二极管<span style='color:red'>激光器</span>的分类  二极管<span style='color:red'>激光器</span>的主要参数
  二极管激光器(Diode Laser)是一种基于半导体材料的激光器。它利用半导体材料中的电子和空穴的复合释放出光子,从而产生激光。相比传统的气体激光器和固体激光器,二极管激光器具有体积小、功耗低、效率高等优势,广泛应用于通信、医疗、显示以及工业加工等领域。  一、二极管激光器的原理  二极管激光器的工作原理基于PN结的电子与空穴的复合辐射过程。当正向偏置二极管激活时,电流会通过PN结,形成电子与空穴的复合区域。在这个区域内,电子从能带跃迁到较低的能级并与空穴相互复合,释放出光子。由于PN结的特殊设计,光子在反射镜之间来回多次反射,最终形成激光输出。  二极管激光器的关键组件包括PN结、增益介质、外观结构和光学系统等。PN结通常采用半导体材料如氮化镓(GaN)或砷化镓(GaAs),增益介质则是通过在PN结中注入掺杂剂来调节能带结构和增加电子与空穴的复合概率。外观结构常采用单腔式、双腔式或多腔式等形式,以实现激光输出的稳定性和可靠性。光学系统主要包括反射镜和透镜等元件,用于引导和整形激光束。  二、二极管激光器的分类  根据不同的应用和工作方式,二极管激光器可以进行多种分类。以下是几种常见的二极管激光器分类:  2.1 按波长分类  根据激光器的发光波长,二极管激光器可以分为可见光二极管激光器和红外光二极管激光器。可见光二极管激光器主要发射可见光,适用于显示、照明和医疗等领域。红外光二极管激光器则发射红外光,广泛用于通信、遥感和工业加工等领域。  2.2 按输出功率分类  根据二极管激光器的输出功率,可以将其分为低功率二极管激光器和高功率二极管激光器。低功率二极管激光器常用于光通信、显示和医疗等领域,而高功率二极管激光器主要应用于工业加工、雷达和材料处理等领域。  2.3 按应用领域分类  根据不同的应用需求,二极管激光器可以进行多种应用领域的分类。例如,通信领域常用的有纤维光源、光放大功率二极管激光器、光纤激光器等;医疗领域常用的有激光治疗仪、激光手术刀等;工业加工领域常用的有切割激光器、焊接激光器等。每个应用领域都对二极管激光器的特性和性能有不同的要求,因此针对不同的应用需求有专门设计的二极管激光器。  三、二极管激光器的主要参数  二极管激光器的性能和特性可以通过多个参数来描述。以下是几个主要的二极管激光器参数:  3.1 输出功率  输出功率是指二极管激光器产生的激光束的功率大小。它通常以毫瓦(mW)为单位表示,并且根据不同的应用需求,可以有不同的功率范围选择。  3.2 发射波长  发射波长是指二极管激光器所发出的光的波长,通常以纳米(nm)为单位表示。不同的应用领域对于波长有不同的需求,因此选择适当的发射波长对于实现特定应用非常重要。  3.3 光束质量  光束质量是指二极管激光器输出的激光束的聚焦能力和稳定性。它通常由光束的发散角和模式品质参数来描述,对于精密加工和高精度测量等应用至关重要。  3.4 效率  效率是指二极管激光器将输入电能转化为输出光能的比例。高效率的二极管激光器可以减少能源消耗和热量产生,提高设备的稳定性和可靠性。  3.5 温度特性  温度特性描述了二极管激光器在不同温度下的性能表现。它包括温度系数、阈值电流和工作温度范围等参数,对于保持二极管激光器的稳定性和可靠性具有重要意义。
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发布时间:2023-08-04 09:48 阅读量:1091 继续阅读>>
国内首条  飓芯科技氮化镓半导体<span style='color:red'>激光器</span>芯片量产线正式投产
  3月22日,飓芯科技的氮化镓半导体激光器芯片量产线投产发布会在柳州市莲花山庄1号厅举行,市长张壮出席发布会并宣布产线正式投产。中国科学院院士、北京大学教授甘子钊,中国工程院院士、清华大学教授罗毅,广西飓芯科技董事长、北京大学教授胡晓东,副市长汤振国,广西飓芯科技总经理宗华博士,市政府秘书长刘伯臣共同见证。  氮化镓半导体激光器目前覆盖近紫外(375nm)至绿光(532nm)的波长范围,广泛的应用于激光曝光、激光显示、激光焊接、激光照明、激光指示等重要领域。  由于技术门槛较高,只有国际极少数顶尖企业掌握该芯片的生产制造技术。为解决氮化镓激光器芯片“卡脖子”问题, 2020年9月,飓芯科技正式签约入驻北部生态新区智能电网产业园。  经过两年多的不懈努力,飓芯科技(hurricanechip.com)建成了国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产线,产线包含8大工艺站点,拥有全球领先的半导体量产设备100余台,涵盖衬底、外延,工艺与封测等各生产环节。  来自北京大学的研发团队经过逾20年的刻苦攻关,在数十项国家级和省部级科研项目的大力支持下,攻克了氮化镓半导体激光器相关的主要科学和技术问题,建立了芯片制备技术中的8大核心工艺,打破国外企业长期的技术垄断,有力实现“弯道超车”。  飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线的投产,将极大地促进飓芯科技发展成为国内第三代半导体行业细分领域的龙头企业,带动上下游形成完整的第三代半导体产业链,辐射全国,服务全球。此外,飓芯科技在实现技术革新、推动产业链重塑的同时,也致力于建设氮化镓半导体技术人才高地,不断凝聚半导体高端人才,持续培育半导体中坚力量,这将为柳州市持续吸引高素质科技人才起到良好的示范效应。
发布时间:2023-03-29 09:22 阅读量:1905 继续阅读>>
半导体<span style='color:red'>激光器</span>与LED有哪些异同 半导体<span style='color:red'>激光器</span>的特点
  半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。下面Ameya360电子元器件采购网给大家介绍一下“半导体激光器与LED有哪些异同 半导体激光器的特点”。  一、半导体激光器与LED有哪些异同  1、不同点:  半导体发光二极管与半导体激光器最大的不同是半导体发光二极管没有谐振腔,是无阈值器件,它的发光只限于自发辐射过程,发出的是荧光,半导体发光二极管最大的特点是:光谱较宽、线性好、温度特性好、耦合效率低。  2、相同点:  都是电流驱动发光,不同的是LD内有谐振腔,发出的光是激光,单色性更好。  半导体激光器与LED有哪些异同  二、半导体激光器的特点  1、体积小、重量轻:几乎所有的半导体激光器其器件本身体积大小都在lmm3以下,非常小。即使包括必要的散热片和电源装置也能够成为尺度非常小的小型系统。  2、可注入激励:仅用几伏的电压注入毫安级的电流就能够驱动。除电源装置以外不需要其它的激励设备和部件。电功率直接变换成光功率,能量效率高。  3、室温下可连续振荡:在室温附近的温度范围内大多数半导体激光器能够连续振荡。  4、波长范围宽:适当的选择材料和合金比,在红外和可见光很宽的波长范围内能够实现任意波长的激光器。  5、可直接调制:把信号重叠在驱动电流上,在直流到G赫兹范围内,可以调制振荡强度、频率和相位。  6、相干性高:用单横模的激光器可以得到空间上相干性高的输出光。在分布反馈型(DFB)和分布布拉格反射型(DBR)激光器中能够得到稳定的单纵模激射,得到时间上的高相干性。  7、能够产生超短脉冲:采用增益开关和锁模等方法,以简单的系统结构能够获得从纳秒到皮秒的超短脉冲。  8、可批量生产:由于是小型、层状结构,可以用光刻和平面工艺技术制作,适宜于大量生产。  9、可靠性高:由于是单片状,所以具有牢固的机械结构。  10、可单片集成化:能够把同种半导体激光器集成在同一衬底上。
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发布时间:2022-07-29 17:40 阅读量:2620 继续阅读>>
半导体<span style='color:red'>激光器</span>是什么 半导体<span style='color:red'>激光器</span>的工作原理
  半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长,并可采用简单的注入电流的方式来泵浦,其工作电压和电流与集成电路兼容,因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点,半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面得到了广泛的应用。下面Ameya360电子元器件采购网给大家介绍一下“半导体激光器是什么 半导体激光器的工作原理”。  一、半导体激光器是什么  半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。  二、半导体激光器的工作原理  根据固体的能带理论,半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带,低能量的为价带,两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时,把释放的能量以发光形式辐射出去,这就是载流子的复合发光。  一般所用的半导体材料有两大类,直接带隙材料和间接带隙材料,其中直接带隙半导体材料如GaAs(砷化镓)比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率,发光效率也高得多。  半导体复合发光达到受激发射(即产生激光)的必要条件是:  1、粒子数反转分布分别从P型侧和n型侧注入到有源区的载流子密度十分高时,占据导带电子态的电子数超过占据价带电子态的电子数,就形成了粒子数反转分布。  2、光的谐振腔在半导体激光器中,谐振腔由其两端的镜面组成,称为法布里一珀罗腔。  3、高增益用以补偿光损耗。谐振腔的光损耗主要是从反射面向外发射的损耗和介质的光吸收。
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发布时间:2022-07-29 17:32 阅读量:2685 继续阅读>>

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