英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，创建行业新基准

发布时间：2023-11-29 11:05
作者：AMEYA360
来源：英飞凌
阅读量：1723

　　英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS™ 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS™ 7 MOSFET 技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。

　　与 OptiMOS™ 5 25 V 相比，更低的击穿电压可显著降低通态电阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS ，成为同类最佳的产品。可选的组合包括 PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装(带底部和双面散热型)、衬底上的标准栅和中心栅电极，可灵活优化的 PCB 布局设计，以及紧凑的超小型PQFN 2x2 mm2封装。脉冲电流能力超过 500 A，Rthjc为 1.6 K/W。结合源极底置封装，不仅降低了导通和开关损耗，同时简化散热管理，还将功率密度和效率推向了新高度。该产品系列为支持数据中心配电架构的新趋势(如48:1 DC-DC 转换)提供了飞跃性的支持，开启服务器、数据通信和人工智能应用升级的新篇章，同时最大限度地减少了碳足迹。

　　主要特点

　　业内首款 15 V 沟槽功率 MOSFET

　　与 25 V 节点相比，RDS(on) 达到新基准

　　出色的 FOMQg/ FOMQOSS

　　极低的寄生效应

　　提供标准和中心栅极引脚

　　可选双面散热型

　　主要优势

　　适用于高转换率DC-DC 转换器

　　降低导通/开关损耗

　　最佳开关性能和低过冲

　　源极底置中心栅极可优化并联电路布局

　　源极底置标准栅极可与现有PCB 布局轻松匹配

　　双面散热，提高散热性能

　　价值主张

　　适用于高比率 DC-DC 转换器：

　　业内首款工业级 15V 垂直沟槽技术功率MOSFET

　　与 OptiMOS™ 5 25V 相比，RDS(on),max4,5 降低 30%

　　出色的 FOMQOSS 和 FOMQg

　　紧凑的PQFN 2x2 mm2封装

　　ID(pulse)=516A，RthJCmax=3.2K/W

　　双面散热PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装：

　　- 简化散热管理

　　- 降低系统温度

　　提高功率密度

　　15V产品组合

英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，创建行业新基准

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