东芝硅晶圆缺货!需求1个月强比1个月,Q3-Q4存储器缺翻天

Release time:2017-06-20
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source:国际电子商情
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最新消息,东芝半导体因为原料硅晶圆供应不足,导致iPhone用3D NAND落后三星2个月;群联董事长潘潘健成日前表示,Q3是传统旺季,客户拉货力道逐渐转强,需求会1个月比1个月强。Flash Memory闪存正迎来10年一度的超级周期,下半年存储器行情将如何演绎?厂商应该如何应对?

iPhone用3D NAND进度,东芝落后三星两月

Flash Memory闪存正迎来10年一度的超级周期,三星、美光、SK海力士提前加价和原材料厂商签订供应合约确保货源安全,导致全球硅晶圆库存水位处于历史低点,需求严重供应不足。有分析认为,截至2018年年末为止,12寸硅晶圆价格很有可能会比2016年年末调涨40%以上。

供应链消息称,全球第二大NAND Flash厂商东芝半导体受出售事件影响,与硅晶圆供应商协商落后,在快速变化的市场处于不利地位,报导称,在苹果iPhone新机采购的3D NAND Flash的研发上,与三星电子相比,东芝还落后2个月时间。在给苹果供货方面,东芝可能因为硅晶圆缺货而导致交货延迟,而影响全球NAND行情。

目前,东芝半导体出售事宜还未定论,具体合资方未敲定,时间一拖再拖,东芝半导体的不确定因素将影响后续存储器市场行情。

上游硅晶圆涨价缺货,整个NAND Flash产业转进3D技术进展不顺,智能手机内建的存储器容量不断提升,下半年,终端品牌厂商成本上涨压力加剧。华为也对存储混用事件进行了反思,供应链将强化存储器供应商管理,下半年缺货将不可避免。

群联潘董:下半年需求会1个月比1个月强

据台媒报道,群联董事长潘健成日前表示,固态硬盘(SSD)需求显著转强,尤其是中国大陆厂商需求最强,主要是第三季度是传统旺季,加上暑假将至,电玩市场复苏等因素,使得客户拉货力道逐渐转强,预期下半年需求会1个月比1个月强。

目前,苹果已经针对下半年问世的新款智能手机备货,从年初每个月就开始拉货,规格最高可能是256GB,因为要比对苹果规格,安卓阵营还在观察。如果接下来安卓阵营手机厂商备货需求涌现,预计NAND Flash将会缺到年底,缺货潮恐严重到难以想象。

据了解,苹果与三家NAND Flash大厂(三星、SK海力士、美光)都有签订供货保障合约,确保下半前新机问世有足够的存储器可用,现在各家家半导体厂都因为3D NAND良率的问题,恐难以交出足够的货源给苹果。

此前,由于闪存芯片价格涨太多,中间的代理商认为利润被压缩,不愿意出货,也会导致存储器缺货。

潘健成透露,Q3供给非常辛苦,Q4恐怕比Q3更缺货,下半年NAND Flash怕会缺翻天!截至5月底止,群联库存水位逾90亿元新台币,已经有供货商提前预告,在货源供应上,第4季的需求将会较第三季度还吃紧,甚至未来3年的供给机无法满足需求量。

存储器产能转移缓慢,合约价格持续上扬

DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮表示,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制,进而转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND),然而转换期所造成的产能损失,导致供需失衡,进而使合约价持续上扬。DRAMeXchange预估,在2017年NAND Flash供应都将吃紧的情况下,NAND Flash厂商营收将逐季增加。

根据IC Insights的预计,2017年内存(DRAM)价格涨幅将达到39%,闪存(Flash)涨幅也有望达到25%。这是由于需求增长和供给收缩。一方面,国产品牌手机出货量持续增长;另一方面,以三星、海力士为代表的企业正投入一场存储器创新竞赛,将二维闪存(2D NAND Flash)转移至三维闪存(3D NAND Flash)的技术革命,这导致产能增长放缓。

在NANDFLASH领域,三星、东芝/闪迪、美光/英特尔、SK海力士几乎瓜分了全部市场,同时产能规模方面东芝/闪迪达到了49万片/月,三星40万片/月,美光/英特尔27万片/月,SK海力士21万片/月。

目前,DRAM生产工艺微缩进入到20纳米节点,工艺制程继续微缩、良率提升的难度急剧上升,经济效益不好,因此,各大厂对先进技术开发、资本支出持保守态度。预计到2018年,随着3D NAND Flash产能和良率不断提升以及新增产能陆续投产,存储器供应紧张局面有望缓解。

存储器周期波动,企业应该如何应对?

存储器周期波动还将严重影响到系统整机企业、分销商和芯片设计企业的库存和备货。尤其是对手机领域如联发科、展讯等提供Turnkey解决方案的芯片企业来说,影响更为巨大。这些企业需要提前备齐整机产品所需的所有元器件的用料,一般情况下芯片原厂、分销商/代理商、系统整机企业均各备一个月的货。存储器产品价格的剧烈波动,大幅增加了这些企业的备货风险。例如在功能机时代,某手机芯片企业曾提前囤积了大量的套片和512MBDRAM+256MBFLASHMCP芯片,但由于出货时市场主流配置变成了1GBDRAM和512MBFLASH,同时加上存储器企业清理库存和转产,造成了512MBDRAM和256MBFLASH芯片颗粒价格暴跌,结果大量的套片和存储芯片积压在该手机芯片企业手中,最终只能大幅亏损清理出去。

存储器周期波动,那么企业应该如何应对?首先,关注市场最新的、第一手的行情信息,对采购和生产计划进行动态调整,平衡淡季和旺季下的采购需求。其次,以价换量、预测走势,在保证价格的前提下保证供货,和存储器原厂、代理商、分销商签订合约价格,避免陷入缺货临头才找货源的囧境,如果在物料缺货的情况下,做到以量换价。第三,很多企业都是微利运营,如果物料涨价太快,不卖产品反而更赚。这个时候,公司营销部门应该主动降低需求,进行战略调整,减产减销。最后,供应商与厂商之间都是在合作中不断的互相筛选和评估,谨慎从一些炒货的贸易商、代理商处采购物料。

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东芝半导体,“硬核”加持空气净化器
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2025-05-19 10:14 reading:249
东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器
  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,最新推出一款可用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”,具备+6.8 A/–4.8 A的输出电流,采用小型SO8L封装并提供有源米勒钳位功能。  在逆变器等串联使用MOSFET或IGBT的电路中,当下桥臂[2]关闭时,米勒电流[1]可能会产生栅极电压,进而导致上桥臂和下桥臂[3]出现短路等故障。常见的保护措施有,在栅极关闭时,对栅极施加负电压。  对于部分SiC MOSFET而言,具有比硅(Si)MOSFET更高的电压、更低的导通电阻以及更快的开关特性,但栅极和源极之间可能无法施加足够的负电压。在这种情况下,有源米勒钳位电路的应用使米勒电流从栅极流向地,无需施加负电压即可防止短路。然而由于部分削减成本的设计,导致其在IGBT关断时减少用于栅极的负电压。而且在这种情况下,内建有源米勒钳位的栅极驱动器是可以考虑的选项。  TLP5814H内建有源米勒钳位电路,因此无需为负电压和外部有源米勒钳位电路提供额外的电源。这不仅为系统提供安全功能,而且还可通过减少外部电路来助力实现系统的最小化。有源米勒钳位电路的导通电阻典型值为0.69 Ω,峰值钳位灌电流额定值为6.8 A,因此非常适合作为SiC MOSFET的栅极驱动器,SiC MOSFET对栅极电压变化非常敏感。  TLP5814H通过增强输入端红外发射二极管的光输出并优化光电检测器件(光电二极管阵列)的设计实现了–40 °C至125 °C的额定工作温度,从而可提高光耦合效率。因此,面对严格热管理的工业设备,比如光伏(PV)逆变器和不间断电源(UPS)等是十分适合的。此外,其传输延迟时间和传输延迟偏差也规定在工作温度额定值范围内。其5.85 mm×10 mm×2.1 mm(典型值)的小型SO8L封装有助于提高系统电路板的部件布局灵活性。此外,它还支持8.0 mm的最小爬电距离,进而可将其用于需要高绝缘性能的应用。  未来东芝将继续开发光电耦合器产品,助力增强工业设备的安全功能。  应用  工业设备  ● 光伏逆变器、UPS、工业逆变器以及AC伺服驱动等    ● 内建有源米勒钳位功能  ● 额定峰值输出电流:IOP=+6.8 A/–4.8 A  ● 高工作温度额定值:Topr(最大值)=125 °C  主要规格  (除非另有说明,否则Ta=-40°C至125°C)  注:  [1] 米勒电流:当高dv/dt电压应用于MOSFET的漏极和栅极之间的电容或IGBT的集电极和栅极之间的电容时,产生的电流。  [2] 下桥臂是从使用电源器件的电路的负载中吸收电流的部件,例如串联至电源负极(或接地)的逆变器,而上桥臂则是从电源为负载提供电流的部件。  [3] 上桥臂和下桥臂短路:由于噪声引起的故障或开关过程中米勒电流引起的故障,上下电源器件同时接通的现象。
2025-03-14 10:55 reading:503
东芝功率半导体后道生产新厂房竣工
  日本川崎——东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本西部兵库县姬路半导体工厂的车载功率半导体后道生产新厂房举办了竣工庆祝仪式。新厂房的产能将比2022财年的水平增加一倍以上,并将于2025财年上半年开始全面生产。  新厂房旨在通过采用RFID[1]标签提高工作效率,并提高库存管理的准确性来推动智能工厂计划。该设施将100%由可再生能源供电,包括根据购电协议在建筑物屋顶上安装太阳能电池板等。  功率器件是提高各种电气和电子设备能源效率的重要元件,在电力供应和能耗控制方面发挥着至关重要的作用。汽车的持续电气化和工业设备对更高效率的要求预计将推动市场对功率半导体的长期需求。东芝将通过对前道和后道生产设施的投资来应对这一挑战,并将通过稳定供应高效、高可靠性产品来满足市场增长。  新生产设施将使姬路工厂的车载功率半导体生产能力较2022财年增加一倍以上,为推进碳中和作贡献。         新生产厂房概况  建筑面积:4,760.31 m2  总建筑面积:9,388.65 m2  结构:钢架结构,地上2层  竣工时间:2025年3月  用途:功率半导体制造(后道工艺)  姬路工厂 - 半导体工厂概况  地点:日本兵库县揖保郡太子町鵤-300  占地面积:246,800.08 m2  总经理:Kyozo Takeo  员工:约1,400人(截至2025年1月)  主要产品:分立半导体(功率器件、小信号器件)  [1]射频识别(RFID)是指利用小型IC芯片和天线记录信息的自动识别技术。
2025-03-14 09:31 reading:436
东芝推出面向车载直流有刷电机的栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸
  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,量产面向车载直流有刷电机应用的栅极驱动IC[1]——“TB9103FTG”,其典型应用包括用于电动后门和电动滑门的闩锁电机[2]和锁定电机[3],以及电动车窗和电动座椅的驱动电机等。  汽车部件现已基本实现电气化,电机的需求以及在汽车中集成的电机数量都在增加。随着电动机中使用的驱动IC数量的增加,人们更倾向采用高集成度和小型化的系统解决方案。此外,有些电机应用不需要控制转速,只需具有简单功能和性能的驱动IC。  TB9103FTG可为无需控制速度的直流有刷电机提供优化的栅极驱动IC功能和性能,为实现更紧凑设计开辟了道路。它具有内置的电荷泵电路[4],可确保为驱动电机外部MOSFET供电所需的电压。此外,它还具有栅极监控功能,可通过为高低侧外部MOSFET自动控制栅极信号输出时序,防止生成直通电流。与此同时,该IC还内置睡眠功能,可在待机时降低功耗。  这款全新IC既可用作单通道H桥,也可用作双通道半桥。除了作为电机驱动IC外,它还能与外部MOSFET结合,替代机械式继电器以及其它机械开关,有助于实现更安静的运行以及更高的设备可靠性。  TB9103FTG采用4.0 mm×4.0 mm(典型值)VQFN24封装,有助于缩小设备尺寸。  东芝网站上现已发布“使用TB9103FTG的车载直流有刷电机控制电路”的参考设计。  未来东芝将继续扩大其车载电机驱动IC的产品线,为车载设备的电气化和安全性提高做出贡献。  应用:  车载设备  用于电动后门及电动滑门使用的闩锁电机和锁定电机的驱动器;用于车窗和电动座椅等的电机的驱动器  特性:  精简的功能和性能有助于小型化  小型封装  低待机功耗(内置睡眠功能)  可用作单通道H桥或双通道半桥的栅极驱动IC  符合AEC-Q100(Grade 1)标准  主要规格:  注:  [1] 栅极驱动IC:驱动MOSFET的驱动IC。  [2] 闩锁电机:系统中用于保持车门关闭的电机。  [3] 锁定电机:系统中与钥匙配合工作,为车门上锁和开锁,以防出现犯罪行为而使用的电机。  [4] 电荷泵电路:使用电容器和开关升压的电路。
2025-03-14 09:11 reading:343
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