值孔径扫描仪。　　凭借 High-NA 的使用，14A 将成为英特尔继 20A/18A 合并之后的第一个完整节点。它将在功能尺寸和性能方面提供什么还有待观察——风险生产定于 2026 年底进行，这还需要几年时间——但如果一切按照英特尔的计划进行，这将是他们进一步发展的地方巩固其作为晶圆厂工艺技术领导者的地位。　　在其他地方，英特尔正在计划其主要节点的几种变体，包括 14A。这些变体都获得了新的后缀，具体如下：　　E，Feature Extension：E 节点是对以某种方式增强的节点的包罗万象的标签。据英特尔称，这主要基于新功能，例如支持更高的电压(想想用于 HPC 的台积电“X”节点)、更高的温度等。这些节点的性能也可能比基本节点更好，但一般来说，每瓦性能将提高不到 5%。　　P, Performance Improvement：这些节点相对于节点的基本版本提供了更大但仍然适度的性能改进。AP 节点应提供 5% 到 10% 的每瓦性能改进。它们本质上是节点的“plus”版本。顺便说一句，如果一个新节点的每瓦性能提升超过 10%，那么英特尔表示我们应该期望它完全是一个新节点。　　T, Through-Silicon Vias：最后，T 后缀将用于指示支持硅通孔 (TSV) 的英特尔节点的特殊版本，用于制造基础芯片，而基础芯片又用于铜铜混合键合。混合键合也是英特尔在其 Foveros Direct 3D 品牌下推广的，是当前芯片堆叠的最终游戏，允许使用微小的铜键合将芯片直接堆叠在彼此的顶部，这些铜键合使用 TSV 路由到各自的芯片中。混合键合/TSV 将允许凸块间距小于 10 微米，因此即使在一平方毫米内，芯片之间也能实现大量连接。　　考虑到这些后缀，我们在英特尔路线图上看到了当前、即将推出和新宣布的工艺节点的几种变体。性能轨道上的是14A-E，它是英特尔最新路线图上最远的节点。英特尔没有透露此处提供的具体增强功能，但高压操作是一个不错的猜测。　　同时，18A 将在 2025 年左右获得性能更高的变体，即18A-P。英特尔一再指出，18A 预计将是一个寿命较长的节点，因此看到它获得更高性能的变体也就不足为奇了，特别是因为其是一个不受高数值孔径光刻机设计限制的节点。(主要是芯片/掩模版尺寸)。　　Intel 3 是英特尔首款大批量 EUV 节点，也将在未来几年内出现一些变化。这包括英特尔首个 TSV/Foveros Direct 节点、Intel 3-T以及将于 2025 年推出的功能增强型英特尔3-E 。最后，基于更高性能设计的第二个支持 TSV 的节点版本将随Intel 3P-T一起提供。值得注意的是，在英特尔路线图上，只有Intel 3 具有支持 TSV 的节点;由于这些 T 节点旨在用于工作软管基础模具，因此英特尔并未制定任何计划使用 18A 等尖端节点制造基础.芯片。(尽管毫无疑问，18A 仍将在 Foveros Direct 中用作top dies，例如在Clearwater Forest中)　　最后，英特尔之前宣布的Intel 12 节点将于 2027 年投入生产。该预算节点正在与 UMC 联合开发，但将仅在英特尔代工厂生产。　　英特尔：4年内5个节点已步入正轨　　虽然英特尔今天发布的公告的重点是围绕他们未来的雄心壮志，但要实现这一目标，他们仍然需要实现当前的目标。这意味着他们承诺在 4 年内按时交付 5 个节点。　　重要的是，英特尔再次重申 4 年计划仍在按计划进行。英特尔的 4 年计划结束时，18A 将于 2025 年投入生产，到 2024 年，客户已经可以开始为英特尔最雄心勃勃的节点设计芯片。　　值得注意的是，英特尔最近完成了自己的 18A 主要产品Clearwater Forest 的流片，并于今天宣布。Clearwater 是基于英特尔第二代 E 核的 Xeon(Sierra Forest 的后继产品)，是英特尔代工技术的杰作。除了用于计算元件的 18A 之外，Clearwater 还使用 Intel 3 作为其基础芯片，使用 EMIB 进行进一步的芯片连接，甚至使用 Foveros Direct(混合键合)进行芯片间连接。Clearwater 最终将与消费级Panther Lake一起成为英特尔的前两个大型 18A 项目。　　凭借其特征尺寸、RibbonFET 晶体管和PowerVia 背面供电的组合，英特尔此前曾表示，他们希望通过 18A 重新获得工艺领先地位。截至今天的活动，这仍然是英特尔对何时重回巅峰的预测。　　与此同时，距离生产更近了，英特尔报告称，其大批量 EUV 工艺节点Intel 3 已准备好进行大批量生产。它的前身 Intel 4 现已针对 Meteor Lake 发货，而 intel 3 是其改进版本，具有全系列可用的单元库(而不是仅提供高性能的 Intel 4)。　　鉴于英特尔目前仅使用其 5 个节点中的第二个节点来交付产品，因此无法回避的事实是，至少作为外部观察者，英特尔的许多“步入正轨”声明都是在相信该公司的话。但鉴于英特尔的时间表从一开始就基于内部(风险生产)里程碑而不是产品出货里程碑，因此永远不会有任何其他方式。　　尽管如此，尽管我们今天手里没有 Clearwater Forest 芯片，但他们的设计已经流片并已准备好接受客户设计这一事实，就像人们所希望的那样，是一个充满希望的迹象。　　英特尔也很快宣称他们的客户胜利是他们进步的进一步证据，并且英特尔代工厂正走在正确的道路上。虽然英特尔没有透露任何具体合作伙伴的名称，但他们透露，他们已经就 18A 达成了 4 项“大型”交易。其中一项交易包括一项“有意义的”预付款协议。最终，英特尔代工厂的财务成功不仅取决于开发新节点，还取决于签约客户，以获得完成所有这些主要投资所需的必要数量。因此，对于英特尔来说，作为代工业务的相对新手，让客户愿意为产能预付费是他们的一大优势。　　英特尔，未来依仗的技术　　在今天一次采访中，英特尔通过分享其未来数据中心处理器的一瞥，概述了它将为其代工客户提供的新芯片技术。这些进步包括更密集的逻辑以及3D 堆叠芯片内的连接性增加 16 倍，它们将是该公司与其他公司的芯片架构师共享的首批高端技术之一。　　在内部，英特尔计划在代号为 Clearwater Forest 的服务器 CPU 中使用这些技术的组合。该公司认为该产品是一种具有数千亿个晶体管的片上系统，是其代工业务的其他客户能够实现的目标的一个例子。　　英特尔数据中心技术和探路总监Eric Fetzer表示，“我们的目标是让计算达到我们能够实现的最佳每瓦性能” 。这意味着使用该公司最先进的制造技术——Intel 18A。　　“但是，如果我们将该技术应用于整个系统，就会遇到其他潜在问题，”他补充道。“系统的某些部分不一定能像其他部分一样扩展。逻辑通常可以根据摩尔定律很好地扩展一代又一代。”但其他功能则不然。例如，SRAM(CPU 的高速缓存)一直滞后于逻辑。连接处理器和计算机其余部分的 I/O 电路则更加落后。　　面对这些现实，正如所有领先处理器制造商现在面临的那样，英特尔将 Clearwater Forest 的系统分解为其核心功能，选择最适合的技术来构建每个功能，并使用一套新技术将它们重新缝合在一起。其结果是 CPU 架构能够扩展到多达 3000 亿个晶体管。　　在Clearwater Forest ，数十亿个晶体管被分为三种不同类型的硅 IC，称为芯片或小芯片，互连并封装在一起。该系统的核心是使用 Intel 18A 工艺构建的多达 12 个处理器核心小芯片。这些小芯片以 3D 方式堆叠在三个使用 Intel 3 构建的“基础芯片”之上，该工艺为今年推出的Sierra Forest CPU制造计算核心。CPU 的主高速缓存、电压调节器和内部网络将安装在基础芯片上。“堆叠通过缩短跳数来改善计算和内存之间的延迟，同时启用更大的缓存，”英特尔高级首席工程师Pushkar Ranade说。　　最后，CPU 的 I/O 系统将位于使用 Intel 7 构建的两个芯片上，到 2025 年，该芯片将落后该公司最先进的工艺整整四代。事实上，这些小芯片与Sierra Forest 和 Granite Rapids CPU中的小芯片基本相同，从而减少了开发费用。　　以下是所涉及的新技术及其提供的功能：　　1、3D混合键合　　英特尔当前的芯片堆叠互连技术 Foveros 将一个芯片与另一个芯片连接起来，采用的是长期以来芯片与封装连接方式的大幅缩小版：微小的焊料“微凸块”，短暂熔化后即可连接芯片。这使得 Meteor Lake CPU 中使用的 Foveros 版本大约每 36 微米建立一个连接。Clearwater Forest 将使用新技术Foveros Direct 3D，该技术不同于基于焊接的方法，可将 3D 连接的密度提高 16 倍。　　它被称为“混合键合”，类似于将两个芯片表面的铜焊盘焊接在一起。这些垫片稍微凹陷并被绝缘体包围。当将两个芯片压在一起时，一个芯片上的绝缘体会粘附到另一芯片上。然后，对堆叠的芯片进行加热，使铜在间隙中膨胀并粘合在一起，形成永久链接。竞争对手台积电在某些AMD CPU中使用混合键合版本，将额外的高速缓存连接到处理器核心小芯片，并在AMD 最新的 GPU中将计算小芯片连接到系统的基础芯片。　　Fetzer 表示，“混合键合互连能够大幅提高”连接密度。“这种密度对于服务器市场非常重要，特别是因为这种密度驱动着非常低的皮焦每比特通信。”如果每比特能源成本太高，则数据从一个硅芯片传输到另一个硅芯片所涉及的能量很容易消耗产品功率预算的很大一部分。Foveros Direct 3D 使每比特的成本降至 0.05 皮焦耳以下，这使其与在硅芯片内移动比特所需的能量处于同一水平。　　节省的大部分能源来自于传输更少的铜线的数据。假设您想要将一个芯片上的 512 线总线连接到另一个芯片上相同大小的总线，以便两个芯片可以共享一组一致的信息。在每个芯片上，这些总线可能窄至每微米 10-20 根电线。要使用当今的 36 微米间距微凸块技术将信号从一个芯片传输到另一个芯片，意味着将这些信号分散到一侧数百平方微米的硅上，然后将它们聚集到另一侧的同一区域。Fetzer说，对所有额外的铜和焊料进行充电“很快就会成为延迟和大功率问题”。相比之下，混合键合可以在几个微凸块占据的同一区域中进行总线到总线的连接。　　尽管这些好处可能很大，但转向混合键合并不容易。要形成混合键合，需要将已经切割的硅芯片与仍附着在晶圆上的硅芯片连接起来。正确对齐所有连接意味着芯片必须被切割成比微凸块技术所需的公差大得多的公差。修复和恢复也需要不同的技术。Fetzer 表示，甚至连接失败的主要方式也是不同的。对于微凸块，您更有可能因连接到相邻焊点的一点焊料而发生短路。但对于混合键合，危险是导致连接断开的缺陷。　　2、背面电源　　该公司今年通过其Intel 20A 工艺(将先于英特尔 18A 的工艺)为芯片制造带来的主要区别之一是背面供电。在当今的处理器中，所有互连，无论是承载电力还是数据，都构建在芯片的“正面”硅基板上方。Foveros 和其他 3D 芯片堆叠技术需要硅通孔、互连，这些互连可以向下钻穿硅以从另一侧建立连接。但背面电力传输更进一步。它将所有电源互连放置在硅下方，基本上将包含晶体管的层夹在两组互连之间。　　这种布置会产生影响，因为电源互连和数据互连需要不同的功能。电源互连需要较宽以减少电阻，而数据互连应较窄以便可以密集封装。随着今年晚些时候Arrow Lake CPU的发布，英特尔将成为第一家在商用芯片中引入背面供电的芯片制造商。英特尔去年夏天发布的数据显示，仅背面电源就带来了6% 的性能提升。　　英特尔 18A 工艺技术的背面供电网络技术将与英特尔 20A 芯片中的技术基本相同。然而，它在Clearwater Forest 中得到了更大的利用。即将推出的 CPU 在基础芯片中包含所谓的“片内电压调节器”。使电压调节接近其驱动的逻辑意味着逻辑可以运行得更快。距离越短，调节器就能更快地响应电流需求的变化，同时消耗更少的功率。　　由于逻辑芯片使用背面供电，因此电压调节器和芯片逻辑之间的连接电阻要低得多。“通过技术提供的动力以及 Foveros 堆叠为我们提供了一种非常有效的连接方式，”Fetzer 说道。　　3、RibbonFET，下一代晶体管　　除了背面电源之外，该芯片制造商还采用英特尔 20A 工艺改用不同的晶体管架构：RibbonFET。自 2011 年以来， RibbonFET是纳米片或全栅晶体管的一种形式，它取代了FinFET(自 2011 年起 CMOS 的主力晶体管)。在 Intel 18A 中，Clearwater Forest 的逻辑芯片将采用第二代 RibbonFET 工艺制造。Fetzer 表示，虽然这些设备本身与 Intel 20A 中出现的设备没有太大区别，但设备的设计具有更大的灵活性。　　他表示，“除了实现高性能 CPU 所需的功能之外，还有更广泛的设备可以支持各种代工应用”，而这正是 Intel 20A 工艺的设计目的。　　其中一些变化源于 FinFET 时代失去的一定程度的灵活性。在 FinFET 出现之前，采用相同工艺的晶体管可以制成多种宽度，从而允许在性能(伴随更高电流)和效率(需要更好地控制漏电流)之间进行或多或少的连续权衡。由于 FinFET 的主要部分是具有规定高度和宽度的垂直硅鳍，因此现在必须采取设备具有多少鳍的形式进行权衡。因此，使用两个翅片可以使电流加倍，但没有办法将其增加 25% 或 50%。　　有了纳米片器件，改变晶体管宽度的能力又回来了。“RibbonFET 技术可在同一技术基础上实现不同尺寸的焊带，”Fetzer 说道。“当我们从英特尔 20A 转向英特尔 18A 时，我们在晶体管尺寸方面提供了更大的灵活性。”　　这种灵活性意味着设计人员可以用来构建系统的标准单元(基本逻辑块)可以包含具有不同属性的晶体管。这使得英特尔能够开发出一个“增强型库”，其中包括比英特尔 20A 工艺的标准单元更小、性能更好或更高效的标准单元。　　4、第二代EMIB　　在 Clearwater Forest 中，处理输入和输出的芯片使用第二代英特尔EMIB水平连接到基础芯片(具有高速缓存和网络的芯片) 。EMIB 是一小块硅，包含一组密集的互连和微凸块，旨在将一个芯片连接到同一平面上的另一个芯片。硅嵌入封装本身，以形成芯片之间的桥梁。　　自 Sapphire Rapids 于 2023 年发布以来，该技术已在英特尔 CPU 中投入商业使用。它是一种成本较低的替代方案，可将所有芯片放在硅中介层上，硅中介层是一块带有互连图案的硅片，其大小足以容纳所有芯片。系统的芯片可供放置。除了材料成本之外，硅con 中介层的建造成本可能很高，因为它们通常比标准硅工艺设计的尺寸大几倍。　　第二代 EMIB 今年与 Granite Rapids CPU 一起首次亮相，它将微凸块连接的间距从 55 微米缩小到 45 微米，并提高了电线的密度。这种连接的主要挑战是封装和硅在加热时以不同的速率膨胀。这种现象可能会导致翘曲，从而破坏连接。　　此外，就 Clearwater Forest 而言，“还存在一些独特的挑战，因为我们将常规芯片上的 EMIB 连接到 Foveros Direct 3D 基础芯片和堆栈上的 EMIB”，Fetzer 说道。他说，这种情况最近被重新命名为 EMIB 3.5 技术(以前称为 co-EMIB)，需要采取特殊步骤来确保所涉及的应力和应变与 Foveros 堆栈中的硅兼容，Foveros 堆栈比普通芯片更薄。　　生态系统齐聚一堂：EDA 工具和 IP 已准备就绪　　最后，今天活动的一部分专门面向英特尔以外的供应商，他们负责提供完成英特尔代工厂生态系统所需的其余工具、IP 和其他部分。　　向合同制造的转变给英特尔带来了几项变化，其中最大的变化之一是如何为英特尔晶圆厂设计芯片。当英特尔只生产供内部使用的芯片时，该公司可以自由地使用他们需要的任何工具，无论他们需要什么工具——标准化的必要性并不高，更不用说向外界公开这些流程的工作原理了。但现在英特尔代工厂的大门已经敞开，英特尔必须与工具提供商密切合作，以便外部公司能够成功使用他们的晶圆厂。这意味着英特尔正在从完全内部生态系统过渡到外部生态系统;他们未来的成功部分取决于确保客户为其晶圆厂开发芯片的一切都到位。　　最终结果是，英特尔代工厂一直与电子设计自动化 (EDA) 提供商的知名企业合作，他们的工具是现代芯片设计的基础。这包括 Synopsys、Cadence、Ansys、西门子等。其中许多人将在今天早上的 Direct Connect 活动上发表讲话，宣布他们的工具已获得英特尔代工厂外部节点的认证。　　有趣的是，Intel Foundry 今天还宣布围绕 EMIB 开展广泛的行业合作。我期待在今天上午晚些时候计划的 EDA 会议上听到更多相关信息，但据英特尔称，该公司一直在与 EDA 工具供应商合作，以简化 EMIB 在芯片设计中的使用，从而加快 EMIB 的开发和交付- 为英特尔代工客户配备的芯片。　　除了 EDA 工具之外，英特尔还与 IP 提供商合作，以便将其关键 IP 移植到英特尔 Foundry 的工艺节点上或以其他方式开发。这是一个更大的合作伙伴列表，涵盖了从普通(内存 PHY)到 CPU 内核等复杂设计的所有内容。即使是最大的芯片设计商也不会完全在内部设计所有内容，因此获取充实芯片设计所需的基础 IP 块是英特尔代工生态系统的另一个主要需求。　　总体而言，英特尔代工在过去几年中一直在吸引各种公司。但可以说，CPU 设计商 Arm 是英特尔最重要的 IP 供应商。除了基于 Arm 的芯片已经从英特尔曾经坚如磐石的数据中心业务中占据了很大份额(尤其是云供应商现在设计自己的芯片)之外，Arm 也是非常受欢迎的人工智能加速器组合 - 甚至 Arm 本身也是如此期待他们的下一代 Neoverse 设计。因此，如果英特尔代工厂想要进军新兴(且利润丰厚)的人工智能市场，他们不仅需要能够提供制造人工智能加速器的能力，还需要提供与之配套的CPU内核。　　但在这方面，应该指出的是，英特尔本身也是这里的IP供应商。英特尔产品部门将作为小芯片/IP 供应商，甚至作为半定制设计公司来竞争业务，可以想象，该公司可以为真正需要定制级别的大客户提供基于英特尔 IP 的定制设计。出于显而易见的原因，今天公告的重点是围绕英特尔代工，但英特尔代工业务的成功将不仅仅是仅仅基于第三方 IP 为第三方制造芯片。
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发布时间：2024-02-22 11:04 阅读量：1344 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>实现3D先进封装技术实现大规模量产
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英特尔实现3D先进封装技术实现大规模量产

　　英特尔官微宣布，已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括英特尔突破性的3D封装技术Foveros。该技术为多种芯片的组合提供了灵活的选择，带来更佳的功耗、性能和成本优化。　　这一技术是在英特尔最新完成升级的美国新墨西哥州Fab 9投产的。英特尔公司执行副总裁兼首席全球运营官 Keyvan Esfarjani 表示：“先进封装技术让英特尔脱颖而出，帮助我们的客户在芯片产品的性能、尺寸，以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势。”　　随着整个半导体行业进入在单个封装中集成多个“芯粒”的异构时代，英特尔的 Foveros 和 EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)等先进封装技术号称可以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，并在 2030 年后继续推进摩尔定律。　　据介绍，英特尔的 3D 先进封装技术 Foveros 在处理器的制造过程中，能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外，Foveros 让英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片，优化成本和能效。　　该公司曾表示，规划到 2025 年时，其 3D Foveros 封装的产能将增加四倍。
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发布时间：2024-01-26 09:39 阅读量：1332 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>宣布收购Silicon Mobility SAS
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英特尔宣布收购Silicon Mobility SAS

　　英特尔1月10日宣布收购电动汽车软件公司Silicon Mobility SAS，将人工智能效率导入电动汽车能源管理系统。英特尔表示，这项收购必须取得所有必要的批准。　　根据官网资料显示，Silicon Mobility创立于2015年，总部位于法国索菲亚·安蒂波利斯，并且在美国硅谷、德国、日本和中国设有办事处，是一家汽车芯片设计和软件公司，其设计的芯片是控制电动汽车动力总成的关键元件。　　“英特尔正在采取‘整车’方法来解决行业面临的最大挑战。”英特尔汽车副总裁兼总经理 Jack West 表示：“在整个车辆平台上推动创新的人工智能解决方案将有助于行业向电动汽车转型。收购 Silicon Mobility 符合我们的可持续发展目标，同时满足了行业的关键能源管理需求。”　　新闻稿显示，目前已有超过5000万辆汽车采用英特尔系统单芯片。　　此外，英特尔还推出了全新的AI增强型软件定义车载SoC系列，并宣布极氪将成为首家采用这款全新SoC的汽车厂商，旨在为下一代汽车提供生成式AI驱动的移动客厅体验。
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发布时间：2024-01-12 09:11 阅读量：1177 继续阅读>>
消息称<span style='color:red'>英特尔</span>Lunar Lake将由台积电生产
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消息称英特尔Lunar Lake将由台积电生产

　　英特尔明年将推出Lunar Lake，或将委托台积电量产，打破过往英特尔CPU芯片从来没有委外生产的传统。根据此前曝光的技术细节，台积电将负责为英特尔生产三款 Lunar Lake 关键芯片，包括 CPU、GPU 和 NPU，均采用 3nm 工艺，预计将会在明年上半年开始投片量产。　　报道称，英特尔下一代的Lunar Lake MX 处理器将采用全新的微架构，从头开始设计，以提供突破性的每瓦性能效率，主要针对移动设备而来。Lunar Lake MX 处理器预计提供具有最多8 个通用核心(包括4 个高效能Lion Cove 核心+ 4 个Skymont 效能核心)、12MB 缓存、最多8 个Xe2 GPU 丛集以及最多8 个通用核心的处理器。其中，该处理器的计算模块将采用台积电的3纳米级N3B 制程技术生产。同时，英特尔自己表示，其Lunar Lake CPU 将使用自己的intel 18A 制造制程。　　据悉，Lunar Lake与前两代英特尔笔记本电脑平台有所不同，将CPU、GPU和NPU集成到片上系统(SoC)中。在封装过程中，利用英特尔的Foveros先进工艺，将SoC与高速I/O芯片结合，并在同一IC基板上封装DRAM LPDDR5x与两个先进的封装芯片，展现了创新性的整合技术。　　关于这一合作，目前台积电和英特尔均未发表评论。
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发布时间：2023-11-23 09:42 阅读量：1700 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>大规模量产Intel 4工艺 采用EUV光刻
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英特尔大规模量产Intel 4工艺 采用EUV光刻

　　英特尔宣布在位于爱尔兰的Fab 34晶圆厂成功安装和调试了EUV(极紫外)光刻机，并已正常启用，准备开始Intel 4工艺的量产。 这将标志着极紫外 (EUV) 光刻技术首次用于欧洲批量生产。　　Intel 4工艺首发用于代号Meteor Lake的酷睿Ultra处理器，将在12月14日正式发布，面向主流和轻薄笔记本。　　目前，Intel正在稳步推进“四年五个制程节点”计划。　　其中，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产，前者用于12/13/14代酷睿。　　Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底。　　明年上半年，Intel将推出首个采用Inte 3工艺的Sierra Forest至强处理器，基于E核架构，最多288核心，随后是同样Intel 3工艺、P核设计的Granite Rapids。　　Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。　　此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel 18A制程设计套件(PDK)。
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发布时间：2023-10-13 09:22 阅读量：1153 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>与台积电联手开发多晶片封装芯片
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英特尔与台积电联手开发多晶片封装芯片

　　英特尔宣布，与台积电携手，打造全球首款符合Chiplet互连产业联盟(UCIe)标准的多晶片封装芯片，当中包含英特尔与台积电各自生产的IC。业界分析，Chiplet架构设计有助降低IC设计与系统客户成本，由于整合不同制程的芯片，并透过先进封装技术实现差异化堆叠，实现更多元芯片应用。　　Chiplet架构设计是一种新型的集成电路设计方法，它将芯片分解为多个较小的独立模块，每个模块称为芯片组件或者芯片块。这些芯片块可以由不同的制造商生产，并且可以在不同的芯片上进行组合，以构建出定制化的芯片解决方案。　　传统的芯片设计方法通常是将所有的电路和功能集成在一个单一的芯片中，这会导致芯片面积过大、功耗过高、设计周期长等问题。而Chiplet架构设计则可以将不同的功能模块分别设计，然后将它们组装在一起，以实现更高效、更灵活的芯片设计。　　英特尔和台积电是全球芯片行业的领军企业，它们联手打造多晶片封装芯片，将引领芯片行业的新趋势。随着Chiplet架构设计的不断发展和成熟，预计未来将有更多的芯片企业加入这一领域，推动芯片行业的创新和发展。
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发布时间：2023-09-25 14:37 阅读量：1770 继续阅读>>

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