<span style='color:red'>雷卯电子</span>HDMI2.0静电滤波保护方案
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雷卯电子HDMI2.0静电滤波保护方案

　　方案优点：HDMI2.0本方案采用多路集成器件防护, 可节约空间，可保证信号完整性，可滤除 杂讯，满足IEC61000-4-2(等级4)，接触放电25kV，空气放电30kV 。
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发布时间：2024-04-11 09:49 阅读量：212 继续阅读>>
<span style='color:red'>雷卯电子</span>：浅谈S-VIDEO接口静电浪涌防护
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雷卯电子：浅谈S-VIDEO接口静电浪涌防护

　　浅谈S-VIDEO接口静电浪涌防护　　S-Video 接口曾经在一些旧款的电视机、录像机、游戏机等设备上广泛应用，用于传输视频信号。不过，随着技术的发展，S-Video 接口已经逐渐被其他更先进的接口所取代，比如 HDMI、DVI 等。　　现在S-video接口广泛应用于电视、监视器、摄像机、录像机等视频设备中，提供了比传统的复合视频接口更好的视频质量。使用S-video接口可以获得更清晰、更准确的视频图像，特别适合于要求较高的视频显示场景。　　S-Video接口因各种原因，比如人为触摸，带电插拔，天气原因等造成静电浪涌情况发生。如此接口没有做ESD/EOS防护，将会造成内部视频输出芯片损坏，设备不能正常工作。　　雷卯EMC小哥在电子设备静电浪涌防护方面是专家，有十年实际为客户服务经验。上海雷卯推出S-VIDEO 等视频接口ESD静电及浪涌保护。　　先来了解下此接口：S-video接口是一种视频传输标准，也称为Y/C接口。它将视频信号分成两个独立的部分：亮度(Y)和色度(C)，分开传输这两部分信号，这种分离传输的方式可以避免亮度和色度信号相互干扰，提高视频传输的质量，视频图像的清晰度和色彩准确性更高。S-video接口通常包括一个4针、7针或9针的接头，其中4针接头用于传输基本的亮度和色度信号，而7针或9针接头则可以支持更多功能，如音频传输等。4针用的最为普遍，此篇以4针为例做静电浪涌保护方案。　　方案一、分立元件 GBLC05C方案　　方案优点：此方案用ESD二极管GBLC05C完成对接口的静电浪涌保护，分立元件SOD-323封装，方便布线，电容低，IPP电流大,18A，既可以保证信号传输完整性，又可以防护一定的浪涌。并且符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和 ±30kV(接触)标准，具有强的抗静电能力。　　方案二、集成元件LCC05DT3 方案　　方案优点：此方案用ESD二极管LCC05DT3完成对接口的静电浪涌保护，集成元件SOT-23封装，节省空间，电容低，IPP电流大,12A，既可以保证信号传输完整性，又可以防护一定的浪涌。并且符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和 ±30kV(接触)标准，具有强的抗静电能力。
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发布时间：2024-03-06 10:47 阅读量：1976 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯电子</span>通过IATF-16949体系复审
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上海雷卯电子通过IATF-16949体系复审

　　2024年2月，上海雷卯成功通过了IATF-16949体系复审的认证验收。　　雷卯作为一家专业电磁兼容方案服务和元器件供应商，一直以来致力于为全球知名汽车制造商提供高质量的产品和服务。经过过去13年的发展，公司不断提升了自身的技术实力和管理水平，取得了显著的业绩和声誉。　　16949认证是汽车行业中的质量管理体系认证，对供应汽车零部件的企业来说具有重要的意义。该认证要求企业在质量管理、生产工艺、供应链管理等方面达到一定的标准，并通过专业的评估机构进行严格的审查和验收。　　在此次验收中，上海雷卯电子科技有限公司经过了专家组对公司质量管理体系、生产设备、生产工艺等方面的全面评估和考察。专家组对公司的质量控制流程和管理制度进行了仔细审查，并对公司的管理水平和技术能力给予了高度认可。　　雷卯将继续秉持着“强壮保护芯，安心全人类”的理念，不断提升产品的质量和技术水平，深耕汽车行业，为汽车客户解决EMC问题并提供元器件。
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发布时间：2024-02-22 10:33 阅读量：1560 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯电子</span>：SBC通信接口ESD保护
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上海雷卯电子：SBC通信接口ESD保护

　　SBC(System Basis Chip) 系统基础芯片是一种集成电路芯片，它是一种多功能芯片，集成了电源、通信、监控诊断、安全监控等特性的独立芯片,主要用在汽车动力系统、底盘和驾驶辅助、车身系统、舒适系统以及混合动力及电驱动系统中。可以参考下面框图帮助理解。　　系统框图如下：　　电源管理：这部分用于管理系统的电源供应，集成了电压转换、电源分配、电源监测、等功能，以确保系统的稳定供电和安全运行。　　通信接口：SBC提供了多个通信接口，如CAN(Controller Area Network)、LIN(Local Interconnect Network)、FlexRay、Ethernet等，用于连接车辆内部的各种控制单元和外部传感器/执行器，实现数据的交换和控制命令的传输。　　监控诊断、安全监控：集成了唤醒输入、看门狗、复位、中断等以及对电路诊断后的失效输出，和一些功能安全特性。　　1. 为什么选用SBC(System Basis Chip)　　为什么SBC在现代汽车电子系统中得到了广泛的应用,具体如下。　　·集成多种功能模块: SBC集成多种功能于一颗芯片上，减小系统的尺寸和减少零部件数量,降低整体成本并提高可靠性。　　·简化设计和布线: SBC可以减少外部连接线路的数量，简化整个系统的设计和布线，降低系统的EMI(电磁干扰)等问题。　　· 降低功耗: SBC通常采用低功耗设计，有利于减少整个汽车电子系统的功耗。　　·提高可靠性: SBC在单个芯片上集成了多个功能模块，减少了连接线路和连接点，降低了失效,增强了稳定性。　　·支持标准化接口和通信协议: SBC通常支持各种标准的汽车网络通信协议，如CAN、LIN等，使得系统可以方便地与其他汽车子系统进行通信。　　·提供安全和故障诊断功能: SBC通常包含一些安全功能和故障诊断功能，可以帮助汽车电子系统实现故障隔离和安全监控，保证车辆和乘客的安全。　　2. SBC 有哪几种结构　　根据应用场景的不同，SBC 内部结构搭配会有不同，　　比如对于电源供应需求多的可以有两路，三路，多路电源输出;　　对于通信接口CAN 需求多的可以配有多路CAN收发器 , 但它可能只有1路LIN;　　对于LIN 通信需求多的，可以有多路 LIN 收发器，1路CAN 收发器。可以参看几种内部机构图：　　3. SBC的CAN LIN接口ESD保护　　对于SBC(Single Board Computer)的CAN LIN接口，ESD(Electrostatic Discharge)保护是很重要的。CAN和LIN总线通信常常在车辆电子系统等应用中使用，这些环境中存在静电放电的风险。ESD事件可能会对电子设备造成瞬态电压的冲击，导致设备损坏或故障。　　为了保护CAN LIN接口免受ESD的影响，可以采取以下措施：　　·增加ESD保护电路：在CAN LIN接口电路中添加额外的ESD保护电路，例如使用TVS二极管、瞬态电压抑制器等。这些电路能够提供更强的ESD保护能力。　　·设计良好的地线和电源线：良好的地线和电源线布局可以减少ESD事件对设备的影响。确保地线和电源线的电流回路是低阻抗的，可以提供更好的ESD路径。　　4.上海雷卯推荐CAN LIN 多接口ESD保护器件SMS24C　　SMS24C 可以用于2路CAN 接口 或者 4路 LIN 接口。　　·封装及内部电路如下　　·CAN 总线参考电路　　·LIN 总线参考电路　　5.SMS24C 规格参数　　上海雷卯电子科技有限公司，成立于2011年，品牌Leiditech，是国家高新技术企业。公司研发团队由留美博士和TI原开发经理组建，凭借技术精湛的研发队伍和经验丰富的电磁兼容行业专家，主要提供防静电TVS/ESD以及相关EMC元器件(放电管TSS/GDT、稳压管ZENER、压敏电阻MOV、整流二极管RECTIFIER、自恢复保险丝PPTC、场效应管MOSFET、电感)。　　Leiditech围绕EMC电磁兼容服务客户，自建免费实验室为客户测试静电ESD(30KV)、群脉冲EFT(4KV)、浪涌(8/20，10/700 10/1000)、汽车抛负载(7637 5a/5b)和元器件的性能测试等。Leiditech紧跟国内外技术更新脉搏，不断创新EMC保护方案和相关器件，目标方向为小封装，大功率，为国产化替代提供可信赖方案和元器件。
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发布时间：2023-11-22 09:37 阅读量：1265 继续阅读>>
<span style='color:red'>雷卯电子</span>：高速MIPI 接口静电保护方案
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雷卯电子：高速MIPI 接口静电保护方案

　　MIPI(Mobile Industry Processor Interface移动产业处理器接口)是2003年由ARM,Nokia,ST,TI等公司成立的一个联盟，MIPI 联盟定义了一套接口标准，把移动设备内部的接口如摄像头、显示屏、基带、射频接口等标准化，从而增加设计灵活性，同时降低成本、设计复杂度、功耗和EMI。MIPI接口标准在移动设备、汽车电子和物联网等领域得到广泛应用，对于实现高性能、低功耗和小型化的连接需求起到了重要作用。　　比较成熟的应用有MIPI-CSI (camera Serial interface) 接口可以连接摄像头，MIPI-DSI (display Serial interface) 接口可以连接显示屏。　　一般应用是通过 MIPI -CSI 接口摄像头输入信号，经过CPU 对数据处理，通过 MIPI-DSI 接口连接的显示屏播放显示。　　1. MIPI 差分信号摆幅多少　　MIPI接口标准通常使用低压差分信号传输，其中包括两个互补的信号线，分别是正向和负向的差分信号。这种设计有利于减少传输中的干扰和噪音，并提高抗干扰能力。　　在MIPI CSI-2和DSI中，通常采用的电平幅度是低压差分信号，主要包括以下几种：　　C-PHY：C-PHY采用较低的供电电压，通常为1.2V，其数据信号的电平幅度为0.2V到1.0V之间。　　D-PHY：D-PHY也采用较低的供电电压，通常为1.2V，其数据信号的电平幅度为0.4V到1.1V之间。　　这些低压差分信号的电平幅度设计有利于降低功耗、减小传输线路的大小和成本，并且能够满足移动设备对功耗和尺寸的严格要求。　　2. MIPI 接口数据速率　　MIPI接口的数据速率取决于具体的协议和规范，以及设备的性能和需求。以下是一些常见的MIPI接口和它们的数据速率范围：　　1)MIPI CSI-2(Camera Serial Interface 2)：CSI-2用于摄像头到处理器的数据传输。它支持多种数据速率，包括低速(10 Mbps至100 Mbps)、中速(100 Mbps至1 Gbps)和高速(1 Gbps以上)的模式。具体的数据速率取决于摄像头模块的要求和设备的性能。　　2)MIPI DSI(Display Serial Interface)：DSI用于处理器到显示屏的数据传输。它也支持多种数据速率，包括低速(10 Mbps至100 Mbps)、中速(100 Mbps至1 Gbps)和高速(1 Gbps以上)的模式。具体的数据速率取决于显示屏的分辨率、刷新率和设备的性能。　　3)MIPI RFFE(RF Front-End Control)：RFFE用于控制射频前端模块，通常用于移动设备的无线通信。它的数据速率通常在100 kbps至10 Mbps之间，根据具体的应用需求而定。　　3. MIPI差分数据线对　　MIPI 接口支持最多1对差分时钟配1-4对差分数据，具体差分线对多少与配备的设备有关。　　4. 上海雷卯MIPI 接口ESD保护　　在MIPI接口中，为了保护设备免受静电放电(ESD)的影响，在MIPI 接口处放置ESD保护器件是最可靠的防护，当然合理的器件布局走线和接地也是必不可少的。　　因为MIPI 接口电平在0.2-1.4V 之间，因此选择VRWM为3.3V 集成ESD 最为合理。　　接口差分数据在1-4之间，可以根据设备匹配相应数量ESD ,在此按最多4组数据为例。　　(1)高速接口保护方案　　高速一定要低容ESD 来保护　　(2)中低速接口保护方案(10M-1Gbps)　　电路板布局和ESD保护器件放置　　电路板布局对于抑制 ESD、电子快速瞬变 (EFT) 和瞬变浪涌至关重要，建议遵循以下准则：　　1.将ESD放置在尽可能靠近输入端子或连接器的位置。　　2.尽可能缩短ESD器件与受保护线路之间的路径长度。　　3. 除差分及同类数据地址总线外，非同类信号线尽可能的不要并行 。　　4.避免将受保护的导体与未受保护的导体并行放置。　　5.尽量减少所有印刷电路板 (PCB) 导电回路，包括电源和接地回路。　　6.尽量减少对地瞬态回流路径的长度　　7.避免使用瞬态响应路径做公共接地点　　8.对于多层 PCB，尽可能使用接地平面，接地通孔。
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发布时间：2023-11-22 09:29 阅读量：1578 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯电子</span>：Trench工艺和平面工艺MOS的区别
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上海雷卯电子：Trench工艺和平面工艺MOS的区别

　　上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench工艺MOSFET, AMEYA360简单介绍如下。　　1.平面工艺与Trench沟槽工艺MOSFET区别　　两种结构图如下：　　由于结构原因，性能区别如下　　(1)导通电阻　　Trench工艺MOSFET具有深而窄的沟槽结构，这可以增大器件的有效通道截面积，从而降低导通电阻，能够实现更高的电流传输和功率处理能力。　　平面工艺MOSFET的通道结构相对较简单，导通电阻较高。　　(2)抗击穿能力　　Trench工艺MOSFET通过控制沟槽的形状和尺寸，由于Trench工艺的深沟槽结构，漏源区域的表面积得到显著增加。这使得MOSFET器件在承受高电压时具有更好的耐受能力，适用于高压应用，如电源开关、电机驱动和电源系统等。　　平面工艺MOSFET相对的耐电压较低。广泛应用于被广泛应用于数字和模拟电路中，微处理器，放大器，音响，逆变器，安防，报警器，卡车音响喇叭及光伏储能上。　　(3)抗漏电能力　　Trench工艺MOSFET通过沟槽内的绝缘材料和衬底之间形成较大的PN结，能够有效阻止反向漏电流的流动。因此，Trench工艺MOSFET在反向偏置下具有更好的抗漏电性能。　　平面工艺MOSFET的抗漏电能力相对较弱。　　(4)制造复杂度　　Trench工艺MOSFET的制造过程相对复杂，包括沟槽的刻蚀、填充等步骤，增加了制造成本。平面工艺MOSFET制造工艺成熟：PLANAR平面工艺MOSFET是最早的MOSFET制造工艺之一，经过多年的发展和改进，制造工艺已经非常成熟。相关设备和技术已经得到广泛应用和实践，具有较高的可靠性和稳定性。　　(5)看到这些方面是不是觉得沟槽工艺MOSFET 更有优势，其实我们可以简单理解这两种工艺。　　平面工艺就好比我们小时候的土屋，几乎不需要挖地基纯平面架构特点：成本高，内阻大，ESD能力强，属于纯力量型选手，抗冲击力强。　　Trench工艺，俗称潜沟槽工艺，就好比我们农村的楼房，需要挖地基到一定深度，同样的使用面积所需要的地皮少，相比平面工艺，成本略低， 同电压平台，内阻略小，电流大，输出能力强，但是，抗冲击能力也更弱，速度与力量的结合。　　简单总结就是 ：　　Trench工艺 内阻低 ，高耐压，单元芯片面积小，一致性相对差 但抗冲击能力弱 。　　平面工艺 内阻大，耐压低，单元芯片面积大，一致性好 抗冲击能力强。　　2.至于Trench工艺为什么抗冲击能力差　　主要是：　　(1)结构脆弱：Trench工艺中形成的深沟槽结构相对较细，横向尺寸较小。这使得结构相对脆弱，容易受到机械冲击或应力集中的影响而产生破坏。　　(2)异质材料接口问题：Trench工艺通常涉及不同材料之间的接口，例如在沟槽中填充绝缘材料或衬底与沟槽之间的接触等。这些异质材料接口会引入应力集中和接触问题，降低了整体的抗冲击能力。　　(3)缺陷和损伤：在Trench工艺中，制造过程中可能会出现缺陷或损伤，例如沟槽表面的粗糙度、填充材料的不均匀性等。这些缺陷和损伤会导致材料强度下降，从而降低了抗冲击能力。　　3. 如何选择　　选择使用PLANAR工艺MOSFET还是Trench工艺MOSFET需要考虑以下几个因素：　　(1)功能需求：　　首先需要明确所需的功能和性能要求。例如，如果需要高功率处理和低漏电流特性，　　则Trench工艺MOSFET可能更适合。如果需要较高的开关速度则PLANAR工艺MOSFET可能更适合。　　(2)功耗和效率：　　需要考虑设备的功耗和效率需求。Trench工艺MOSFET具有较低的导通电阻适用于高效率的功率转换应用。　　PLANAR工艺MOSFET则在一些低功耗应用中表现较好。　　(3)温度特性：　　需要考虑设备温度特性等因素。取决于器件结构和材料选择。一般来说，Trench工艺MOSFET具有较好的封装和散热能力，可在高温环境下工作并具有较低的漏电流。　　但一般工控上选择推荐选择平面工艺，因为要求稳定可靠，一致性好，抗冲击力强，对于散热可以采用其它措施弥补。　　也就是，我使用的场合决定我们使用哪种工艺MOSFET更合适.　　总之，一个新的工艺技术产生一定有它的优势所在比如Trench，功率大，漏电小。但同时也伴有小的缺陷，比如抗冲击力弱，一致性相对差。随着技术的进步成熟，缺陷不断会被大家想办法弥补。但老的工艺虽然市场份额在不断缩小，但它的市场需求也无法替代。　　比如下面，几种场合 使用平面工艺 产品性能会更优。
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发布时间：2023-10-11 09:34 阅读量：1581 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯电子</span>推出MOSFET新产品
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上海雷卯电子推出MOSFET新产品

　　一. MOSFET工作原理及作用　　1.工作原理　　MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。　　MOSFET 的工作原理基于栅电压的控制。通过施加正电压或负电压到栅极，可以改变栅电场，进而影响通道中的载流子浓度。当栅电压施加在阈值电压之上时，形成一个导电通道，载流子可以从源端流向漏端，从而实现开关效果。控制栅电压的变化可以调整通道的导电性，从而控制电流流动。。　　2. MOSFET作用　　1) 开关功能：MOSFET可以在输入信号的控制下，实现对电流的开关控制。当输入信号为高电平时，MOSFET导通，允许电流通过;而当输入信号为低电平时，MOSFET截断，阻止电流通过。因此，MOSFET被广泛用于数字电路和各种开关应用中。。　　2) 放大功能：MOSFET可以作为放大器使用，将小信号放大为较大的信号。通过调节输入电压或电流，控制MOSFET的工作区域，可以实现精确的放大倍数和电压增益。这在模拟电路和音频放大器等应用中非常重要。。　　3) 调节电压功能：由于MOSFET的特性，它可以用作电压调节器。通过调节MOSFET的栅极电压，可以控制其导通电阻从而实现电压的调节。这在稳压电源和集成电路中起到重要作用，可以提供稳定的输出电压。。　　4) 逆变和变换功能：MOSFET可以通过不同的驱动方式和电路连接方式，实现信号的逆变、频率变换和波形整形等功能。这在交流电源、电力电子、驱动器等领域中广泛应用。。　　二.上海雷卯MOS系列特点　　(1)从功率分有 小信号MOS 和功率MOS。　　(2)从内阻分有 50-2000mΩ，10-50mΩ，0.7-10mΩ等。　　(3)从工艺上有Trench MOSFETS(-100V~150V)，SGTMOSFETS(30V~150V)。　　(4)从电源来分有低压MOS(12-60V),中压MOS(100-500V) ,　　高压MOS(600-900V)。　　(5) 从封装是有PDFN3.3/5.6, TOLL,SOT23/-3/-5/-6,SOP8/TSSOP8，TO-252/251/220/263/247/3P,DFN1006，　　DFN1006-3,CSP1.1X1.1/2.14X1.4等。　　三.应用领域：　　1)电源领域类：AC/DC,同步整流， 移动储能(含移动电源、充电桩等)MOS、同步整流芯片 。。　　2)消费品类：小风扇、电子烟、照明产品、玩具、成人用品等/MOS、TVS、三极管。。　　3) 工控/工具类：电机、工控主板、BLDC/BMS/控制板小信号MOS。。　　4)网通/笔记本/穿戴类：笔记本电脑、台式机主板、路由器、机顶盒、IOT、手持POS，TWS, 智能手表、电子烟等/MOS、TVS、三极管等。。　　5)汽车电子类：Motro控制、车灯/MOS等。　　四.雷卯MOSFET产品推荐：　　(只展示部分MOSFET产品)。　　五.MOSFET 方案应用推荐　　(1)用于电动工具的MOSFET。　　(2)新能源动力电车电动工具锂电保护板用MOSFET　　(3)新能源动力电车　　更多MOSFET请锁定雷卯新样册或联系雷卯代理商AMEYA360（官方电话：021-64016692）询问需求。　　雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，为客户高效，控本完成设计，能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。。　　雷卯电子电磁兼容实验室，提供免费测试，提供外围静电保护参考电路，可以提供国产化证明文件。
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发布时间：2023-09-01 10:22 阅读量：1763 继续阅读>>
<span style='color:red'>雷卯电子</span>-EPS助力转向系统高级功能及EMC
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雷卯电子-EPS助力转向系统高级功能及EMC

　　汽车EPS包含一个集成的位置控制模块，用来接收一个外部系统(泊车模块)的角度请求以实现控制EPS系统自动转向的功能。外部交互接口用作与外部泊车模块进行CAN通讯，以支持泊车模块的控制状态的切换和输入角度、力矩计算。　　汽车EPS包含一个集成的驾驶模式选择模块，该模块为一个车辆准备多种不同风格的操控手感以供驾驶员自由选择(例如普通,运动,雪地等)，可实现驾驶员在驾驶过程中随时对手感的安全切换、以及对各种违规驾驶条件的切换处理。。　　汽车EPS包含一个集成的车道辅助力矩控制模块，该模块从CAN总线上接收外部模块的相关请求信号,通过对请求模式和请求力矩的条件计算以实现车道辅助的模式切换，之后将模式状态和叠加力矩传至力矩控制器进行力矩叠加，然后将叠加力矩和状态反馈至CAN总线。车道辅助模块主要给驾驶员提供一个短暂力矩辅助使车辆接近对车道中心线。。　　汽车EPS包含一个集成的节能控制模块，通过转向系统的CAN通讯接口接收外部引擎状态信号，以实现转向助力的启停控制。该节能控制模块将很好地配合车辆引擎起停功能以实现车辆节能减排和节省电池能量的作用，尤其针对于新能源电动车。。　　EPS通过电磁兼容必需的TVS器件方案(电源)。　　以上方案PPTC要根据工作电流来适当选择，可以选用雷卯电子SMD1812P150TF/33,TVS二极管针对12V系统选择可以通过87V0.5Ω 400ms的器件SM8S24CA或24V系统的SM8S36CA可以满足174V2Ω 350ms测试，测试次数为10次。。　　当然该电路一般还有一个肖特基二极管来保证防反接，建议选用SS56CSMC封装的器件，VF压降可以满足小电流的功耗要求，如果电流超过5A建议选用MOS管防反接电路。。　　CAN/LIN的静电保护方案　　雷卯电子SMC24是专门为CAN设计的静电防护器件，可以满足30KV的测试要求，完美替代NUP2105L和PESD1CAN PESD2CAN。。
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发布时间：2023-08-30 10:34 阅读量：2199 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯电子</span>：三级浪涌防护及退耦设计
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上海雷卯电子：三级浪涌防护及退耦设计

　　三级浪涌防护及退耦设计　　浪涌(surge)也叫突波、瞬变(voltagetransient)，是电路短路、电源切换或大型发动机开关机引起的电流瞬间超出稳定值峰值的突发现象，一般指发生在几百万分之一秒时间内的一种尖峰脉冲，通常包括浪涌电压和浪涌电流。　　01、浪涌防护原理　　浪涌的危害性非常大，可使电路瞬间烧坏，而浪涌保护就是利用线性元器件对高频(浪涌)的敏感设计的保护电路，简单而常用的是并联大小电容和串联电感。对于商用设备，一般通过含有浪涌阻绝装置的产品吸收突发的尖峰能量，保护连接设备免受浪涌损害。　　在电路设计中，一般遵循“多级防护、逐级削减”的原则，组合使用多种保护元器件方案，实现系统级、高可靠的浪涌防护。　　第一级保护　　大多数防护电路中，第一级是最容易引入雷电等尖峰的端口。　　对于建筑物进线口、AC电源输入端口等应用，这些场合选取气体放电管等大通流保护器件，如GDT、SPG、TSS、信号类防雷模块(SPD)等。在直流电路可以适用高灭弧电压的GDT，类似雷卯电子的2R350-8LH,可以用于DC24V的直接跨接，　　02、浪涌两级保护方案　　对于电源端口场合，第一级防护一般选用能够承受较高电压或较大电流的箝位型大通流保护器件。若在电源端口选用开关型保护器件，过电压时开关型器件导通后电压较低，本身影响系统的供电电压，另一方面系统电压有可能会维持一直处于导通状态不能正常断开，系统长时间通过较大的电流(如A级电流)可能对电路板造成致命伤害，甚至引起火灾。　　03、MOV加GDT保护方案　　针对电源端口第一级箝位型过电压保护器件，一般选取金属氧化物压敏电阻(MOV)、超大功率TVS(hyperfix)，或由这几种器件组合而成的防雷模块(SPD)等。当然，低速信号端口也可选择箝位型器件进行第一级防护，但前提是箝位型器件的结电容不能影响通信线路的正常通信。　　第二级保护　　第二级防护与第一级防护类似，一般选用反应速度快箝位电压低的TVS、ESD等。　　在第二级，过于突出的尖峰脉冲已经被第一级削掉，只剩下小于第一级阈值的干扰信号、EMI以及二次产生的噪声。其中，ESD专为门防静电元件，由多个二极管或TVS组合而成，适用于高速数据线路ESD防护，如HDMI、USB3.0、IEEE1394等。　　退耦元器件　　退耦元件具有一定阻抗，作用是保证两级过电压保护器件协同工作。由于第一级防护器件与第二级防护器件采用的过电压保护器件种类不同，击穿电压大小不同，响应时间不同，只好通过退耦元件进行匹配。　　设计中，第二级过电压保护器件一般采用响应速度较快的小通流低压器件，浪涌电压冲击时会先导通，退耦器件具有一定的内阻，经过大浪涌电流时，会将退耦元件之前的电压提高到第一级过电压元件的击穿电压之上，第一级元件导通后可泄放大浪涌电流，从而分担了第二级保护器件的压力。如果两级过电压保护器件之间不加退耦器件，这样第二级保护器件就会一直处于先导通状态，当浪涌电流超过第二级元器件能力时便会使其损坏。　　选择退耦器件时，要根据线路的工作电流大小来选取，如一些信号电路工作电流较小，在保证其正常通信的情况下可选取功率型电阻或自恢复保险丝(PPTC)，退耦电阻一般选取10Ω以内。从浪涌防护角度看，退耦电阻越大越好，但也不能太大，否则会影响线路正常工作电流，需要工程师在电路设计时综合考虑。　　对于一些输入电流较大的低频线路，可选用电感来进行退耦，电感阻抗的计算公式为Z=2πfL，当确定好退耦阻抗值后，可从公式中计算出所用电感的大小。　　单TVS防护方案　　在类似5G基站的防雷设计电路上，对电力的VC箝位电压要求非常高，也可以采用单TVS的保护方案，使用的是雷卯电子的AK系列TVS，类似AK10 AK15 防护10KA级别的TVS，这类方案的特点是残压很低。　　上面只是一些基本思路，实际应用中要根据每种电路保护元件的特点，取长补短搭配选用，这样才能获得高性价比的电路保护方案，为用户提供高可靠、高性能的电子电子产品，在激烈的市场竞争中获得先机。
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发布时间：2023-08-30 10:27 阅读量：2154 继续阅读>>
AMEYA360代理品牌：<span style='color:red'>雷卯电子</span>3.7V电池电源保护方案
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AMEYA360代理品牌：雷卯电子3.7V电池电源保护方案

　　便携电子产品电池端的浪涌保护TVS　　大多数手机或便携电子产品电路设计防浪涌的时候，电池端TVS管的电路设计不合理，造成TVS钳位电压过高，加到后端的残压过高而损坏后端电路。在整改过程中就有可能要增加更多的TVS做保护，甚至还要更换其他元件来配合，无形中就增加了整改的难度和成本。所以，我们就需要分析一下防浪涌设计的一些问题和解决方案。下面AMEYA360电子元器件采购网为您详细介绍！　　TVS选用　　手机的电池一般的都是4.2--4.5V的电压.要是超了可能会充鼓手机电池的。针对电池端的精准保护，雷卯电子推荐选用4.5V TVS，按照客户的功率需求不同，有不同封装可选。　　TVS电路设计　　很多电路设计中会在TVS后端电路加上采样电阻，其目的是用于阻流，让TVS更加利于释放浪涌，从而保护后端电路。　　　PCB设计原则　　电路板布局对抑制静电放电、电快速瞬变(EFT)至关重要以及电涌瞬变。建议遵循以下准则：　　1将TVS ESD尽可能靠近输入端子或接头。　　2 TVS ESD和受保护线路之间的路径长度应最小化。　　3尽量减少平行信号路径。　　4.避免保护导体与未保护导体并联运行。　　5最小化所有印刷电路板(PCB)导电回路，包括电源和接地回路。　　6尽可能减少对地瞬态返回路径的长度。　　7避免使用到公共接地点的共享瞬态返回路径。　　8尽可能使用地平面。对于多层PCB，使用接地通孔。　　总结　　雷卯电子致力于为客户提供电磁兼容方案，为客户提供一站式从标准，设计，测试和整改服务。让电子产品设计更可靠，减少电子垃圾，服务社会。
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发布时间：2023-05-11 09:44 阅读量：2417 继续阅读>>

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