同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ~非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗~

Release time:2022-04-12
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source:Rohm
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全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型,新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。

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近年来,随着全球电力消耗量的增加,如何有效利用电力已成为亟待解决的课题,在这种背景下,电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升,因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种需求,ROHM对以往的PrestoMOS™产品进行了改进,开发出具有比同等普通产品更低的导通电阻、有助于进一步降低应用产品功耗的新产品。

此次开发的新系列产品采用ROHM的新工艺实现了业界超快的反向恢复时间(trr*1),同时,与反向恢复时间存在此消彼长关系的导通电阻*2最多也可以比同等的普通产品低20%。在反向恢复时间方面,继承了PrestoMOS™系列产品已经实现的105ns(纳秒)业界超快(与TO-220FM同等封装产品相比)反向恢复时间,而且开关时的功率损耗比同等普通产品低约17%。基于这两大特点,与同等的通用产品相比,新系列可大大提高应用产品的效率。

除了上述系列之外,作为标准型600V耐压超级结 MOSFET,ROHM还开发了具有更低导通电阻的“R60xxYNx系列”,此次又新增了两款机型。客户可以根据应用需求选择合适的产品群。

新产品已于2022年1月开始暂以月产10万个(样品价格900日元/个,不含税)的规模投入量产。

今后,ROHM将继续开发抗噪性能更出色的新系列产品,不断扩大超级结 MOSFET系列产品的阵容,通过降低各种应用产品的功耗助力解决环境保护等社会问题。

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<新产品特点>

1.实现业界超快的反向恢复时间,同时实现业界超低的导通电阻

PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻,与同等普通产品相比,最多可减少20%(与TO-220FM同等封装产品相比),有助于进一步降低各种应用产品的功耗。

2.具有业界超快的反向恢复时间,开关损耗更低

通常,当工艺向更微细的方向发展时,导通电阻等基本性能会得到改善,但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而ROHM的PrestoMOS™“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技术,实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时,还实现了业界超快的105ns(纳秒)反向恢复时间(与TO-220FM同等封装产品比较)。由于抑制了额外的电流量,因此与同等的普通产品相比,开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下,包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300~400ns(纳秒)。

具有业界超快的反向恢复时间,开关损耗更低

由于上述两大特点,在搭载了追求高效率的同步整流升压电路*3的评估板上,与导通电阻60mΩ级的产品进行比较时,“R60xxVNx系列”表现出比同等普通产品更出色的效率,非常有助于降低光伏逆变器和不间断电源(UPS)等应用的功耗。

效率比较


<产品阵容>

R60xxVNx系列(PrestoMOS™型)

耐压
VDS
[V]
导通电阻
RON
typ.
[mΩ]
VGS=15V
反向
恢复
时间
trr
typ.
[ns]
封装
TO-252
<DPAK>
(TO-220FM)
<TO-220FP>
TO-220ABTO-247AD
(TO-247)
60025065☆ R6013VND3☆ R6013VNX

18068

R6018VNX


13080

R6024VNX

R6024VNX3

9592

R6035VNX

R6035VNX3

59112
☆ R6055VNX☆ R6055VNX3
R6055VNZ4
42125



R6077VNZ4
22167


☆ R60A4VNZ4

☆: 开发中

封装采用JEDEC标准。( )内表示ROHM封装,〈 〉内表示GENERAL代码。

R60xxYNx系列(标准型)

耐压
VDS
[V]
导通电阻
RON
typ.
[mΩ]
VGS=12V
反向
恢复
时间
trr
typ.
[ns]
封装
TO-252
<DPAK>
(TO-220FM)
<TO-220FP>
TO-220ABTO-3PFTO-247AD
(TO-247)
MO-299
(TOLL)
600324200~600☆ R6010YND3☆ R6010YNX☆ R6010YNX3


215☆ R6014YND3
R6014YNX
☆ R6014YNX3


154

R6020YNX
☆ R6020YNX3
☆ R6020YNZ4☆ R6020YNJ2
137
☆ R6022YNX☆ R6022YNX3
☆ R6022YNZ4☆ R6022YNJ2
112
☆ R6027YNX☆ R6027YNX3
☆ R6027YNZ4☆ R6027YNJ2
80
☆ R6038YNX☆ R6038YNX3
☆ R6038YNZ4☆ R6038YNJ2
68
☆ R6049YNX☆ R6049YNX3
☆ R6049YNZ4☆ R6049YNJ2
50
☆ R6061YNX☆ R6061YNX3
☆ R6061YNZ4
49




☆ R6063YNJ2
36


☆ R6086YNZ☆ R6086YNZ4
21



☆ R60A4YNZ4

☆: 开发中

封装采用JEDEC标准。( )内表示ROHM封装,〈 〉内表示GENERAL代码。


<应用示例>

■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器(功率调节器)、不间断电源(UPS)等
■空调等白色家电
■其他各种设备的电机驱动和电源电路等


<什么是PrestoMOS™?>

Presto意为“非常快”,是源于意大利语的音乐术语。
PrestoMOS™是采用了ROHM自有的Lifetime控制技术、并以业界超快的反向恢复时间(trr)著称的功率MOSFET。

・PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标。


用语说明>

*1) trr:反向恢复时间(Reverse Recovery Time)
内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低,开关时的损耗越小。

*2) 导通电阻
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小,导通时的损耗(功率损耗)越少。

*3) 同步整流升压电路
通常,在由MOSFET和二极管组成的升压电路中,用来将二极管改为MOSFET以提升效率的电路。由于MOSFET导通电阻带来的损耗要小于二极管VF带来的功率损耗,因此这种电路的效率更高。

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<宣传单>

600V耐压超级结MOSFET新系列 高速二极管内置型(PrestoMOS™) R60xxVNx系列/低导通电阻型R60xxYNx系列 (PDF:1.21MB)

<相关信息>

特设网页: 实现高速开关和低导通电阻 Super Junction MOSFE



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