台积电“病毒门”:晶圆报废数量和营收影响确定

Release time:2018-08-07
author:全球半导体观察
source:全球半导体观察
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  日前,台积电遭遇史上最大的电脑病毒入侵致产线停产事故。

  病毒入侵致三大厂区停产

  8月3日傍晚约5~6时台积电遭到电脑病毒入侵,新竹总部Fab12厂区的内部电脑最先遭到病毒感染,并于当晚10时透过内网蔓延至中科Fab15厂、南科Fab14厂,导致这三大厂区产线停机。

  8月4日,台积电公告证实8月3日傍晚部分机台受到病毒感染,并表示已找到解决方案,正在逐步恢复生产。

  据称,台积电董事长刘德音、总裁魏哲家均在第一时间了解情况,要求全力防堵“疫情”,台积电数百位相关人员亦停休回岗全线“排毒”,台积电员工描述为第一时间“冲回厂区处理问题”。

  8月5日,台积电对这次病毒入侵事件作出进一步说明。台积电表示截至8月5日下午2点,约80%受影响的机台已回复正常,预计在8月6日前,所有受影响机台皆能恢复正常。

  台积电称,此次病毒感染的原因为新机台在安装软件的过程中操作失误,因此病毒在新机台连接到公司内部电脑网络时发生病毒扩散的情况,公司资料的完整性和机密资讯皆未受到影响,已采取措施弥补此安全问题,同时将进一步加强资讯安全措施。

台积电“病毒门”:晶圆报废数量和营收影响确定

  台积电回应:影响Q3营收3%

  虽然台积电目前已基本解决问题,但该事件造成其三大厂区大规模停产,如今正值台积电客户第三季度的备货旺季,业界认为恐怕将影响台积电的晶圆产能和出货。

  这次受影响的三大厂区分别为新竹总部Fab12厂、中科Fab15厂、南科Fab14厂。这三大厂区均为台积电的重要生产基地,其中新竹总部Fab12厂是其12英寸晶圆厂,主要生产制造利基型产品, 中科Fab15厂是其28纳米和7纳米工艺生产基地, 南科Fab14厂是其16纳米工艺主要生产基地。

  可见台积电7纳米制程、12纳米制程、16纳米制程均受影响,业界分析认为影响最大的应属7纳米制程产品。台积电7纳米制程主要客户包括苹果、AMD、英伟达、联发科、高通、海思、比特大陆、赛灵思等,意味着这些客户芯片产品均可能受到影响。

  8月5日,台积电公告表示,预估此次病毒感染事件将导致晶圆出货延迟以及成本增加,对公司第三季的营收影响约为3%,毛利率的影响约为1个百分点。

  台积电此前预估第三季合并营约在84.5亿-85.5亿美元,毛利率将在48%-50%,也就是说这次事故可能导致台积电第三季度营收减少2.5亿~2.6亿美元。晶圆方面以3%的营收影响计算,业界认为这次事故造成台积电报废晶圆数量超过1万片。

  台积电进一步表示,公司有信心第三季晶圆出货延迟数量将于第四季补回,全年业绩展望以美元计仍将维持7月19日所说的高个位数成长。

  至于客户方面,台积电则称多数客户皆已收到相关事件的通知,公司正与客户紧密合作,沟通其晶圆交货时程,将在未来几天内与个别客户沟通细部资讯。

  信息安全应引起重视

  台积电这次安全事故引起了业内的极大关注。

  有业内人士向媒体表示,因病毒入侵导致生产线停摆的情况在业内也曾有过,但像台积电这次导致三大厂区产线受影响、包括生产设备和检测设备都中招的情况则十分罕见。

  台积电是目前全球最大的晶圆代工厂,据集邦咨询旗下拓墣产业研究院数据显示,2018年上半年全球前十大晶圆代工厂排名中,台积电以绝对优势排名第一,全球晶圆代工市占率高达56.1%。台积电在全球范围内拥有465个客户,几乎涵盖了全球主要芯片设计厂商。

  台积电“病毒门”:晶圆报废数量和营收影响确定?

  作为全球最大的晶圆代工厂,信息安全问题不仅关系着自身运营及技术资料等方面,还事关全球465家客户的产品信息及出货,台积电一直非常重视,被外界认为“滴水不漏”。

  台积电前资讯长左大川曾向媒体透露,台积电每天遭到病毒和黑客攻击不下千次,但台积电有着严密的多层防护系统。首先通过各项软件将将很多恶意攻击程式或钓鱼信件挡在进入企业网络前,万一防护有漏洞,黑客进入公司内部,再做层层分区防护,把黑客限制在某个区域且无法做任何动作。

  不过,这次台积电仍是百密一疏。

  据悉,台积电的晶圆制造与测试机台都是对外采购,并由厂商灌好软件系统,机台送进厂房安装后,运作时须按标准作业流程(SOP)扫毒,据查应是协力厂商或台积电员工未照SOP行事,将装在USB机台的程序事先扫毒,才会让病毒在新机台连接到公司内部电脑网络时扩散。

  尽管台积电已在较短时间内将病毒控制并恢复生产,但其仍为这次疏忽付出了不小代价。这起事故给了台积电重新审视信息安全是否足够周密的机会,同时也给行业内所有企业上了宝贵的课,警醒业界重视信息安全。


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台积电公布A16 1.6nm工艺 预计2026年量产
台积电官宣1.6nm,多项新技术同时公布
  台积电三表示,一种名为“A16”的新型芯片制造技术将于 2026 年下半年投入生产,与长期竞争对手英特尔展开对决——谁能制造出世界上最快的芯片。  台积电是全球最大的先进计算芯片合同制造商,也是 Nvidia 和苹果的主要供应商,台积电在加利福尼亚州圣克拉拉举行的一次会议上宣布了这一消息,台积电高管表示,人工智能芯片制造商可能是该技术的首批采用者,而不是智能手机制造商。  分析师告诉路透社,周三宣布的技术可能会让人对英特尔在 2 月份声称的将超越台积电,采用英特尔称之为“14A”的新技术制造世界上最快的计算芯片的说法提出质疑。  台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang告诉记者,由于人工智能芯片公司的需求,该公司开发新的 A16 芯片制造工艺的速度比预期更快,但没有透露具体客户的名称。  张说,人工智能芯片公司“真的希望优化他们的设计,以获得我们拥有的每一盎司性能”。  张说,台积电认为不需要使用ASML的High NA EUV光刻机用于构建 A16 芯片的新型“高 NA EUV”光刻工具机。英特尔上周透露,它计划成为第一个使用这些机器(每台售价 3.73 亿美元)来开发其 14A 芯片的公司。  台积电还透露了一项从芯片背面为计算机芯片供电的新技术,有助于加快AI芯片的速度,并将于2026年推出。英特尔已经宣布了一项类似的技术,旨在成为其主要竞争优势之一。  台积电表示,随着台积电行业领先的 N3E 技术现已投入生产,N2 也有望在 2025 年下半年投入生产,台积电推出了 A16,这是其路线图上的下一个技术。A16 将把台积电的 Super Power Rail 架构与其纳米片晶体管结合起来,计划于 2026 年生产。它通过将前端布线资源专用于信号来提高逻辑密度和性能,使 A16 成为具有复杂信号路线和密集电力传输网络的 HPC 产品的理想选择。与台积电的N2P工艺相比,A16将在相同Vdd(正电源电压)下提供8-10%的速度提升,相同速度下功耗降低15-20%,并为数据中心产品提供高达1.10倍的芯片密度提升。  分析师表示,这些公告让人对英特尔声称将重新夺回世界芯片制造桂冠的说法产生了质疑。  分析公司 TechInsights 副主席丹·哈奇森 (Dan Hutcheson) 在谈到英特尔时表示:“这是有争议的,但从某些指标来看,我认为他们并不领先。”但 TIRIAS Research 负责人 Kevin Krewell 警告称,英特尔和台积电的技术距离交付技术还需要数年时间,需要证明真正的芯片与其主题演讲相匹配。  据报道,台积电的新技术在北美的技术会议上宣布的,据介绍,这是公司在北美举办的第三世界会议。据相关报道,公司在会议上还公布了以下技术:  TSMC NanoFlex 纳米片晶体管创新:台积电即将推出的 N2 技术将与 TSMC NanoFlex 一起推出,这是该公司在设计技术协同优化方面的下一个突破。TSMC NanoFlex 为设计人员提供了 N2 标准单元(芯片设计的基本构建模块)的灵活性,短单元(short cells)强调小面积和更高的功率效率,而高单元(tall cells)则最大限度地提高性能。客户能够在同一设计模块中优化短单元和高单元的组合,调整其设计以实现其应用的最佳功耗、性能和面积权衡。  N4C 技术:台积电宣布推出 N4C,将台积电的先进技术推向更广泛的应用领域,它是 N4P 技术的延伸,可降低高达 8.5% 的芯片成本,且采用成本低,计划于 2025 年量产。N4C 提供面积高效的基础IP 和设计规则与广泛采用的 N4P 完全兼容,通过减小芯片尺寸而提高产量,为价值层产品迁移到台积电的下一个先进技术节点提供了经济高效的选择。  CoWoS 、SoIC 和晶圆系统 (TSMC-SoW):台积电的基板晶圆上芯片 (CoWoS ) 允许客户封装更多处理器内核和高带宽内存,成为人工智能革命的关键推动者(HBM) 并排堆叠在一个中介层上。与此同时,我们的集成芯片系统 (SoIC) 已成为 3D 芯片堆叠的领先解决方案,客户越来越多地将 CoWoS 与 SoIC 和其他组件搭配使用,以实现最终的系统级封装 (SiP) 集成。  借助晶圆系统,台积电提供了一种革命性的新选项,可在 300 毫米晶圆上实现大量芯片,提供更强的计算能力,同时占用更少的数据中心空间,并将每瓦性能提高几个数量级。台积电的首款 SoW 产品是一种基于集成扇出 (InFO) 技术的纯逻辑晶圆,现已投入生产。利用 CoWoS 技术的晶圆上芯片版本计划于 2027 年准备就绪,能够集成 SoIC、HBM 和其他组件,以创建强大的晶圆级系统,其计算能力可与数据中心服务器机架甚至整个服务器相媲美。服务器。  硅光子集成:台积电正在开发紧凑型通用光子引擎(COUPE)技术,以支持人工智能热潮带来的数据传输爆炸式增长。COUPE 使用 SoIC-X 芯片堆叠技术将电气芯片堆叠在光子芯片之上,从而在芯片间接口处提供最低的阻抗,并且比传统的堆叠方法具有更高的能效。台积电计划在 2025 年使 COUPE 获得小型可插拔产品的资格,然后在 2026 年作为共封装光学器件 (CPO) 集成到 CoWoS 封装中,将光学连接直接引入封装中。  汽车先进封装:在2023年推出N3AE“Auto Early”工艺后,台积电通过将先进硅与先进封装相集成,继续满足汽车客户对更强计算能力的需求,满足高速公路的安全和质量要求。台积电正在开发适用于高级驾驶辅助系统 (ADAS)、车辆控制和车辆中央计算机等应用的 InFO-oS 和 CoWoS-R 解决方案,目标是在 2025 年第四季度之前获得 AEC-Q100 2 级资格。
2024-04-25 11:19 reading:454
消息称台积电明年为苹果量产2nm芯片
台积电预计2030年实现1纳米制程芯片生产
  台积电日前在2023年IEEE国际电子元件会议(IEDM)上,发布进军至1nm制程的产品规划蓝图,这一计划与英特尔去年透露的规划类似。  根据规划,台积电将并行推动3D封装和单芯片封装的技术路径的发展。预计在2025年,台积电将完成N2和N2P节点,使得采用3D封装的芯片晶体管数量超过5000亿个,而采用传统封装技术的芯片晶体管数量超过1000亿个。  台积电计划在2027年达到A14节点,并在2030年达到A10节点,即1nm制程芯片。届时,采用台积电3D封装技术的芯片晶体管数量将超过1万亿个,而采用传统封装技术的芯片晶体管数量将超过2000亿个。  据悉,台积电将使用EUV极紫外光刻、新通道材料、金属氧化物ESL、自对齐线弹性空间、低损伤低硬化低K铜材料填充等等一系列新材料、新技术,并结合CoWoS、InFO、SoIC等一系列封装技术。  台积电在会议上还透露,其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面展开。同时,台积电重申,2nm 级制程将按计划于 2025 年开始量产。  尽管台积电的发展速度有所放缓,但其在半导体代工领域的竞争对手,如三星等公司,仍在不断努力追赶台积电在先进制程领域的领先地位。今年六月,三星代工公布了其最新的工艺技术发展路线图,计划在2025年推出2纳米制程的SF2工艺,并在2027年推出1.4纳米制程的SF1.4工艺。如果这些计划能够如期实现,三星有可能在与台积电相似的时间节点上实现类似的先进工艺水平。
2023-12-29 14:52 reading:1264
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