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这40个实用模拟<span style='color:red'>电路</span>常识，你都知道吗？

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这40个实用模拟电路常识，你都知道吗？

　　1、电接口设计中，反射衰减通常在高频情况下变差，这是因为带损耗的传输线反射同频率相关，这种情况下，尽量缩短PCB走线就显得异常重要。　　2、稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种击穿是非破坏性的。　　3、PN结具有一种很好的数学模型：开关模型→二极管诞生了→再来一个PN结，三极管诞生了。　　4、高频电路中，必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容)。　　5、在高密度的场合下，由于收发信号挨在一起，很容易发生串扰，这在布线时要遵守3W原则，即相邻PCB走线的中心线间距要大于PCB线宽的3倍。在插卡设备，接插件连接的位置，要有许多接地针，提供良好的射频回路。　　6、双极型管是电流控制器件，通过基极较小的电流控制较大的集电极电流;MOS管是电压控制器件，通过栅极电压控制源漏间导通电阻。　　7、三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴，发射区为电子)的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)。　　8、肖特基二极管(Schottky, SBD)适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低(0.2V)但是反向击穿电压较低，漏电流也较大。　　9、抖动特性绝大部分取决于输出芯片的特性，不过，如果PCB布线不当，电源滤波不够充分，时钟参考源太冲太大也会增加抖动成分。信号线的匹配对抖动产生直接的影响。特别是芯片中含有倍频功能，本身相位噪声较大。　　10、极型选择是指BJT是用PNP还是NPN管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。　　11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”，FET中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子，“多子”。　　12、发射极正偏，集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式：共基极，共发射极(最多，因为电流，电压，功率均可以放大)，共集电极。判别三种组态的方法：共发射极，由基极输入，集电极输出;共集电极，由基极输入，发射极输出;共基极，由发射极输入，集电极输出。　　13、三极管主要参数：电流放大系数β，极间反向电流，(集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域)。　　14、因J-FET的Rgs很高，在使用时首先应注意无静电操作，否则很容易发生栅极击穿;另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数，不能超出范围。将J-FET当做可变电阻使用时应保证器件有正确的偏置，不能使之进入恒流区。　　15、射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响(双电源更好)。　　16、三种BJT放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入R大，输出R小，用作输入级，输出级。共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好。　　17、去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路。　　18、MOS-FET在使用中除了正确选择参数以及正确的计算外，最值得强调的仍然是防静电操作问题，在电路调试、焊接、安装过程中，一定要严格按照防静电程序操作。　　19、主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。　　20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate,门一样的存在，和基极的作用差不多>其中P型衬底一般与栅极g相连。　　21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用(开启电压Vt)，耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有较大的漏极电流流向源极(如果加负的Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***：可以在正负的栅源电压下工作)　　22、N沟道的MOS管需要正的Vds(相当于三极管加在集电极的Vcc)和正的Vt(相当于三极管基极和发射极的Vbe)，而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt。　　23、VMOSFET有高输入阻抗、低驱动电流;开关速度快、高频特性好;负电流温度系数、无热恶性循环，热稳定型优良的优点。　　24、运算放大器应用时，一般应用负反馈电流。　　25、差分式放大电路：差模信号：两输入信号之差。共模信号：两输入信号之和除以2。由此：用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型：任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2。　　26、差分式放大电路只放大差模信号，抑制共模信号。利用这个特性，可以很好的抑制温度等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标：共模抑制比Kcmr。　　27、二极管在从正偏转换到反偏的时候，会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极，其反向电流先上升到峰值，然后下降到零。　　28、在理想的情况下，若推挽电路的两只晶体管电流、电压波完全对称，则输出电流中将没有偶次谐波成分，及推挽电路由已知偶次谐波的作用。实际上由于两管特性总有差异，电路也不可能完全对称，因此输出电流还会有偶次谐波成分，为了减少非线性失真，因尽量精选配对管子。　　29、为了获得大的输出功率，加在功率晶体管上的电压、电流就很大，晶体管工作在大信号状态下。这样晶体管的安全工作就成为功率放大器的一个重要问题，一般不以超过管子的极限参数(Icm、BVceo、Pcm)为限度。　　30、放大电路的干扰：1、将电源远离放大电路2、输入级屏蔽3、直流电源电压波动(采用稳压电源，输入和输出加上滤波电容)。　　31、负反馈放大电路的四种组态：电压串联负反馈(稳定输出电压)，电压并联负反馈，电流串联负反馈(稳定输出电流)，电流并联负反馈。　　32、电压、电流反馈判定方法：输出短路法，设RL=0，如果反馈信号不存在，为电压反馈，反之，则为电流反馈。　　33、串联、并联反馈的判定方法：反馈信号与输入信号的求和方式，若为电压形式，则为串联反馈，若为电流形式，则为并联反馈。　　34、对于NPN电路，对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VBE(VBE=VB-VE)，从而控制IB，并进一步控制IC(从电位更高的地方流进C极，你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗)。　　35、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd)，VSS是接地点;在场效应管(或COMS器件)中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。　　36、示波器探头有一条地线和一条信号线，地线就是和示波器输入端子外壳通的那一条，一般是夹子状的，信号线一般带有一个探头钩，连接的话你把示波器地线接到你设备的地，把信号线端子接到你的信号端，注意如果要测量的信号和市电没有隔离，则不能直接测量。　　37、驱动能力不足有两种情况：一是器件的输入电阻太小，输出波形会变形，如TTL电平驱动不了继电器;二是器件输入电阻够大，但是达不到器件的功率，如小功率的功放，驱动大功率的喇叭，喇叭能响，但音量很小，其实是输出的电压不够大。　　38、滤波电路：利用电抗元件的储能作用，可以起到很好的滤波作用。电感(串联，大功率)和电容(并联，小功率)均可以起到平波的作用。　　39、开关稳压电源与线性电源：线性电源效率低、发热强、但是输出很稳定。开关电源效率高、发热一般、但输出纹波大，需要平波。　　40、由电路内因引发的故障类型有：晶体管、电容、电阻等电子元件性能发生改变引发的故障;电子电路中有关线路接触不良引发的故障等。由外因引起的电子电路故障类型有：技术人员使用电子电路时未按照说明要求进行操作;维修技术人员维修程序不规范不科学等。

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模拟电路

发布时间：2024-04-25 09:59 阅读量：351 继续阅读>>

电源常用通讯<span style='color:red'>电路</span>详解！

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电源常用通讯电路详解！

　　一、常用的通讯方式　　在前面数字电源与模拟电源中有讲到，为了能够更好的实现数字电源的管理与控制，数字电源需要具备通讯功能。　　通过上位机软件，工程师能够设置电源参数并控制电源状态。但是由于数字电源控制核心输出的是TTL电平，与外围设备通讯时存在电平标准定义不一致的情况，因此需要电平转换芯片来实现两者间的数据交换。数字电源中常用的通讯方式包括RS485、RS232、CAN、TCP/IP以及I2C等。　　(一)通讯方式分类　　通讯方式按照数据的传输方式分为串行通讯以及并行通讯。　　并行通讯：以字节或字节倍数为传输单位进行传输，传输速度快但远距离时成本高，适合于近距离、大量和快速的信息交换场景。　　串行通讯：又称为点对点通讯，通讯一次发送一位数据，线路少成本低，易于扩展，适合远距离传输，是目前最为常用的通讯方式。　　按照不同分类方式，串行通讯又可以分为以下几种：　　1、按照通讯方向分为单工通讯、半双工通讯以及全双工通讯。①单工通讯中信息只能单向传输，收发端固定不变。②半双工通讯信息可双向传输，但发送与接收不能同时进行，通讯收发端可变，如对讲机就是典型的半双工通讯方式。③全双工通讯允许数据同时在两个方向上传输，在每一端都设置了发送器和接收器，并配置2根数据线进行信号传递。　　2、按照数据同步方式可分为同步通讯与异步通讯。①同步通讯要求收发端的时钟频率一致，信息帧由同步字符、数据字符和校验字符(CRC)组成。②异步通讯时不要求收发端时钟同步，发送时间间隔不定，传输时应给字节加上开始位和停止位，以便接收端正确接收信息。　　(二)通讯方式对比这里对数字电源中常用通讯方式进行了对比。　　二、通讯电路介绍　　(一)RS232RS-232采用负逻辑电平，“0”电平电压范围为3~15V，“1”电平电压范围为-15~-3V，9引脚是目前主流的接口形态。RS-232电平转换电路分隔离与非隔离两种。　　其中非隔离型电路可利用三极管或非隔离电平转换芯片实现(如ADI公司的MAX232ESE、ADM232AARNZ 以及ti公司的MAX3232IDR等)。而隔离型电平转换芯片有RSM232，ADI的ADM3251EARWZ以及Maxliner的 SP3232EEY等。　　本文提供了一种典型的三极管电平转换电路以及RSM232的接口连接电路图。　　三极管电平转换电路的工作原理分析：　　通过二极管D1与电容C7的作用使得A点电压保持在-3V~-15V。　　当TXD=1时，Q3截止，PCRXD电压与PCTXD电压相等，PCRXD=1;　　当TXD=0时，Q3导通，则PCRXD电压约为+5V，PCRXD=0。　　当PCTXD=1时，Q4截止，RXD电压约为5V，RXD=1;　　当PCTXD=0时，Q4导通，RXD电压为0，RXD=0。　　D2是为了防止Q4的BE反向击穿。　　(二)RS485RS-485标准弥补了RS-232通讯距离短、速率低等缺点，数据信号采用差分传输方式，抗干扰能力强。RS-485使用一对双绞线(A线与B线)进行数据传输，当AB线之间的电压差在-6~-2V范围内时表示“0”，当AB线之间的电压差在 +2~+6V范围内时表示“1”。同时RS485在传输电缆的最远端需要连接匹配电阻，其阻值应等于传输电缆的特性阻抗，连接示意图如下。　　RS485电平转换芯片分为隔离与非隔离两种。　　典型的非隔离型芯片有MAX3485、ADI公司的MAX13487EESA+T以及TI公司的SN75176BDR;常用的隔离型芯片有RSM3485PHT、TI公司的 ISO3082DWR以及 ISL32705E。　　(三)CANCAN总线通讯采用差分信号的形式进行数据传输。信号传输线分为CAN_H以及CAN_L。总线上逻辑“0”表示显性，差分电压差约为2V(CAN_H=3.5V,CAN_L=1.5V);逻辑“1”表示隐性，差分电压为0V9CAN_H=2.5V,CAN_L=2.5V)。CAN采用数据帧的方式进行数据传递，标准的CAN数据帧结构如下图。　　CAN通讯接口电路可分为隔离与非隔离两种。　　非隔离电路是将控制核心的CAN接口与驱动IC的TX、RX直接连接，各节点之间没有电气隔离。为了保证总线网络的通讯稳定性，CAN通讯接口通常会采用隔离结构。隔离电路可以利用分立器件(如光耦)或采用集成器件(隔离型CAN收发器)实现。　　常用CAN通讯收发芯片有恩智浦的TJA1050T、美国微芯的MCP2551T以及TI公司的ISO1050等。　　以ISO1050为例。芯片内部集成了电气隔离结构，同时采用隔离变压器对芯片两侧电源Vcc1与Vcc2进行隔离，确保芯片能够起到有效的隔离作用。电路在芯片的电源端与接地端间连接有去耦合电容以降低干扰，并在CAN_H、CAN_L端与地之间并联TVS二极管起到快速电压保护作用。　　(四)TCP/IPTCP/IP协议分为四个层次：链路层、网络层、传输层和应用层。　　应用层包含了http、ftp等协议，传输层包含了TCP与UDP协议。网络层包含了IP协议，对数据加上IP地址和其他数据以确定传输目标。数据链路层为数据加上以太网协议首部，并进行CRC编码，为最后的数据传输做准备。　　TCP/IP通讯可采用内嵌TCP/IP协议的以太网协议栈芯片(如W5500、 CH395、WT8266-S3)或采用交换机实现，目前数字电源中常采用后一种方式。　　数字电源常用通讯方式的通讯原理以及电路实现就介绍到这里了。讲过了采样电路、驱动电路、通讯电路，那我们的数字电源外围电路课程也就告一段落了。

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电源

发布时间：2024-04-17 09:26 阅读量：355 继续阅读>>

<span style='color:red'>电路</span>板上最容易出故障的元器件是什么？

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电路板上最容易出故障的元器件是什么？

　　电容损坏引发的故障在电子设备中是最高的，其中以电解电容的损坏最为常见。电容损坏表现为：容量变小、完全失去容量、漏电、短路。　　电容在电路中所起的作用不同，引起的故障也各有特点：在工控电路板中，数字电路占绝大多数，电容多用做电源滤波，用做信号耦合和振荡电路的电容较少。用在开关电源中的电解电容如果损坏，则开关电源可能不起振，没有电压输出;　　输出电压滤波不好，电路因电压不稳而发生逻辑混乱，表现为机器工作时好时坏或开不了机，如果电容并在数字电路的电源正负极之间，故障表现同上。　　这在电脑主板上表现尤其明显，很多电脑用了几年就出现有时开不了机，有时又可以开机的现象，打开机箱，往往可以看见有电解电容鼓包的现象，如果将电容拆下来量一下容量，发现比实际值要低很多。　　电容的寿命与环境温度直接有关，环境温度越高，电容寿命越短。这个规律不但适用电解电容，也适用其它电容。所以在寻找故障电容时应重点检查和热源靠得比较近的电容，如散热片旁及大功率元器件旁的电容，离其越近，损坏的可能性就越大。所以在检修查找时应有所侧重。　　有些电容漏电比较严重，用手指触摸时甚至会烫手，这种电容必须更换。在检修时好时坏的故障时，排除接触不良的可能性以外，一般大部分就是电容损坏引起的故障了。所以在碰到此类故障时，重点检查一下电容，换掉电容后结果令人惊喜。　　电阻故障　　许多初学者在检修电路时，在电阻上折腾，又是拆又是焊的，修得多了，只要了解了电阻的损坏特点，就不必大费周章。　　电阻是电器设备中数量最多的元件，但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。　　前两种电阻应用最广，其损坏的特点一是：低阻值 (100Ω以下) 和高阻值 (100kΩ以上) 的损坏率较高，中间阻值 (如几百欧到几十千欧) 的极少损坏;特点二是：低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。　　线绕电阻一般用作大电流限流，阻值不大;圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹，有的没有痕迹;水泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时可能会断裂;保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮，有的也没有什么痕迹，但绝不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时可有所侧重，快速找出损坏的电阻。　　根据以上列出的特点，我们先可以观察一下电路板上低阻值电阻有没有烧黑的痕迹，再根据电阻损坏时绝大多数开路或阻值变大以及高阻值电阻容易损坏的特点，我们就可以用万用表在电路板上先直接量高阻值的电阻两端的阻值。　　如果量得阻值比标称阻值大，则这个电阻肯定损坏 (要注意等阻值显示稳定后才下结论，因为电路中有可能并联电容元件，有一个充放电过程) ，如果量得阻值比标称阻值小，则一般不用理会它。这样在电路板上每一个电阻都量一遍，即使“错杀”一千，也不会放过一个了。　　运算放大器故障　　运算放大器好坏的判别对相当多的电子维修者有一定的难度，在此与大家共同探讨一下，希望对大家有所帮助。　　理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈)下工作。如果没有负反馈，开环放大下的运放成为一个比较器。如果要判断器件的好坏，首先应分清楚器件在电路中是做放大器用还是做比较器用。　　根据放大器虚短的原理，就是说如果这个运算放大器工作正常的话，其同向输入端和反向输入端电压必然相等，即使有差别也是mv级的，当然在某些高输入阻抗电路中，万用表的内阻会对电压测试有点影响，但一般也不会超过0.2V，如果有0.5V以上的差别，则放大器必坏无疑。　　如果器件是做比较器用，则允许同向输入端和反向输入端不等。同向电压>反向电压，则输出电压接近正的最大值;同向电压<反向电压，则输出电压接近0V或负的最大值(视乎双电源或单电源)。如果检测到电压不符合这个规则，则器件必坏无疑!这样你不必使用代换法，不必拆下电路板上的芯片就可以判断运算放大器的好坏了。　　SMT元件故障　　有些贴片元件非常细小，用普通万用表表笔测试检修时很不方便，一是容易造成短路，二是对涂有绝缘涂层的电路板不便接触到元件管脚的金属部分。这里告诉大家一个简便方法，会给检测带来不少方便。　　取两枚最小号的缝衣针，将之与万用表笔靠紧，然后取一根多股电缆里的细铜线，用细铜线将表笔和缝衣针绑在一起，再用焊锡焊牢。这样用带有细小针尖的表笔去测那些SMT元件的时候就再无短路之虞，而且针尖可以刺破绝缘涂层，直捣关键部位，再也不必费神去刮那些膜膜了。　　公共电源短路故障　　电路板维修中，如果碰到公共电源短路的故障往往头大，因为很多器件都共用同一电源，每一个用此电源的器件都有短路的嫌疑。　　如果板上元件不多，采用“锄大地”的方式终归可以找到短路点;如果元件太多，“锄大地”能不能锄到状况就要靠运气了。在此推荐一比较管用的方法，采用此法，事半功倍，往往能很快找到故障点：　　要有一个电压电流皆可调的电源，电压0-30V，电流0-3A，这种电源不贵，大概300元左右。将开路电压调到器件电源电压水平，先将电流调至最小，将此电压加在电路的电源电压点如74系列芯片的5V和0V端，视乎短路程度，慢慢将电流增大。　　用手摸器件，当摸到某个器件发热明显，这个往往就是损坏的元件，可将之取下进一步测量确认。当然操作时电压一定不能超过器件的工作电压，并且不能接反，否则会烧坏其它好的器件。　　板卡故障　　工业控制用到的板卡越来越多，很多板卡采用金手指插入插槽的方式。由于工业现场环境恶劣，多尘、潮湿、多腐蚀气体的环境易使板卡产生接触不良故障，很多朋友可能通过更换板卡的方式解决了问题，但购买板卡的费用非常可观，尤其是某些进口设备的板卡。　　其实大家不妨使用橡皮擦在金手指上反复擦几下，将金手指上的污物清理干净后，再试机，没准就解决了问题，方法简单又实用。　　电气故障　　各种时好时坏电气故障从概率大小来讲大概包括以下几种情况：　　接触不良：板卡与插槽接触不良、缆线内部折断时通时不通、线插头及接线端子接触不好、元器件虚焊等皆属此类;　　信号受干扰：对数字电路而言，在特定的情况条件下故障才会呈现，有可能确实是干扰太大影响了控制系统使其出错，也有电路板个别元件参数或整体表现参数出现了变化，使抗干扰能力趋向临界点从而出现故障;　　元器件热稳定性不好：从大量的维修实践来看，其中首推电解电容的热稳定性不好，其次是其它电容、三极管、二极管、IC、电阻等;　　电路板上有湿气、尘土等：湿气和积尘会导电具有电阻效应，而且在热胀冷缩的过程中，阻值还会变化，这个电阻值会同其它元件有并联效果，这个效果比较强时就会改变电路参数使故障发生;　　软件也是考虑因素之一：电路中许多参数使用软件来调整，某些参数的裕量调得太低处于临界范围，当机器运行工况符合软件判定故障的理由时，那么报警就会出现。

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元器件

发布时间：2024-04-15 13:51 阅读量：298 继续阅读>>

1-2月我国集成<span style='color:red'>电路</span>制造业增加值增长21.6%

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1-2月我国集成电路制造业增加值增长21.6%

　　3月18日，国新办举行2024年1-2月份国民经济运行情况新闻发布会。国家统计局新闻发言人、总经济师、国民经济综合统计司司长在会上表示，今年前两个月，新动能新优势不断培育壮大，各方面都有新的进展。具有高科技、高效能、高质量特征的行业发展向好。　　具体来看，1-2月份，规模以上装备制造业增加值同比增长8.6%，高于全部规上工业平均水平1.6个百分点;高技术制造业增加值增长7.5%，其中半导体器件专用设备制造行业增加值增长41.2%，集成电路制造增长21.6%，智能无人飞行器制造增长18.2%。　　从产品领域看，智能化、绿色化产品较快增长，1—2月，服务机器人、3D打印设备等智能产品产量同比分别增长22.2%和49.5%。新能源汽车产品产量增长25.6%，充电桩增长41.8%，太阳能工业用超白玻璃增长89.8%，绿色低碳产品产量继续保持快速增长。　　从投资领域看，新兴产业投资保持较快增长。1—2月，高技术产业投资同比增长9.4%，其中高技术制造业和高技术服务业投资分别增长10.0%和7.8%。高技术制造业中，信息化学品制造业，航空、航天器及设备制造业投资分别增长43.2%和33.1%。1—2月，高技术产业投资增长9.4%，制造业技术改造投资呈两位数增长。　　从新业态看，新业态保持活跃。直播带货、即时配送等消费新模式蓬勃发展，1—2月实物商品网上零售额同比增速快于商品零售额9.8个百分点。　　2024年以来，中国集成电路产业发展持续向好。据海关总署近期公布的数据显示，今年1-2月，中国集成电路出口量达到394.1亿个，同比增长6.3%，出口金额达到1607.1亿元，同比激增28.6%。

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发布时间：2024-03-21 10:38 阅读量：563 继续阅读>>

安森美：汽车区域控制器架构趋势下，这三类的典型<span style='color:red'>电路</span>设计正在改变

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安森美：汽车区域控制器架构趋势下，这三类的典型电路设计正在改变

　　汽车市场正在转向区域控制器架构的趋势方向，而汽车区域控制器架构正朝着分布式、集成化、智能化的方向发展，以实现更高效的数据处理、功能整合与自动驾驶支持。基于区域控制器架构带来很多设计的机会与挑战，例如SmartFET正越来越多替代传统的MOSFET器件。　　SmartFET是一种集成了智能控制和保护功能的功率MOSFET器件，今天已经在电动汽车上得到广泛应用。在传统功率开关元件的基础上，SmartFET增加了诸如过流、过热、过压保护以及实时监测和诊断等功能。通过集成电流检测、温度补偿以及自适应开关控制技术，SmartFET能够根据实际工作条件自动调整其行为，防止出现潜在故障，并且简化了电路设计，减少了外部组件需求。　　例如，在汽车电子领域，安森美(onsemi)提供的高边SmartFET不仅能够高效地切换负载，如LED照明、启动器、车门模块、暖通空调和其他执行器，还具有主动浪涌电流管理、过温关断与自动重启以及主动过压钳位等特性，从而极大地提升了整个系统的稳定性和使用寿命。　　从高边驱动到低边驱动，SmartFET的多效“收益”　　通常在使用MOSFET的时候，首先要有合适的驱动，例如一个合适的门极电阻。同时为了防止场效应管的损坏，我们还要有各种保护措施，例如过流过温和过压的保护电路，来保证其长期可靠运行不致损坏。通常这些保护电路都是由分立器件达成，既增加系统成本，同时也占据了较大的PCB空间。　　而SmartFET产品把这些驱动和监测保护电路都集成到标准MOSFET的封装里面，因此一个SmartFET有两个主要部件组成：首先它有一个基于标准MOSFET的功率级负责向负载提供电流;第二个就是控制级，这里面主要是指MOSFET的驱动和监测保护电路，有了这个控制级就能够正确的开关MOSFET，同时能够防止其损坏。这样既可以增加MOSFET使用的可靠性，同时也能节省系统成本，以及减少PCB占用的空间。这些优点使得SmartFET在汽车电子里面得到了广泛的使用。　　高低边驱动是用于控制电路中负载通断的两种基本方法，它们在电源管理、电机控制和汽车电子等领域广泛应用。具体来说：　　低边驱动(Low Side Driver, LSD)：在一个直流电源供电的电路中，低边驱动是指通过控制连接到负载地线(或接地端)的开关元件来实现对负载电流的接通和关断。当这个“开关”(通常是MOSFET或晶体管)导通时，负载可以形成回路并从电源汲取电流;当开关关断时，负载与地之间的路径被切断，从而停止电流流动。　　高边驱动(High Side Driver, HSD)：高边驱动则是指通过控制连接到负载电源正极一侧的开关元件来控制负载电流。高边驱动相对复杂一些，因为它需要处理的问题包括确保栅极驱动电压高于电源电压以保证MOSFET有效开启，并且必须考虑电荷泵或者自举电路来提供足够的栅极驱动电压。当高边开关导通时，负载与电源之间形成通路开始工作;而开关关断时，负载失去上端电源供应，电流不再流过负载。　　总结起来，在一个电源和负载之间，如果通过控制下侧(靠近地线)的开关来控制负载，就是低边驱动;如果通过控制上侧(靠近电源正极)的开关来控制负载，则是高边驱动。这两种方式都有各自的优缺点和适用场景，设计时根据系统需求、效率、安全性等因素选择合适的方式。　　高边SmartFET的三大类典型应用　　由于集成了各种检测和保护电路，高边SmartFET事实上能够处理各种各样的负载。常见的我们可以分为三大类应用。　　第一大类就是灯泡和电容负载。这类负载的特点是他们在刚开始导通的时候，会有一个浪涌电压。例如灯泡在冷态的时候，它的电阻比较小。刚开始导通的时候的电流会远远大于它的额定电流。电容更是如此，在刚开始导通的时候它有一个充电电流。这个时候就要求高边的SmartFET能处理这个浪涌电流。这些典型的负载如车内外的照明，或者像在ECU里常见的各类DCDC电源模块，等等。　　第二种负载就是感应负载。像各种电机和继电器这类负载他们有一个共同的特点，里面有能量的线圈在断开的时候是要有一个续流的回路，同时在原边线圈里面可能会产生一个感应电压(也叫做反激电压)。这些反激电压会在功率器件上产生过压，必须要把这个过压钳制到合理的范围，确保不会引起MOSFET功率开关的损坏。这类负载例如雨刷器、启动器、车门模块、暖通空调(HVAC)、燃油喷射器、电动助力转向、油门控制等的电机和继电器等。　　第三类就是电阻式负载。电阻式负载本身既没有浪涌电流也没有过压的情况出现，但是为了及时知道负载的变化，需要精确的电流检测能力。例如在LED应用中，当一串LED灯珠如果其中有一颗LED发生了损坏，这一串LED的灯串的电流就会发生变化。这个变化可能不大，但是需要及时准确的把它检测出来。这类应用除了LED照明以外，还包括加热单元、变速器和发动机管理系统等。　　区域控制器架构趋势下的SmartFET应用　　当前汽车市场的一个重要趋势是汽车电子电气架构已经开始转向区域控制器架构。区域控制器架构用来替代已经广泛使用的域控制器架构。所谓区域控制器架构，就是电子控制单元是按照特定区域的物理位置，而不是按照功能来组织和划分的。例如左车身、右车身和前车身等等，就近相应所需要的功能按照物理位置把它组织起来，组成一个区域控制器。这些区域控制器是通过高速的以太网来连接起来。这些以太网不仅传递和处理数据，同时也传递和分配电源，从而大大减少线束的复杂度和重量(值得一提的是，目前线束是电动汽车上第三重和第三贵的部件)。　　可以简单的归结为在区域控制器架构正在以网络取代线束，即以前域控制器里面的线束现在变成了网络。这个网络不仅是数据网络，同时也是电源网络。区域控制器架构由于它是由以太网组成的一个环形网，因此它很容易扩展，可以根据低、中、高不同档位的配置来加减相应的区域控制。这样的话，就很容易实现快速的产品市场投放。　　基于区域控制器架构不仅数据是通过网络进行传递和处理，同时电源也是通过网络进行按级分配。因此其中SmartFET会有很大的用处：用作整个区域控制器的efuse保险丝来保护电路，不至于因为浪涌电流或高压造成损坏;同时它也可以控制整个区域控制器架构的电源的通断;还可以通过SmartFET来决定什么时候把负载接到电源上面，什么时候把负载从电源上断开。　　安森美SmartFET的这些特点让应用更容易　　SmartFET是一种先进的半导体开关解决方案，旨在为汽车和工业应用提供高效、可靠的电源管理。其结构融合了垂直功率MOSFET和智能控制逻辑，实现了紧凑的封装和优化的性能。设计理念着重于提供高度集成的保护特性，如过温保护、过载保护和短路保护，以确保系统在各种故障情况下的安全运行。SmartFET还具备模拟电流检测输出，支持精确的负载监控。　　作为SmartFET产品技术的主要供应用，安森美在产品设计中考虑了与控制器的兼容性，使得在不同尺寸和不同RDS(ON)的SmartFET之间切换变得更容易，为应用提供更大的灵活性。安森美整个系列从1毫欧到60毫欧，从1安培到20安培，都具有相同的封装，以及相同的丝印，也有相同的指令结构和相同的高可靠性。因此，在设计制作区域控制器架构PCB板的时候，具有相当的通用性和灵活性，不会因为外部负载变化而要重新制作PCB板，这是一个非常大的优势。

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安森美

发布时间：2024-03-19 09:05 阅读量：556 继续阅读>>

一种常用的电流检测<span style='color:red'>电路</span>

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一种常用的电流检测电路

　　电流检测技术简介　　电流检测技术常用于高压短路保护、电机控制、DC/DC换流器、系统功耗管理、二次电池的电流管理、蓄电池管理等电流检测等场景。对于大部分应用，都是通过间接测量电阻两端的压降来获取待测电路电流大小的，如下图所示。在要求不高的情况下，电流检测电路可以通过运放放大转换成电压，反推算负载的电流大小。　　电流检测技术分类　　测量电流时，电流检测技术分为高端检测和低端检测。将测量电阻放在电源与负载之间的这种测量方法称为高端检测。将测量电阻放在负载和接地端之间的这种测量方法称为低端电流检测。这两种用于感测负载中电流的方法如下图所示。　　两种测量方法各有利弊。本文重点讲解低端电流检测技术。　　低侧电流测量的优点　　共模电压，即测量输入端的平均电压接近于零。这样更便于设计应用电路，也便于选择适合这种测量的器件;　　低侧电流感测的缺点　　采用电源接地端和负载/系统接地端时，感测电阻两端的压降会有所不同。如果其他电路以电源接地端为基准，可能会出现问题。为最大限度地避免此问题，存在交互的所有电路均应以同一接地端为基准。降低电流感测电阻值有助于尽量减小接地漂移。　　设计电路或选择用于电流测量的器件时，低侧电流感测是最简单的方法。由于输入端的共模电压低，因此可使用差分放大器拓扑。下图给出了采用运算放大器(运放)的经典差分放大器拓扑，输入输出关系可由理想运放的基本性质(虚短虚断)来推导，此处不具体描述。　　应用场景　　由于电流感测电路测得的电压接近于地，因此在处理非常高的电压时、或者在电源电压可能易于出现尖峰或浪涌的应用中，优先选择这种方法测量电流。由于低侧电流感测能够抗高压尖峰干扰，并能监测高压系统中的电流，因此广泛应用于很多汽车、工业和电信应用中。　　设计过程注意哪些问题　　可以直接选用集成了增益设置电阻的电流检测放大器，从而可减少分立实现方案存在的诸多布局问题;　　若采用分立器件搭建时，注意需要将R1 和R2 放在尽可能靠近运算放大器和电流感测电阻的位置。将这些元件放在靠近运放的位置后，运算放大器同相输入端出现噪声拾取的可能性会降低，同时对电流通过电阻器时的压降进行检测，需要从电阻器的两端引出用于检测电压的图案。电压检侧连接如下图右所示，建议从电阻器电极焊盘的内侧中心引出。这是因为电路基板的铜箔图案也具备微小的电阻值，需要避免铜箔图案的电阻值所造成的压降的影响。如果按照下图左所示，从电极焊盘的侧面引出电压检测图案，检测对象将是低电阻器电阻值加上铜箔图案电阻值的压降，无法正确地检测电流;　　PCB Layout参考：　　注意运放的选型，输入输出轨到轨运放便于信号完整的传输到输出端;　　如果应用中存在容性负载，需要特别考虑运放的稳定性，以免出现振荡或严重的输出振铃现象。

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电流

发布时间：2024-03-12 14:11 阅读量：384 继续阅读>>

十二条需要掌握的<span style='color:red'>电路</span>基础知识

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十二条需要掌握的电路基础知识

　　电路基础　　电压电流　　电流的参考方向可以任意指定，分析时：若参考方向与实际方向一致，则i>0，反之i0。　　电压的参考方向也可以任意指定，分析时：若参考方向与实际方向一致，则u>0反之u0。　　功率平衡　　一个实际的电路中，电源发出的功率总是等于负载消耗的功率。　　全电路欧姆定律　　U=E-RI　　负载大小的意义　　电路的电流越大，负载越大，电路的电阻越大，负载越小。　　电路的断路与短路　　电路的断路处：I=0，U≠0 电路的短路处：U=0，I≠0 。　　基尔霍夫定律　　几个概念　　支路：是电路的一个分支。　　结点：三条(或三条以上)支路的联接点称为结点。　　回路：由支路构成的闭合路径称为回路。　　网孔：电路中无其他支路穿过的回路称为网孔。　　基尔霍夫电流定律　　定义：任一时刻，流入一个结点的电流的代数和为零。或者说：流入的电流等于流出的电流。　　表达式：i进总和=0 或：i进=i出。　　可以推广到一个闭合面。　　基尔霍夫电压定律　　定义：经过任何一个闭合的路径，电压的升等于电压的降。或者说：在一个闭合的回路中，电压的代数和为零。或者说：在一个闭合的回路中，电阻上的电压降之和等于电源的电动势之和。　　电位的概念　　定义：某点的电位等于该点到电路参考点的电压。　　规定参考点的电位为零。称为接地。　　电压用符号U表示,电位用符号V表示　　两点间的电压等于两点的电位的差。　　注意电源的简化画法。　　理想电压源与理想电流源　　理想电压源　　不论负载电阻的大小，不论输出电流的大小，理想电压源的输出电压不变。理想电压源的输出功率可达无穷大。　　理想电压源不允许短路。　　理想电流源　　不论负载电阻的大小，不论输出电压的大小，理想电流源的输出电流不变。理想电流源的输出功率可达无穷大。　　理想电流源不允许开路。　　理想电压源与理想电流源的串并联　　理想电压源与理想电流源串联时，电路中的电流等于电流源的电流，电流源起作用。　　理想电压源与理想电流源并联时，电源两端的电压等于电压源的电压，电压源起作用。　　理想电源与电阻的串并联　　理想电压源与电阻并联，可将电阻去掉(断开)，不影响对其它电路的分析。　　理想电流源与电阻串联，可将电阻去掉(短路)，不影响对其它电路的分析。　　实际应用中的电压源和电流源　　实际的电压源可由一个理想电压源和一个内电阻的串联来表示。　　实际的电流源可由一个理想电流源和一个内电阻的并联来表示。　　支路电流法　　意义　　用支路电流作为未知量，列方程求解的方法。　　列方程的方法　　电路中有b条支路，共需列出b个方程。　　若电路中有n个结点，首先用基尔霍夫电流定律列出n-1个电流方程。　　然后选b-(n-1)个独立的回路，用基尔霍夫电压定律列回路的电压方程。　　注意问题　　若电路中某条支路包含电流源，则该支路的电流为已知，可少列一个方程(少列一个回路的电压方程)。　　叠加原理　　意义　　在线性电路中，各处的电压和电流是由多个电源单独作用相叠加的结果。　　求解方法　　考虑某一电源单独作用时，应将其它电源去掉，把其它电压源短路、电流源断开。　　注意问题　　最后叠加时，应考虑各电源单独作用产生的电流与总电流的方向问题。叠加原理只适合于线性电路，不适合于非线性电路，只适合于电压与电流的计算，不适合于功率的计算。　　戴维宁定理　　意义　　把一个复杂的含源二端网络，用一个电阻和电压源来等效。　　等效电源电压的求法　　把负载电阻断开，求出电路的开路电压UOC。等效电源电压UeS等于二端网络的开路电压UOC。　　等效电源内电阻的求法　　把负载电阻断开，把二端网络内的电源去掉(电压源短路，电流源断路)，从负载两端看进去的电阻，即等效电源的内电阻R0。　　把负载电阻断开，求出电路的开路电压UOC。然后，把负载电阻短路，求出电路的短路电流ISC，则等效电源的内电阻等于UOC/ISC。　　诺顿定理　　意义　　把一个复杂的含源二端网络，用一个电阻和电流源的并联电路来等效。　　等效电流源电流IeS的求法　　把负载电阻短路，求出电路的短路电流ISC。则等效电流源的电流IeS等于电路的短路电流ISC。　　等效电源内电阻的求法　　同戴维宁定理中内电阻的求法。　　换路定则　　换路原则　　换路时：电容两端的电压保持不变，Uc(o+) =Uc(o-)。电感上的电流保持不变， Ic(o+)= Ic(o-)。原因是：电容的储能与电容两端的电压有关，电感的储能与通过的电流有关。　　换路时，对电感和电容的处理　　换路前，电容无储能时，Uc(o+)=0。换路后，Uc(o-)=0，电容两端电压等于零，可以把电容看作短路。　　换路前，电容有储能时，Uc(o+)=U。换路后，Uc(o-)=U，电容两端电压不变，可以把电容看作是一个电压源。　　换路前，电感无储能时，IL(o-)=0。换路后，IL(o+)=0，电感上通过的电流为零，可以把电感看作开路。　　换路前，电感有储能时，IL(o-)=I。换路后，IL(o+)=I，电感上的电流保持不变，可以把电感看作是一个电流源。根据以上原则，可以计算出换路后，电路中各处电压和电流的初始值。　　正弦量的基本概念　　正弦量的三要素　　表示大小的量：有效值，最大值。　　表示变化快慢的量：周期T，频率f，角频率ω。　　表示初始状态的量：相位，初相位，相位差。　　复数的基本知识　　复数可用于表示有向线段，复数A的模是r ，辐角是Ψ。　　复数的表示方式：1.代数式;2.三角式;3.指数式;4.极坐标式。　　复数的加减法运算用代数式进行，复数的乘除法运算用指数式或极坐标式进行。　　复数的虚数单位j的意义：任一向量乘以+j后，向前(逆时针方向)旋转了，乘以-j后，向后(顺时针方向)旋转了。　　正弦量的相量表示法　　相量的意义　　用复数的模表示正弦量的大小，用复数的辐角来表示正弦量初相位。相量就是用于表示正弦量的复数。为与一般的复数相区别，相量的符号上加一个小圆点。　　最大值相量　　用复数的模表示正弦量的最大值。　　有效值相量　　用复数的模表示正弦量的有效值。　　注意问题　　正弦量有三个要素，而复数只有两个要素，所以相量中只表示出了正弦量的大小和初相位，没有表示出交流电的周期或频率。相量不等于正弦量。　　用相量表示正弦量的意义　　用相量表示正弦后，正弦量的加减，乘除，积分和微分运算都可以变换为复数的代数运算。相量的加减法也可以用作图法实现，方法同复数运算的平行四边形法和三角形法。　　交流电路的功率　　瞬时功率：p=ui=UmIm·sin(ωt+φ)·sinωt=UIcosφ-UIcos(2ωt+φ)。　　平均功率：P=UIcosφ平均功率又称为有功功率，其中 cosφ称为功率因数。电路中的有功功率也就是电阻上所消耗的功率。　　无功功率：Q=ULI-UCI= I2(XL-XC)=UIsinφ电路中的无功功率也就是电感与电容和电源之间往返交换的功率。　　视在功率：S=UI 视在功率的单位是伏安(VA)，常用于表示发电机和变压器等供电设备的容量。　　功率三角形：P、Q、S组成一个三角形，其中φ为阻抗角。　　电路的功率因数　　功率因数的意义　　功率因数就是电路的有功功率占总的视在功率的比例，从功率三角形中可以看出功率因数。功率因数高，则意味着电路中的有功功率比例大，无功功率的比例小。　　功率因数低的原因　　生产和生活中大量使用的是电感性负载异步电动机，洗衣机、电风扇、日光灯都为感性负载。　　电动机轻载或空载运行(大马拉小车)，异步电动机空载时cosφ=0.2～0.3，额定负载时cosφ=0.7～0.9。　　提高功率因数的意义　　在电感性负载两端并联电容可以补偿电感消耗的无功功率，提高电路的功率因数。　　提高发电设备和变压器的利用率：发电机和变压器等供电设备都有一定的容量，称为视在功率，提高电路的功率因数，可减小无功功率输出，提高有功功率的输出，增大设备的利用率。　　降低线路的损耗：当线路传送的功率一定，线路的传输电压一定时，提高电路的功率因数可减小线路的电流，从而可以降低线路上的功率损耗，降低线路上的电压降，提高供电质量，还可以使用较细的导线，节省建设成本。

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电路基础知识

发布时间：2024-02-22 11:29 阅读量：1540 继续阅读>>

<span style='color:red'>电路</span>中常用电子元器件大揭秘

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电路中常用电子元器件大揭秘

　　电容器、三极管和二极管是电子电路中常用的元器件，它们可以搭配使用以实现各种功能。下面将详细介绍它们的搭配使用方法和使用规范。　　一、电容器电容器是一种能够存储电荷的被动元件，主要用于储存和释放电能。它有正负两个极板，之间隔着一层绝缘介质。电容器的主要参数是容量，单位是法拉(F)。电容器的两个重要特性是充电和放电。　　1、充电：当电容器的正极连接到电源的正极，负极连接到电源的负极时，电容器开始充电。在充电过程中，电容器的电压逐渐增加，直到达到电源电压。　　2、放电：当电容器的正极和负极接通一个负载电阻时，电容器开始放电。在放电过程中，电容器的电压逐渐减小，直到与电源电压相等。　　电容器常用的应用包括滤波、耦合、定时和存储等。　　二、三极管三极管是一种半导体器件，由三个区域组成：发射极、基极和集电极。三极管有两种类型：NPN型和PNP型，其工作原理基于电流放大和开关控制。　　三极管的主要参数是电流放大倍数(β)和最大电压(Vceo)。其常见的工作方式有放大器和开关。　　1、放大器：三极管可以将小信号放大成大信号。在放大器电路中，三极管的基极接入输入信号，而发射极和集电极分别连接到电源和输出负载。　　2、开关：三极管可以用作开关，控制电流的通断。在开关电路中，三极管的基极接入控制信号，当控制信号为高电平时，三极管导通;当控制信号为低电平时，三极管截断。　　三极管常用的应用包括放大器、振荡器、开关和稳压等。　　三、二极管二极管是一种双极性器件，由PN结构组成，具有单向导电性。二极管有正向电压降和反向电压承受能力等特性。　　二极管的主要参数是正向电压降(Vf)和反向击穿电压(Vbr)。其常见的工作方式有整流和保护。　　1、整流：二极管可以将交流信号转换为直流信号，实现电流的单向传输。在整流电路中，二极管的正向电压降会使得正向电流流过，而反向电压会使得二极管截止。　　2、保护：二极管可以用于保护其他器件不受过电压的损害。例如，快速反向恢复二极管可以在开关电路中防止开关管受到高电压的反冲击。　　二极管常用的应用包括整流、反向保护和信号检测等。　　四、电容器、三极管和二极管的搭配使用电容器、三极管和二极管可以通过不同的连接方式搭配使用，以实现各种功能。以下是一些常见的搭配使用方法：　　1、耦合电容器：用于将一个电路的交流信号传递到另一个电路。在放大器电路中，耦合电容器连接在输入和输出之间，起到隔离直流和传递交流信号的作用。　　2、滤波电容器：用于去除信号中的高频噪声或者平滑直流信号。在电源电路中，滤波电容器连接在电源的正负极之间，可以滤除电源中的纹波电压。　　3、反馈电容器：用于稳定放大器的工作点，改善放大器的线性度和稳定性。在放大器电路中，反馈电容器连接在输出和输入之间，可以减小放大器的失真和噪声。　　4、续流二极管：用于提供一个续流路径，防止开关管受到高电压的反冲击。在开关电源等电路中，续流二极管连接在开关管的负载之间，可以保护开关管不受到过电压的损害。　　5、保护二极管：用于保护其他器件不受过电压的损害。例如，在电感元件的电路中，保护二极管连接在电感两端，可以防止电感产生的高电压冲击其他器件。　　使用规范：1、选择合适的元件：根据电路的需求选择合适的电容器、三极管和二极管。要考虑参数匹配、电压和电流容量等因素。　　2、连接正确极性：在连接电容器、三极管和二极管时，要确保正确连接各个极性。电容器的正负极、三极管的发射极、基极和集电极、二极管的正负极都有明确的极性。　　3、控制电压和电流：在使用三极管和二极管时，要注意控制电压和电流在其允许范围内。超过其额定值可能会导致元件损坏或性能下降。　　4、稳定电源：为了保证电容器、三极管和二极管的正常工作，应提供稳定的电源。电源的纹波电压、电压波动等都会对元件的性能产生影响。

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电子元器件

发布时间：2024-01-26 09:34 阅读量：1180 继续阅读>>

MOS管设计如何防反接<span style='color:red'>电路</span>

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MOS管设计如何防反接电路

　　电子元件大都是使用直流工作，电源线反接就有可能就会烧坏，那电路如何防反接?首当其冲我们想到的就是二极管了，运用其单向导通特性可有效防止电源反接而损坏电路，但是随之而来的问题是二极管存在PN节电压，通常在0.7V左右，低电流是影响不明显，但流过大电流时，如流过1A电流其会产生0.7W的功耗，0.7W的功耗发热对元件本身及周边元件的可靠性是个非常大的考验。　　可见二极管防反接最大问题是管压降，越低损耗就越小。在晶体管中导通压降最低的就属场效应管了，就是我们平常叫的MOS管，那如何运用MOS管这一优良特性设计防反接电路?如下图所示：　　NMOS防反接电路　　当输入上正下负时，下图黄色线条所示电流路径，经过R1、R2，MOS寄生二极管到地,R1与R2分压后其GS极电压大于MOS导通电压Vgs，MOS导通，红色线条所示的整个电路回路接通。　　正向导通时电流路径　　当输入上负下正时，下图黄色线条所示电流路径，电流路径被MOS寄生二极管反向截止，MOS管因GS极没有电压而截止，整个电路回路断开，有效保护了系统电路。　　反向截止电流路径　　上面介绍了NMOS防反接，PMOS防反接电路如下，其防反接原理与NMOS一致，不再赘述。　　PMOS防反接电路　　通常电路系统是共地的就用POMS防反接，共源就用NMOS防反接。

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MOS管

发布时间：2024-01-15 11:10 阅读量：1023 继续阅读>>

Littelfuse推出超低功耗负载开关集成<span style='color:red'>电路</span>系列

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Littelfuse推出超低功耗负载开关集成电路系列

　　Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和打造更安全的世界提供动力，最新发布保护集成电路产品系列中的五款多功能负载开关器件。　　超低功耗负载开关集成电路系列　　这些新型负载开关集成电路是额定电流为2和4A的超高效负载开关，集成了真正反向电流阻断(TRCB)和压摆率控制功能。其一流的效率使其成为移动和可穿戴消费电子产品的理想选择。这些开关支持业界最低的静态电流(IQ)、低ON和关断电流(ISD)，有助于设计人员降低寄生漏电流，提高系统效率，并延长电池的整体寿命。观看视频。　　最新的负载开关集成电路非常适合用于各种电子产品设计，包括：　　· 手持设备　　· 可穿戴设备　　· 物联网(IoT)　　· SSD存储　　· 楼宇自动化　　· 消费电子产品　　Littelfuse保护半导体业务团队助理产品经理Bernie Hsieh表示：“新的负载开关集成电路系列通过提供低功耗和省电功能，支持延长移动和可穿戴产品的电池寿命。其封装的芯片级外形节省了空间，同时集成了多种功能，如压摆率控制、真正反向电流阻断和快速输出放电。”　　与以前的解决方案相比，负载开关集成电路具有以下主要优势：　　· 省电可显著延长电池寿命。　　· 较低的功耗(较低的RON、IQ和ISD)提供高效率的运行。　　· 这些产品使用芯片级封装(采用WLCSP)来取代具有多种功能集成的分立电路，如功率MOSFET、反向二极管、放电MOSFET、无源元件等。　　· 芯片级尺寸的外形也显著降低了PCB空间要求。　　负载开关集成电路有以下几个系列：　　· LQ05021QCS4 - 5V，2A超低功耗，具有压摆率控制功能　　· LQ05021RCS4 - 5V，2A超低功耗，具有真正反向电流阻断功能　　· LQ05022QCS4 - 5V，2A超低功耗，具有压摆率控制功能　　· LQ05041QCS6 - 5V，4A超低功耗，具有压摆率控制功能　　· LQ05041RCS6 - 5V，4A超低功耗，具有真正反向电流阻断功能　　负载开关器件采用小型芯片级封装，具有：　　· 四(4)个凸点，封装尺寸为0.77mm x 0.77mm x 0.46mm，间距为0.4mm。　　· 四(4)个凸点，芯片尺寸为0.97mm x 0.97mm x 0.55mm，间距为0.4mm。　　· 六(6)个凸点，封装尺寸为0.97mm x 1.47mm x 0.55mm，间距为0.5mm。

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Littelfuse

发布时间：2023-12-29 14:45 阅读量：1561 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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