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英飞凌推出用于功率<span style='color:red'>MOSFET</span>的新型顶部冷却封装

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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型顶部冷却封装

　　英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计，并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此，SSO10T TSC适用于电动助力转向(EPS)、电子机械制动(EMB)、配电、无刷直流驱动器(BLDC)、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。　　SSO10T TSC的占板面积为5 x 7 mm²，并且基于已确立的行业标准 SSO8(5 x 6 mm²的坚固外壳)。但由于采用了顶部冷却，SSO10 TSC的性能比标准SSO8高出 20%以上，最高可高出50%(具体取决于所使用的热界面(TIM)材料和TIM的厚度)。SSO10T TSC封装被JEDEC列为开放市场产品，能够与开放市场第二供应商的产品进行广泛兼容。因此，该封装可作为未来顶部冷却标准快速、轻松地推出。　　SSO10T半导体封装能够实现高度紧凑的PCB设计，减少系统占用空间。它还通过消除通孔降低了冷却设计的成本，进而减少了整体系统成本和设计工作量。同时，该封装还提供高功率密度和高效率，从而支持面向未来的可持续汽车的发展。

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英飞凌

发布时间：2024-04-16 09:41 阅读量：324 继续阅读>>

<span style='color:red'>MOSFET</span>器件选型考虑哪些因素？4大法则搞定<span style='color:red'>MOSFET</span>器件选型

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MOSFET器件选型考虑哪些因素？4大法则搞定MOSFET器件选型

　　俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。　　功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件相关选型法则，相信看完你会大有收获。　　第一步：选用N沟道还是P沟道　　为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。　　要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。　　第二步：确定额定电流　　第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。　　选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。　　第三步：确定热要求　　选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。　　器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。　　第四步：决定开关性能　　选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。

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MOSFET

发布时间：2024-03-25 13:13 阅读量：696 继续阅读>>

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IGBT与MOSFET的区别

　　IGBT和MOSFET是当今电子领域中常见的功率半导体器件，它们在电力控制、变换器等领域发挥着重要作用。虽然两者在某些方面有相似之处，但在结构、工作原理和应用场景上存在明显差异。　　1.结构差异　　IGBT：IGBT是一种混合型半导体器件，结合了双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)的优点。其结构包括PNP型双极晶体管结构和场效应晶体管的栅极。通过加在栅极上的电压信号来控制器件的导通和截止。　　MOSFET：MOSFET是一种场效应晶体管，由金属氧化物半导体结构组成。其主要部分包括栅极、漏极和源极，通过栅极电场控制沟道的导电性，实现器件的导通与截止。　　2.工作原理差异　　IGBT：IGBT的开关速度相对较慢，主要由栅极驱动电路决定。当栅极施加正向电压时，激活PNP晶体管，形成导通;当施加负向电压或零电压时，晶体管截止。　　MOSFET：MOSFET具有较快的开关速度，由于栅极电场可以控制电流流经的沟道，因此具有较低的导通电阻。当栅极施加正向电压时，激活沟道导通;当栅极施加负向电压或零电压时，沟道截止。　　3.特性比较　　3.1 耗散功率　　IGBT：在高功率应用中具有较高的耗散能力，适用于大功率交流调制。　　MOSFET：具有较低的开关损耗和导通电阻，适用于高频开关电源。　　3.2 开关速度　　IGBT：开关速度较慢，适用于低频调制及大功率应用。　　MOSFET：开关速度较快，适用于高频开关电源和高速开关应用。　　3.3 结构复杂性　　IGBT：相对MOSFET而言结构较为复杂，包含双极型晶体管结构。　　MOSFET：结构简单，易于集成和制造。　　3.4 环境适应性　　IGBT：具有较强的耐压和耐热性，适用于高温高压环境下的应用。　　MOSFET：对于温度和电压波动较为敏感，需配合保护电路使用。　　3.5 应用领域　　IGBT：广泛应用于电力变换器、电机驱动、逆变器等大功率应用领域。　　MOSFET：主要应用于功率放大、开关电源、模拟电路等低功率高频应用领域。　　4.适用场景比较　　4.1 电力控制　　IGBT：在大功率电力控制系统中得到广泛应用，如变频调速、电力传输等。　　MOSFET：在低功率电力控制系统中具有优势，如开关电源、电池管理等。　　4.2 温度要求　　IGBT：耐高温性较强，适用于高温环境下的电力控制系统。　　MOSFET：对温度敏感，适用于一般温度环境下的应用。　　4.3 频率要求　　IGBT：适用于低频调制，如电机驱动等需要稳定输出的场景。　　MOSFET：适用于高频开关电源、射频功率放大器等需要快速响应的场景。　　4.4 体积和效率　　IGBT：由于结构复杂，通常体积较大，但在大功率情况下具有高效率。　　MOSFET：体积小巧，适合集成化设计，提高系统效率。　　4.5 成本考量　　IGBT：相对MOSFET而言，价格更低廉，适合大功率应用场景。　　MOSFET：价格略高，但在低功率高频应用中性能更为出色。　　IGBT和MOSFET作为电子领域中重要的功率半导体器件，各自具有独特的特性和适用场景。IGBT在大功率、低频电力控制领域具有优势，而MOSFET则在低功率、高频应用中表现较为突出。

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IGBT

发布时间：2024-03-19 11:23 阅读量：511 继续阅读>>

英飞凌推出第二代CoolSiC <span style='color:red'>MOSFET</span> 为电力电子领域设定新标准

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英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET 为电力电子领域设定新标准

　　在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的关键因素。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞凌科技股份公司近日推出了新型的碳化硅CoolSiC MOSFET G2沟槽技术。这一技术为AC/DC、DC/DC、DC/AC电源方案中的功率传输效率设定了新的标准，引领着电力电子领域的发展。　　与传统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上，使得在相同的条件下，它能够以更高的效率进行电力转换。此外，SiC MOSFET的快速开关能力也提高了30%以上，进一步增强了其在各种应用中的性能表现。这些优势使得G2在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电以及UPS等多种运行模式下都能实现较低的功率损耗，为现场处理的每瓦特节能提供了强有力的支持。　　值得一提的是，英飞凌独特的.XT互连技术也在其中发挥了重要作用。该技术有助于在保持热性能的同时提高半导体芯片的性能，从而克服了该领域的常见挑战。新一代产品的热性能提高了12%，将芯片的品质因数提升到了SiC性能的新水平。此外，CoolSiC G2 MOSFET产品组合还实现了SiC MOSFET市场中最低的导通电阻(Rdson)，进一步提高了能效和功率密度，并减少了零件数量。　　除了卓越的性能表现，CoolSiC MOSFET G2还提升了可靠性，以确保在长期现场运行中达到最佳性能。其中，1200V产品组合可在150℃可靠运行，并具有高达200°C虚拟结温的过载操作能力，使得系统设计人员能够更灵活地应对电网波动等挑战，同时减少冷却工作并简化系统设计。　　英飞凌科技股份公司的CoolSiC MOSFET G2技术的推出，开启了电力系统和能源转换的新篇章。该技术不仅提高了整体能源效率，进一步促进了脱碳，而且为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用的客户带来了巨大的优势。与前几代产品相比，配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站可减少高达10%的功率损耗，同时在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电容量。基于CoolSiC G2器件的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时缩小尺寸，从而降低每瓦成本。　　英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士表示：“大趋势需要新的、高效的方式来产生、传输和消耗能源。凭借CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化、紧凑、可靠且高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。”　　英飞凌领先的CoolSiC MOSFET沟槽技术结合屡获殊荣的.XT封装技术，进一步增强了基于CoolSiC G2的设计潜力，具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。此外，英飞凌掌握硅、碳化硅和氮化镓(GaN)领域的所有相关功率技术，提供设计灵活性和领先的应用专业知识，满足现代设计人员的期望和需求。基于SiC和GaN等宽带隙(WBG)材料的创新半导体是有意识、高效利用能源促进脱碳的关键。

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英飞凌

发布时间：2024-03-13 09:39 阅读量：893 继续阅读>>

尼得科：<span style='color:red'>MOSFET</span>和IGBT功率半导体介绍

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尼得科：MOSFET和IGBT功率半导体介绍

　　随着科技的飞速发展，功率半导体器件正日益成为日常生活和工业生产中不可或缺的技术支持。它们不仅广泛应用于手机、电脑等消费电子设备，更深度涉及到汽车、人工智能等多个领域。因此，为了更好地适应市场需求，功率半导体器件的开发和生产正在朝着更高效、更可靠以及更本地化的方向迅猛发展。　　其中，MOSFET和IGBT是目前功率半导体产品的主力，让我们一起来了解一下他们的特点吧!　　随着MOSFET和IGBT等功率半导体广泛应用，市场需求上升，性能要求增加。尤其在车规级别，对安全性能要求更高。因此，在功率半导体投入使用前，对其进行专业参数测试至关重要。为此，尼得科精密检测科技株式会社(尼得科集团旗下子公司)推出两款新型功率半导体检测装置。　　特征1：　　通过各检测工作台相连接的方式实现高达 144UPH(25 秒/Unit)的工作量。　　特征2：　　一键式装卸的结构以及通用型治具的采用，大幅度降低了对应不同品类的治具的安装时间以及治具成本。　　特征3：　　实现行业高水平的低Ls 4.5nH，可进行高精度检测提案。　　除了实现自动检测的NATS-1000，还有手动款NATS-1630/1730可以选择，其在NATS系列的高精度&高速度检测基础上，操作更加简单，可选择手动/在线/加载和卸载配置，客制化检测路径!　　尼得科精密检测科技株式会社的功率半导体检测装置在2023年亮相于PCIM展会，在展会上引起了各行业客户的关注与认可。　　今后，为响应碳中和的愿景，准确把握新能源发展市场的脉搏，尼得科精密检测科技株式会社将持续深耕电气和电子相关行业领域，不断进行技术研究和实践，致力于为半导体行业提供专业的检测检查技术，为推动更安全、更高效的社会做出积极贡献。

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发布时间：2024-02-20 09:28 阅读量：1405 继续阅读>>

ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction <span style='color:red'>MOSFET</span>

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ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。　　近年来，随着照明用的小型电源和电泵用电机的性能提升，对于在这些应用中发挥开关作用的MOSFET的更小型产品需求高涨。通常，对于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐压和低导通电阻特性理想平衡的同时，很难进一步缩小体积。此次，ROHM通过改进内置芯片的形状，在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的SOT-223-3封装新产品。　　与以往TO-252封装(6.60mm×10.00mm×2.30mm)的产品相比，新产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。另外，新产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案(焊盘图案)，因此也可以直接使用现有的电路板。　　五款新产品分别适用于小型电源和电机应用，各有不同的特点。适用于小型电源的有3款型号，“R6004END4”具有低噪声的特点，适用于需要采取降噪措施的应用;“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点，适用于需要低损耗且高效率工作的应用;“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间(trr*2)并大大降低了开关损耗，属于“PrestoMOS”产品，非常适用于电机应用。　　此外，为了加快这些产品的应用，在ROHM官网上还免费提供电路设计所需的应用指南和各种技术资料，以及仿真用的SPICE模型等资源。　　新产品已于2023年11月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格400日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，从Ameya360等电商平台可购买。　　今后，ROHM将继续开发不同封装和低导通电阻产品，不断扩大Super Junction MOSFET的产品阵容，通过助力各种设备降低功耗，来为解决环境保护等社会课题做出贡献。　　<应用示例>　　・R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空调、冰箱等　　・R6002JND4 / R6003JND4：电泵、风扇、复印机等使用的电机　　<电商销售信息>　　开始销售时间：2023年12月起　　电商平台：Ameya360　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　OHM的官网上提供与SOT-223-3封装相关的应用指南以及各种电路设计所需的资料。　　https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet　　<什么是PrestoMOS>Presto意为“非常快”，源于意大利语的音乐术语。　　PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌，该品牌的MOSFET产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。　　<术语解说>　　*1) Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)　　MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同又可细分为Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。　　*2) trr：反向恢复时间(Reverse Recovery Time)　　内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。

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ROHM

发布时间：2023-12-07 15:30 阅读量：1266 继续阅读>>

英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V <span style='color:red'>MOSFET</span>，创建行业新基准

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英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，创建行业新基准

　　英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS™ 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS™ 7 MOSFET 技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。　　与 OptiMOS™ 5 25 V 相比，更低的击穿电压可显著降低通态电阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS ，成为同类最佳的产品。可选的组合包括 PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装(带底部和双面散热型)、衬底上的标准栅和中心栅电极，可灵活优化的 PCB 布局设计，以及紧凑的超小型PQFN 2x2 mm2封装。脉冲电流能力超过 500 A，Rthjc为 1.6 K/W。结合源极底置封装，不仅降低了导通和开关损耗，同时简化散热管理，还将功率密度和效率推向了新高度。该产品系列为支持数据中心配电架构的新趋势(如48:1 DC-DC 转换)提供了飞跃性的支持，开启服务器、数据通信和人工智能应用升级的新篇章，同时最大限度地减少了碳足迹。　　主要特点　　业内首款 15 V 沟槽功率 MOSFET　　与 25 V 节点相比，RDS(on) 达到新基准　　出色的 FOMQg/ FOMQOSS　　极低的寄生效应　　提供标准和中心栅极引脚　　可选双面散热型　　主要优势　　适用于高转换率DC-DC 转换器　　降低导通/开关损耗　　最佳开关性能和低过冲　　源极底置中心栅极可优化并联电路布局　　源极底置标准栅极可与现有PCB 布局轻松匹配　　双面散热，提高散热性能　　价值主张　　适用于高比率 DC-DC 转换器：　　业内首款工业级 15V 垂直沟槽技术功率MOSFET　　与 OptiMOS™ 5 25V 相比，RDS(on),max4,5 降低 30%　　出色的 FOMQOSS 和 FOMQg　　紧凑的PQFN 2x2 mm2封装　　ID(pulse)=516A，RthJCmax=3.2K/W　　双面散热PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装：　　- 简化散热管理　　- 降低系统温度　　提高功率密度　　15V产品组合

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英飞凌

发布时间：2023-11-29 11:05 阅读量：1709 继续阅读>>

方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型<span style='color:red'>MOSFET</span>在PWM IC供电方案中的应用

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方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

　　ARK（方舟微）研发的UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压60V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。　　该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　01　　典型电路　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：　　图1. UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路　　02　　应用原理　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：　　如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|VGS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|VGS(OFF)|相等。　　而在图1所示电路中，VGS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS|≤|VGS(OFF)|(MAX)，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS|也唯一确定。　　因此使用ARK（方舟微）UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。

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方舟微

发布时间：2023-11-17 15:49 阅读量：1409 继续阅读>>

麦思浦半导体首款2500V超高压<span style='color:red'>MOSFET</span> MS1N250HGC0上线

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麦思浦半导体首款2500V超高压MOSFET MS1N250HGC0上线

　　MS1N250HGC0是麦思浦半导体推出的首款2500V超高压MOSFET，进一步扩充超高压系列MOSFET的产品阵容，较之竞品具有电压较高电阻较低的优势;栅极电荷最小化，能够有效减少开关损耗，可应用于新能源、通信、光伏、和航天航空等领域。　　麦思浦半导体在2022年研制出国内首款2000V和2500V的超高压MOSFET，专注于900V-4700V的超高压MOSFET，细分市场的研发、设计与销售，是国内极少数成功开发出1000V以上VDMOS产品，并实现系列化量产的公司。　　深圳市麦思浦半导体有限公司，是一家致力于功率半导体研发设计、制造与品牌营销的专精特新及国家级高新技术企业，公司总部位于深圳，在上海，深圳有研发中心，公司主要产品是超高压MOSFET，专注于电压1000V—4700V超高压MOS精细化开发，解决客户缺芯问题，主要服务于工业电源，光伏储能，仪器仪表，医疗电源，国网电力电源等行业。

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麦思浦

发布时间：2023-11-08 11:44 阅读量：1167 继续阅读>>

上海雷卯：功率<span style='color:red'>MOSFET</span>选型的几点经验

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上海雷卯：功率MOSFET选型的几点经验

　　在此，AMEYA360根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。　　由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。　　功率MOSFET的分类及优缺点　　和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势(请查阅资料，不详述)，但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。　　MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等;缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。　　言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型　　1、我的应用该选择哪种类型的MOSFET?　　前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢?如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然!　　负载(Load)的连接方式决定了所选MOSFET的类型，这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时，采用P沟道MOSFET;当负载连接电源电压时，选择N沟道MOSFET。　　2、确定额定电压与额定电流　　选好MOSFET的类型后，接下来要做的是确定在你的设计中，漏极和源级间可能承受的最大电压，即最大VDS 。MOSFET能承受的最大电压会随温度变化，这是我们工程师在设计时必须考虑到的，必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。　　接下来，说点实际的：　　MOSFET在关断瞬间，会承受到最大的电压冲击，这个最大电压跟负载有很大关系：如果是阻性负载，那就是来自VCC端的电压，但还需要考虑电源本身的质量，如果电源质量不佳，需要在前级加些必要的保护措施;如果是感性负载，那承受的电压会大不少，因为电感在关断瞬间会产生感生电动势(电磁感应定律)，其方向与VCC方向相同(楞次定律)，承受的最大电压为VCC与感生电动势之和;如果是变压器负载的话，在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。

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上海雷卯

发布时间：2023-10-25 10:23 阅读量：1171 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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