MOSFET和IGBT有什么不同之处

发布时间：2023-02-13 10:40
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：924

　　MOS晶体管是MOSFET，中文全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，称为金氧半场效应晶体管是一种场效应晶体管可广泛用于模拟电路和数字电路。因为该FET的栅极由绝缘层隔离，所以也称为绝缘栅极FET。MOSFET可分为N沟道耗尽型和增强型；有四大类P沟耗尽型和增强型。接下来由Ameya360电子元器件采购网讲给大家进行介绍！

MOSFET和IGBT有什么不同之处

　　IGBT即绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅FET）组成的复合型全控电压驱动功率半导体器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大；MOSFET驱动功率小，开关速度快，但传导压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有较小的驱动功率和降低的饱和电压。非常适用于直流电压600V及以上的变流器系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

　　MOSFET有多种类型，但与IGBT最可比的是功率MOSFET。它设计用于处理重要的功率级别。它们只在“开”或“关”状态下使用，这使它们成为使用最广泛的低压开关。与IGBT相比，功率MOSFET在低电压下工作时具有更快的换向速度和更高的效率。

　　更重要的是，它可以保持高阻断电压和高电流。这是因为大多数功率MOSFET结构是垂直的（不是平面的）。其额定电压是N外延层掺杂和厚度的直接函数，其额定电流与沟道宽度有关（沟道越宽，电流越高）。由于其效率，功率MOSFET被用于电源、DC/DC转换器和低压电机控制器。

　　MOSFET和IGBT绝缘栅双极大功率管和其他器件在源极和栅极之间具有绝缘硅结构，直流电流无法通过，因此低频行为驱动功率接近于零。然而，栅极电容器Cgs形成在栅极和源极之间，因此当高频交替接通和需要关断时，需要一定的动态驱动功率。

　　由于大的栅极电容Cgs，低功率MOSFET的Cgs通常在10-100pF之间，对于高功率绝缘栅极功率器件。通常在1-100nF之间，需要较大的动态驱动功率。此外，由于漏极到栅极的米勒电容Cdg，栅极驱动功率通常不可忽略。由于IGBT具有电流拖尾效应，因此在停机期间需要更好的抗扰性，并且需要负电压驱动。MOSFET比较快，可以在没有负电压的情况下关断，但当干扰严重时，负电压关断对提高可靠性非常有利。

　　MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源，IGBT专注于焊接、逆变器、逆变器、电镀电源、超级音频感应加热等领域。


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　　俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。　　功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件相关选型法则，相信看完你会大有收获。　　第一步：选用N沟道还是P沟道　　为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。　　要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。　　第二步：确定额定电流　　第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。　　选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。　　第三步：确定热要求　　选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。　　器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。　　第四步：决定开关性能　　选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
2024-03-25 13:13 阅读量：753
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　　今天,Ameya360给大家介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。　　功率晶体管的特征与定位　　首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来的几篇将谈超级结MOSFET相关的话题，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上，根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。　　下图表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。　　平面MOSFET与超级结MOSFET　　Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面MOSFET和超级结MOSFET。简而言之，就是在功率晶体管的范围，为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。　　如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移层会增厚，存在导通电阻增加的课题。而超级结结构是排列多个垂直PN结的结构，可保持耐压的同时降低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷量Qg。　　另外，内部二极管的反向电流irr和反向恢复时间trr是作为晶体管的关断开关特性的探讨项目。如下面的波形图所示，基本上超级结MOSFET的PN结面积比平面MOSFET大，因此与平面MOSFET相比，具有trr速度更快、但irr较多的特性。　　这种特性作为超级结MOSFET的课题在不断改善，因其高速性和低噪声特征，超级结MOSFET有一些变化。从下篇开始，将介绍每种变化的特征。
2022-12-29 17:20 阅读量：1965
同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～
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同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。产品介绍资料（2.6MB）近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种需求，ROHM对以往的PrestoMOS™产品进行了改进，开发出具有比同等普通产品更低的导通电阻、有助于进一步降低应用产品功耗的新产品。此次开发的新系列产品采用ROHM的新工艺实现了业界超快的反向恢复时间（trr*1），同时，与反向恢复时间存在此消彼长关系的导通电阻*2最多也可以比同等的普通产品低20%。在反向恢复时间方面，继承了PrestoMOS™系列产品已经实现的105ns（纳秒）业界超快（与TO-220FM同等封装产品相比）反向恢复时间，而且开关时的功率损耗比同等普通产品低约17%。基于这两大特点，与同等的通用产品相比，新系列可大大提高应用产品的效率。除了上述系列之外，作为标准型600V耐压超级结 MOSFET，ROHM还开发了具有更低导通电阻的“R60xxYNx系列”，此次又新增了两款机型。客户可以根据应用需求选择合适的产品群。新产品已于2022年1月开始暂以月产10万个（样品价格900日元/个，不含税）的规模投入量产。今后，ROHM将继续开发抗噪性能更出色的新系列产品，不断扩大超级结 MOSFET系列产品的阵容，通过降低各种应用产品的功耗助力解决环境保护等社会问题。＜新产品特点＞1．实现业界超快的反向恢复时间，同时实现业界超低的导通电阻PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻，与同等普通产品相比，最多可减少20%（与TO-220FM同等封装产品相比），有助于进一步降低各种应用产品的功耗。2．具有业界超快的反向恢复时间，开关损耗更低通常，当工艺向更微细的方向发展时，导通电阻等基本性能会得到改善，但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而ROHM的PrestoMOS™“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技术，实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时，还实现了业界超快的105ns（纳秒）反向恢复时间（与TO-220FM同等封装产品比较）。由于抑制了额外的电流量，因此与同等的普通产品相比，开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下，包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300～400ns（纳秒）。由于上述两大特点，在搭载了追求高效率的同步整流升压电路*3的评估板上，与导通电阻60mΩ级的产品进行比较时，“R60xxVNx系列”表现出比同等普通产品更出色的效率，非常有助于降低光伏逆变器和不间断电源（UPS）等应用的功耗。＜产品阵容＞R60xxVNx系列（PrestoMOS™型）耐压VDS[V]导通电阻RONtyp.[mΩ]VGS=15V反向恢复时间trrtyp.[ns]封装TO-252＜DPAK＞（TO-220FM）＜TO-220FP＞TO-220ABTO-247AD（TO-247）60025065☆ R6013VND3☆ R6013VNX18068R6018VNX13080R6024VNXR6024VNX39592R6035VNXR6035VNX359112☆ R6055VNX☆ R6055VNX3R6055VNZ442125R6077VNZ422167☆ R60A4VNZ4☆: 开发中封装采用JEDEC标准。（ ）内表示ROHM封装，〈 〉内表示GENERAL代码。R60xxYNx系列（标准型）耐压VDS[V]导通电阻RONtyp.[mΩ]VGS=12V反向恢复时间trrtyp.[ns]封装TO-252＜DPAK＞（TO-220FM）＜TO-220FP＞TO-220ABTO-3PFTO-247AD（TO-247）MO-299（TOLL）600324200～600☆ R6010YND3☆ R6010YNX☆ R6010YNX3215☆ R6014YND3R6014YNX☆ R6014YNX3154R6020YNX☆ R6020YNX3☆ R6020YNZ4☆ R6020YNJ2137☆ R6022YNX☆ R6022YNX3☆ R6022YNZ4☆ R6022YNJ2112☆ R6027YNX☆ R6027YNX3☆ R6027YNZ4☆ R6027YNJ280☆ R6038YNX☆ R6038YNX3☆ R6038YNZ4☆ R6038YNJ268☆ R6049YNX☆ R6049YNX3☆ R6049YNZ4☆ R6049YNJ250☆ R6061YNX☆ R6061YNX3☆ R6061YNZ449☆ R6063YNJ236☆ R6086YNZ☆ R6086YNZ421☆ R60A4YNZ4☆: 开发中封装采用JEDEC标准。（ ）内表示ROHM封装，〈 〉内表示GENERAL代码。＜应用示例＞■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器（功率调节器）、不间断电源（UPS）等■空调等白色家电■其他各种设备的电机驱动和电源电路等＜什么是PrestoMOS™？＞Presto意为“非常快”，是源于意大利语的音乐术语。PrestoMOS™是采用了ROHM自有的Lifetime控制技术、并以业界超快的反向恢复时间（trr）著称的功率MOSFET。・PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标。＜用语说明＞*1) trr：反向恢复时间（Reverse Recovery Time）内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。*2) 导通电阻MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。*3) 同步整流升压电路通常，在由MOSFET和二极管组成的升压电路中，用来将二极管改为MOSFET以提升效率的电路。由于MOSFET导通电阻带来的损耗要小于二极管VF带来的功率损耗，因此这种电路的效率更高。＜宣传单＞600V耐压超级结MOSFET新系列 高速二极管内置型(PrestoMOS™) R60xxVNx系列/低导通电阻型R60xxYNx系列 (PDF:1.21MB)＜相关信息＞特设网页: 实现高速开关和低导通电阻　Super Junction MOSFE
2022-04-12 15:22 阅读量：2212
东南亚MOSFET产能“渐冻”，国内厂商争取“试用”机会
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东南亚MOSFET产能“渐冻”，国内厂商争取“试用”机会

随着全球疫情蔓延到东南亚国家，菲律宾、马来西亚、印度、越南、新加坡、泰国等国家相继采取了“封国”、“封城”的举措。因东南亚是国际IDM半导体原厂的制造基地，如Intel、TI、ON、ST、NXP、Infineon等，其中不乏功率器件大厂。MOSFET作为功率器件市占比最大(40%)的细分品类，东南亚“封国”是否对其供需带来波动?　　需求端不旺，MOSFET涨价乏力　　MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)，具有“输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单”等特点，可广泛应用于数字电路和模拟电路，如开关电源、镇流器、高频感应加热等领域。　　据《国际电子商情》了解，在2020年新冠疫情爆发初期MOSFET出现了短暂的缺货和涨价，但随着疫情在全球蔓延，需求端后劲不足，使得MOSFET价格重新趋于稳定。截至目前，高端MOSFET因英飞凌(Infineon)、安森美(ON)、意法半导体(ST)等IDM大厂主力产能位于东南亚国家而出现供应不足、交期延长。　　目前，高端MOSFET交期仍高达15-30周，而中低端MOSFET交期相对稳定，在4-8周左右。根据富昌电子(Future Electronics)2020年Q1市场行情报告显示，不考虑任何运输延误的前提下，分立器件Q1交期普遍受到影响，平均交期与上季度相比拉长4周左右，价格也将随市场状况做出调整。　　“节后大陆复工延迟、物流管控和订单积压等因素，对我们的产能和交期造成了一定影响，但目前情况已经逐步好转，交期仍维持在4-8周左右。”深圳基本半导体有限公司总经理和巍巍表示。　　目前，行业内碳化硅(SiC)肖特基二极管和碳化硅(SiC)MOSFET产品供货都相对正常，并没有出现严重缺货的情况。　　“新冠疫情带给供应链非常大的挑战。”和巍巍告诉《国际电子商情》记者，截至目前，最大的挑战是终端需求减弱，尤其是国外疫情发展势头迅猛，多国经济和生产基本处于停滞状态，中国企业出口订单大幅缩减甚至订单取消的情况频发，对以出口为主的企业影响非常大。当然因疫情造成的晶圆产能紧缺、缺工荒、物流运输等问题也在一定程度上影响供应链体系。新冠疫情打乱了电子供应链的节奏，业界对“疫情是否会重塑供应链格局”表示担忧。和巍巍坦言，新冠疫情势必会影响未来的全球供应链格局。对企业来说，“分布式”供应链将取代“集中式”供应链，“多元”供应商将取代“单一”供应商。从全球范围来看，中国已发展成为全球供应链中心。在后疫情时代，基于供应链安全、国家竞争等因素的考量，美、欧、日、印等国会逐渐重塑本国核心电子产业的供应链体系。　　竞争格局：仍以美日为主导　　从全球的竞争格局来看，MOSFET市场份额几乎都掌握在国际大厂手中，其中Infineon于2015年收购美国IR后成为行业NO.1，ON Semi于2016年9月完成对Fairchild的收购后，市占率跃升为全球第二。　　其余按销售额排名为Renesas、Toshiba、AOS、ST、Vishay、Nexperia、MagnaChip等等。韩系主要代表企业有MagnaChip、KEC、AUK、森名浩、信安、KIA;中国台湾的代表企业是ANPEC、CET以及友顺UTC等。　　业内人士都知道，功率半导体行业壁垒较高，在高端功率器件领域，几乎是欧美、日本龙头厂商的天下。根据IHS统计，Infineon、ON、ST、三菱电机、Toshiba是全球前五的功率半导体供应商，市场占比共达到42.6%，而前十大供应商的占比达到60.6%。　　单从需求端来看，中国已是全球最大的功率半导体消费国。根据Yole数据，中国功率半导体市场空间占全球的39%，位居全球第一位。而在中国MOSFET市场中，市占率排名前三的分别是Infineon、ON和华润微，市占率分别为28.4%、16.9%和 8.7%，华润微是唯一市占率进入国内市场前五的中国企业。　　从应用领域来看，自2020年开始，Infineon、ST等大厂开始将MOSFET产能转至高毛利的5G基站和新能源汽车领域;台系厂商如杰力、尼克松等将重心放到PC及服务器上;大陆厂商在稳固家电、电动自行车、平衡车等中低压MOSFET市场的同时，不断向高压、大功率技术迈进，并在第三代半导体材料(宽禁带半导体材料，SiC、NaN等)技术上面取得突破。　　业内人士均晓，欧美日的功率半导体厂商大多采用IDM模式，有完整的晶圆厂、芯片制造厂和封装厂，垂直整合优势明显，对成本和质量控制能力很强，且以高端产品为主;中国大陆厂商大多也是IDM模式，但产品以低端二极管和低压MOSFET为主，实力相对较弱;中国台湾以Fabless模式为主，主要负责芯片制造和封装。　　相比国际巨头，中国大陆厂商在市场规模上仍有差距，不过大陆在中低压MOSFET领域替换进口品牌潜力很大，如士兰微、华润微(中航)、华微、扬杰电子、新洁能、华晶微等正在努力进入一线阵列，特别是当前疫情在全球范围内蔓延，而中国作为目前最安全的制造基地和消费市场，无疑给本土MOSFET厂商带来一定的替代机会。　依靠国内的终端消费需求催化，包括新能源汽车、消费类电子(家电)、工业等多领域的加速进口替代，相关功率半导体器件厂商有望充分受益。　　国产MOSFET争取“试用”机会　　对中国企业来说，挑战和机遇并存；一方面部分产业会逐渐外迁，并面临发达国家更加严厉的技术封锁，冲击国内就业市场和外贸市场，但同时给国产自主化带来很大的发展空间，国家不断加大投入，出台各项扶持政策，企业自主创新能力提升，国内科技自主化进程将加快。　　在MOSFET国产替代方面，三大原因促使国内厂商有在功率半导体领域逐步实现替代。　　(1)下游厂商为保障供应链安全，给予国内企业更多机会参与同台竞技。功率器件在下游产成品中成本占比较低，但是对产品性能和耐用性起到至关重要的作用，因此下游厂商缺乏动力替换供应商。即使产品性能一致，国内厂商也缺乏机会进入供应链。而在保证供应链安全的前提下，国内厂商有更多机会参与送样，实现供应链的突破。　　(2)国内企业与国际一流技术水平差距缩小。因为模拟电路设计和工艺制程更新速度相对较慢，所以国内厂商有机会拉近与一流水平的差距，以 BCD 工艺制程为例，目前量产的最先进工艺是130nm的第六代工艺。　　(3)国内企业更贴近用户，便于配合客户做定制化开发。由于国际功率半导体企业大部分研发部门在海外，部分客户的定制化需求不能得到及时的满足。而国内功率企业研发团队更贴近客户，能更方便地满足客户针对不同场景的定制化需求。在二极管、低压 MOSFET、晶闸管等领域，本土厂商已经开始进口替代，但市场份额占比仍然较低，未来有望依靠上述优势提升市占率。而在高压MOSFET 和IGBT器件等中高端领域，目前部分企业已经实现突破，未来市占率的提升需要依靠制造工艺的不断升级和设计水平的提高。
2020-05-22 00:00 阅读量：1177
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