SK<span style='color:red'>海力士</span>宣布与台积电合作开发HBM4
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SK海力士宣布与台积电合作开发HBM4

　　集微网4月19日消息，SK海力士今日宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。　　SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”　　两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片(BaseDie)进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片(CoreDie)堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。　　* 硅通孔(TSV，ThroughSiliconVia)：在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。　　SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E(第五代HBM产品)都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)工艺。若在基础裸片采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化(Customized)HBM产品。　　与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS**技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。　　** CoWoS(ChiponWafer onSubstrate)：台积电独有的制程工艺，是一种在称为硅中阶层(Interposer)的特殊基板上搭载并连接GPU、xPU等逻辑芯片和HBM的封装方式。其技术在2D封装基板上集成逻辑芯片和垂直堆叠(3D)的HBM，并整合成一个模组，因此也被称为2.5D封装技术 。　　SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示：“通过与台积电的合作伙伴关系，公司不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作(OpenCollaboration)。今后，公司将提升客户定制化存储器平台(CustomMemoryPlatform)的竞争力，以巩固公司‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”　　台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：“多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过与此融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品，为我们的共同客户开展新的AI创新成为关键推动力。”
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发布时间：2024-04-19 11:03 阅读量：329 继续阅读>>
传英伟达向SK<span style='color:red'>海力士</span>和美光大量预购HBM3内存
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传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3内存

　　据消息人士透露，英伟达除了大量预定台积电产能外，还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息，但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。　　此外，还有业内人士透露，三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。业内人士预计，在AI领域半导体公司的激烈竞争推动下，HBM市场有望在未来两年内迎来爆发式增长。　　据悉，英伟达正在筹备两款搭载HBM3E内存的新品：分别是配备高达141GB HBM3E内存的H200 GPU和GH200超级芯片。这两款产品的推出无疑将进一步提升英伟达对HBM内存的需求。　　H200 是目前世界上最强的 AI 芯片，也是世界上首款采用 HBM3e 的 GPU，基于 NVIDIAHopper 架构打造，与 H100 相互兼容，可提供 4.8 TB/s 速度。　　在人工智能方面，英伟达表示，HGX H200 在 Llama 2(700 亿参数 LLM)上的推理速度比 H100 快了一倍。HGX H200 将以 4 路和 8 路的配置提供，与 H100 系统中的软件和硬件兼容。它将适用于每一种类型的数据中心(本地、云、混合云和边缘)，并由 Amazon Web Services、Google Cloud、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure 等部署，将于 2024 年第二季度推出。　　英伟达一直是人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的领先者。英伟达的决策表明其对高带宽内存(HBM3)供应的重视，这将有助于确保其未来产品的高性能和竞争力。
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发布时间：2024-01-02 16:50 阅读量：1176 继续阅读>>
SK<span style='color:red'>海力士</span>的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司
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SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司

　　近日，据businesskorea报道，SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司。　　Solidigm关闭韩国分公司　　据业内人士透露，由于行业形势下滑，Solidigm于7月份裁掉了韩国分公司的全部人员。最初，Solidigm韩国分公司只有少数人工作，但随着经营状况不断下滑，最终为了提高运营效率而关闭。　　Solidigm是SK海力士的子公司，前身为英特尔NAND闪存业务部门，被SK海力士以90亿美元收购后，于2021年12月成立为独立公司。Solidigm负责固态硬盘 (SSD) 的所有产品开发、生产和销售。　　但在被SK海力士收购以及市场低迷之后，Solidigm一直面临着运营挑战。　　NAND价格在较长时间保持低迷。据DRAM Exchange称，存储卡和USB通用NAND闪存产品(128Gb 16Gx8 MLC)的固定交易价格截至去年5月平均维持在4.81美元，但今年8月跌至3.82美元。　　企业营收亏损也在加大。Solidigm今年上半年净亏损超过2.2423万亿韩元，与去年同期(2,583亿韩元)相比，增长了八倍多。　　为了应对这些挑战，Solidigm最近通过大规模裁员来降低支出。此前有报道称，由于业绩下滑，Solidigm在7月份对美国总部约 100 名员工进行了重组，约占其美国总部员工总数的 10%。据称，裁员的对象是与SSD相关的软件(SW)和研发(R&D)等领域的人员。　　SK海力士代表表示：“由于Solidigm总部正在实施运营效率措施，包括韩国在内的某些地区的分支机构已关闭。未来的国内产品销售将通过我们的总部或经销商进行。”　　NAND价格触底　　不过，近期综合各方消息，NAND价格开始逐渐触底，部分原厂小范围涨价。　　8月初，有业内人士透露，三星通知客户，打算将512Gb NAND闪存晶圆的报价提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%，这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。　　分析师郭明錤在近日也发文称，紧跟三星8月的涨价步伐，美光9月起已开始着手调涨NAND Flash晶圆合约价，涨幅在10%左右。　　由于NAND Flash晶圆涨价、带来成本提升压力，模组厂近期也纷纷释出调涨终端产品的意向，主要体现在SSD产品方面，金士顿、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易，不再开放客户另议以低价成交。金士顿还表示，由于产品价格便宜，从8月起拒绝客户降价，并会重建部分NAND库存。　　方正证券指出，供给端加速收缩、限制低价供应，进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨趋势。分析师预计，随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、PC需求复苏以及iPhone15即将发布，原厂出货压力将逐步缓解，NAND Flash调整周期尾声将至。
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发布时间：2023-09-11 14:05 阅读量：2114 继续阅读>>
库存超百亿美元，三星、SK<span style='color:red'>海力士</span>一季度芯片业务恐亏损数十亿美元
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库存超百亿美元，三星、SK海力士一季度芯片业务恐亏损数十亿美元

　　3月20日消息，据韩国媒体The Korea Herald报道，由于存储芯片市场需求下滑，价格疲软，再加上库存水位过高，今年第一季度，韩国半导体巨头三星电子和SK 海力士的芯片业务恐面临数十亿美元亏损。　　根据三星3月19日提交给韩国金融监督院（Financial Supervisory Service）的申报文件，截至2022年第四季，该公司整体库存资产达到52.2万亿韩元（约399亿美元），刷新历史新高，远高于2021年的41.4万亿韩元。其中，占三星总营收比重最高的半导体事业部，2022年第四季库存金额达29.1万亿韩元，相比2021年同期大幅增加约12.6万亿韩元。　　SK海力士也陷于一样的问题，根据申报文件显示，其2022年第四季整体库存资产攀升至15.7万亿韩元（约120亿美元），同比增长75%。由于SK海力士业务主要专注于DRAM和NAND Flash，占总营收的90%以上，因此在市况低迷时期容易受到更大打击。　　报导指出，因疫情红利不再，电视等家电需求已失去支撑，加上美欧主要经济体积极升息，大大削弱消费者的购买力，使得市场充斥著芯片库存过剩，导致芯片价格大幅下跌。　　产业人士指出，PC DRAM和NAND Flash价格已跌到快接近成本。韩国券商KB Securities预测，2023年第一季，DRAM和NAND Flash价格将分别出现19%、18%的跌幅。　　根据FnGuide的数据，在芯片价格下跌及高库存的情况下，2023年第一季，三星和SK海力士的芯片业务预计将陷入亏损，其中，三星半导体事业部的营业亏损估计介于1.91兆至4.47万亿韩圜（约14.6亿至34亿美元），而SK海力士为3.11万亿韩元（约23.7亿美元）。　　根据集邦科技（TrendForce）3月16日发布的最新报告预测，2023年第一季，NAND Flash产业营收仍将季减8.1%。不过，受益于铠侠（KIOXIA）、美光（Micron）、西部数据（WD）、SK海力士等主要供应商相继减产，有助于缓解目前供给过剩的情况，带动NAND Flash均价跌幅收敛至10%-15%。
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发布时间：2023-03-20 11:37 阅读量：2285 继续阅读>>
SK<span style='color:red'>海力士</span>DRAM厂氢氟酸泄露！3人受伤
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SK海力士DRAM厂氢氟酸泄露！3人受伤

▎7日从韩媒获悉，4月6日上午，SK海力士利川M16工厂有3名工人在检查设备 的过程中因毒性物质氟酸泄露受伤。据悉，M16工厂DRAM生产工厂...根据SK海力士和消防当局6日的说法，当日上午11时34分许，3名工作人员在京畿道利川市SK hynix的 M16工厂5楼的设备进行检查期间，发生氢氟酸泄漏事故，3名员工因毒性物质氟酸泄露受伤，其中1名员工胳膊和腿部被烧伤，另2名员工则不慎吸入氟酸气体被立即送往医院，3人均无生命危险。公开资料显示，氢氟酸（Hydrofluoric Acid）是氟化氢气体的水溶液，清澈，无色、发烟的腐蚀性液体，有剧烈刺激性气味。氢氟酸是一种弱酸，具有极强的腐蚀性，能强烈地腐蚀金属、玻璃和含硅的物体。如吸入蒸气或接触皮肤会造成难以治愈的灼伤。SK hynix表示:“此次事故是在检查M16新工厂的机器的过程中发生的，对半导体生产没有影响。”值得庆幸的是， 3名受伤的工人在被送医急救之后已无大碍。据悉，本次发生氢氟酸外泄事件的M16工厂是 SK hynix 新建成的一座工厂，据官网资料显示，M16工厂在2018年的11月动工，总投资金额达3.5万亿韩元，历时2年建成，到今年2月1日才举行了完工典礼。M16工厂还引进了极紫外光曝光机 (EUV) 进入产线，将主要用于生产 DRAM 产品。目前M16工厂正在进行最后一批生产设备的装机与测试工作，为202年下半年的正式量产做准备。 韩媒猜测， 此次化学品外泄事件发生是意外事件。至于真正的化学品泄漏原因，SK hynix表示将积极协助当地消防局做进一步调查。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
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发布时间：2021-04-08 00:00 阅读量：1352 继续阅读>>
SK<span style='color:red'>海力士</span>：晶圆代工8吋厂产能或翻倍，不排除并购
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SK海力士：晶圆代工8吋厂产能或翻倍，不排除并购

近日，韩国内存大厂SK海力士表态，将抢攻晶圆代工市场，考虑靠扩产或并购，让8吋晶圆代工厂的产能翻倍。据韩联社、BusinessKorea报道，SK海力士副会长Park Jung-ho 13日表示，打算让8吋晶圆代工厂的产能提高一倍，方法是扩大韩国厂产能或是进行并购，SK海力士是存储器大厂，非存储器部门和晶圆代工业务，目前只占该公司总营收的2%。SK海力士说，会先投资8吋厂，解决全球芯片荒，并要协助韩国IC设计厂扩大海外市场。上周韩国政府宣布，2030年前要提供510兆韩元(4,530亿美元)的税务优惠和补助，协助企业发展半导体供应链。目前SK海力士的晶圆代工业务，主要由旗下企业SK Hynix System IC负责，SK Hynix System IC在中国无锡设有晶圆代工厂，主要生产8吋CMOS图像传感器(CIS)以及电源管理芯片。另外，该公司的韩国清州(Cheongju)厂，仍有空间能安放新的晶圆代工设备。业界人士说，SK海力士可能很快会宣布并购，强化该公司在非存储器市场的地位。今年3月升任SK海力士副会长的Park，是SK集团知名的并购专家。他参与了SK海力士的多起大型收购案，包括2017年花费4兆韩元投资日厂铠侠(Kioxia)、2020年斥资90亿美元并购英特尔(Intel)的NAND业务。除此之外，SK海力士还有意在韩国龙仁(Yongin)的半导体聚落，增建四家新晶圆厂。增建的第一家工厂将在2024年开工，最快2025年量产。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
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发布时间：2021-05-17 00:00 阅读量：1287 继续阅读>>
中国半导体公司挖角三星<span style='color:red'>海力士</span> 7nm芯片台积电已经生产10亿颗
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中国半导体公司挖角三星海力士 7nm芯片台积电已经生产10亿颗

据ET NEW报道，中国半导体公司从韩国半导体公司招募关键人员的变得越来越明显。在各个工作地点都可以找到有关雇用三星电子和SK Hynix的有经验的人的工作职位。陷入困境的中国公司的尝试现在浮出水面。随着从韩国公司转移到中国公司的人员数量增加，中国公司将能够获得关键的技术知识，并在韩国半导体公司方面获得更多的基础。有人说，韩国政府需要执行体制战略，以保护拥有关键技术的人员。根据半导体行业周三的报道，中国半导体公司在韩国颇受欢迎的求职网站上发布了许多招聘有经验的人的职位。相应的帖子由韩国猎头公司撰写。许多帖子都包含了一些信息，即中国公司偏爱专门从事DRAM设计，并具有在韩国半导体公司工作的经验的人员。据一家猎头公司的招聘广告上表示，中国公司更喜欢年龄30至45岁，且在三星电子和SK Hynix工作的经验丰富的工程师。中国半导体公司多年来一直试图从韩国招募有经验的人才。有时候猎头公司会与工程师取得联系，并告诉工程师中国公司正在提供巨额薪水。但是，这是中国公司的职位发布第一次在韩国的招聘网站上公开上传。中国公司一直在从韩国和台湾招募人才。中国政府的战略是通过迅速从韩国和台湾学习技术知识来加速半导体的内部化进程。台积电7nm芯片生产10亿颗据台积电官网消息，截至今年7月，台积电已经生产超10亿颗7nm芯片。这些芯片用于100个以上的产品，包括苹果、华为在内的全球几十家公司都是台积电的客户。台积电7nm制程工艺于2018年4月大规模投产，首批生产的产品包括苹果A12芯片、华为海思麒麟980芯片等。台积电表示，大规模、高效的生产是其提高产品质量和可靠性的关键。作为第一个支持7nm制程工艺并大批量生产的企业，台积电的产量和质量已经超过其他半导体制造商。大规模的生产也推动台积电技术积累和进步，目前，台积电已掌握最先进的5nm制程工艺，并能够量产。值得一提的是，台积电的7nm芯片不仅可以用于电脑、平板和手机，在数据中心、汽车等方面也有应用。台积电指出，汽车客户对质量要求最高，他们希望采用最先进的技术来支持汽车辅助系统和自动驾驶功能。此前有消息称，特斯拉新一代自动驾驶芯片Hardware 4.0有望交给台积电代工，使用7nm工艺进行生产。
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发布时间：2020-08-25 00:00 阅读量：1813 继续阅读>>
<span style='color:red'>海力士</span>发布全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD
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海力士发布全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD

SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。据介绍，Gold P31支持基于4D NAND闪存技术的PCIe NVMe接口，读取速度最高可达3500 MB/s，写入速度高达3200 MB/s，该款产品是为所有个人电脑用户设计的，特别关注游戏玩家、设计师和内容创造者。另外，Gold P31的可靠性已通过1000小时高温运行寿命试验（HTOL）进行测试和验证，平均无故障时间（MTBF）达到150万小时。该报道称，固态硬盘市场向PCIe NVMe接口的快速过渡，以及Gold P31的诞生，突显了SK 海力士在向全球PC OEM提供可靠的PCIe NVMe产品方面的领先地位。最新的固态硬盘是市场上速度最快、最具创新性的消费类固态硬盘之一，采用了SK 海力士的最新技术。作为内存芯片的领先制造商，SK 海力士设计、开发并提供自己的DRAM和NAND Flash设备以及内部SSD控制器。在退出Gold P31 PCIe SSD之前，SK 海力士推出了Gold S31 SATA消费级SSD，提供了业界一流的速度和可靠性。继去年Gold S31 SSD在美国成功上市后，该公司相信Gold P31将凭借业界领先的性能指标，在不断增长的PCIe市场上占据重要地位。根据SK 海力士对社会和环境价值的严格承诺，Gold P31采用森林管理委员会认证的纸张、可生物降解塑料袋和大豆墨水进行包装。不过这一次，Gold P31只提供了500GB、1TB两种容量版本，似乎很对不起这种高密度堆叠闪存，或许未来会有更大容量的版本。其他方面，M.2 2280标准形态，单面设计，无散热片，SK海力士自研主控，支持PCIe 3.0 x4，随机读写最高3.5GB/s、3.1GB/s，持续读写最高570K IOPS、600KIOPS。不过在TLC模式下，持续读取还是能跑到3.5GB/s，但是持续写入只能做到950MB/s、1700MB/s，随机读取降至500K IOPS，随机写入降至220K IOPS、370K IOPS。读取延迟980us，写入延迟45us，负载功耗6.3W，空闲功耗小于0.05W，平均故障间隔时间150万小时。写入寿命未公布。
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发布时间：2020-08-21 00:00 阅读量：1642 继续阅读>>
半导体公司SiFive获6100万美元融资 由SK<span style='color:red'>海力士</span>领投
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半导体公司SiFive获6100万美元融资 由SK海力士领投

8月13日消息，据国外媒体报道，半导体公司SiFive宣布获得6100万美元的E轮融资。此轮融资由SK海力士领投，新投资者Prosperity7 Ventures和现有投资者Sutter Hill Ventures、西部数据的风险投资部门、高通风险投资基金（Qualcomm Ventures）、Intel Capital、Osage University Partners和Spark Capital参投。SiFive成立于2015年，是一家致力于将开源半导体技术商业化的加州初创企业，该公司目前正致力于销售基于RISC-V架构的半导体设计。据报道，这笔新资金使该公司自2015年成立以来的总融资额超过1.85亿美元。有了这笔新资金，该公司将帮助领先的半导体公司将用于航空航天、汽车、人工智能、数据中心、移动、网络和存储应用等领域的新产品推向市场。
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发布时间：2020-08-14 00:00 阅读量：1301 继续阅读>>
三星<span style='color:red'>海力士</span>上半年芯片营收暴跌三分之一
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三星海力士上半年芯片营收暴跌三分之一

在过去几个月中，日本政府宣布对韩国进行半导体材料出口管制，并且将从出口白名单中取消，引发了对韩国科技行业尤其是半导体产业的影响，三星电子掌门人李在镕甚至紧急前往日本拜访供应商，寻求半导体材料的变通供应。韩国半导体厂商的经营业绩是否产生了一些重大变化呢？据外媒最新消息，半导体专业机构周三发布的一份报告显示，由于价格下跌等原因，韩国两大内存芯片制造商三星电子和SK海力士公司的全球芯片销售收入排名分别下滑至第二位和第四位。半导体市场研究机构IC Insights发布的2019年麦克莱恩报告（MacClean Report）显示，全球领先的半导体企业三星电子在2019年上半年的芯片销售额下降了30%以上。报告显示，截至6月，全球前15大芯片制造商的总销售额为1487亿美元，同比下降18%。报告指出，三星电子、海力士和美光科技这三家最大的内存芯片制造商，上半年销量大幅下滑。统计数据显示，今年上半年，三星电子半导体销售额下降了33%，而海力士则下降了35%。总部位于美国的美光公司则大幅下跌34%。这样，美国半导体巨头英特尔在2017年第二季度败给三星之后，于2019年上半年取代三星成为全球最大的半导体制造商。这份报告指出，虽然三星电子在2017年和2018年保持了全年排名第一的位置，但英特尔预计将轻松夺回2019年全年半导体收入排名第一的位置，此前该公司从1993年到2016年一直保持这一位置。报告显示，英特尔上半年半导体销售同比小幅下滑2%，跌幅远远小于三星电子。根据IC Insights的报告，由于全球内存和闪存芯片市场的崩溃，这带来半导体市场格局一个“完全的转变”。作为对比，2018年上半年，三星电子芯片销售额比英特尔高出22%，但今年同期英特尔的销售额比三星高出20%。中国台湾地区的半导体厂商台积电公司上半年销售额下降9%，取代韩国海力士位居全球第三名。SK海力士跌至第四位。报告指出，“IDM索尼公司”在全球半导体收入榜单中上升了5位，在2019年上半年成为第14大半导体供应商。索尼公司主要为智能手机提供图像传感器组件，也是唯一一家销售额同比增长的半导体公司。需要指出的是，排名前15位的芯片制造商第二季度的销售额较第一季度略有增长，该报告对半导体市场下半年的复苏给出了积极的预测。报告称，“总体而言，企业对第三季营收增长的预期差异很大，从21%到2%不等。”在三星电子和海力士公司高达三分之一的暴跌中，是否有日本限制出口半导体材料的因素，这份报告并未进行分析。据国外媒体报道，日本政府对于韩国半导体厂商的出口限制出现了一些松动的迹象。据悉，日本政府最近批准一家日本厂商向三星电子出口光刻胶，出口量是三星电子大约6个月的使用量。
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发布时间：2019-08-23 00:00 阅读量：1189 继续阅读>>

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