经济放缓损及市场需求 三星财报公布前遭看衰

发布时间:2019-01-08 00:00
作者:
来源:路透社
阅读量:1640

据路透社报道,韩国三星电子季度营业利润料两年来首次下降,因关键市场--中国的经济放缓,损及对该公司产品的需求。

若全球最大的半导体及智能手机厂商--三星电子公布的业绩黯淡,将令投资者更加惴惴不安。此前,苹果已调降季度营收预估,将之归咎于中国市场的iPhone销售放缓。

三星定于1月8月发布第四季业绩初估,路孚特(Refinitiv)I/B/E/S数据显示,当季营业利润料较上年同期下降12%至13.3万亿韩元(118.5亿美元)。

“中国市场需求低迷,将进一步驱动三星电子在当地的芯片销售下降。而且,中国整体智能手机市场停滞并正在下滑,不仅苹果受影响,三星也是,”HI Investment & Securities分析师Song Myung-sup说。

第四季营收预计下滑5%,受到记忆体芯片出货下降拖累。三星电子在去年10月削减了2018年资本支出,结束两年来对芯片的大手笔投资,因全球智能手机市场放缓。

这股逆风持续在第四季打击整个行业。根据分析公司Counterpoint Research,第三季全球最大智能手机市场中国总销量下滑了8%。

关键在中国

三星电子的全球智能手机业务也没有幸免,路孚特数据显示,预计该部门第四季获利下降五分之一。

“你看,苹果iPhone在中国的销量已经下降。三星亦然,关键是中国手机市场的需求疲弱状态会持续多长时间,”HDC Asset Management的基金经理Park Jung-hoon称。该公司持有三星股份。

三星在中国智能手机市场份额不到1%,苹果占9%。但包括中国华为的手机在内,许多厂商的智能手机都采用三星的记忆体和处理器芯片,这些芯片业务占三星获利的四分之三以上,占营收的约38%。

由于智能手机市场形势欠佳,第四季三星芯片业务的整体营业利润预计较上年同期下滑3.7%至10.5万亿韩元。

据券商Eugene Investment & Securiteis,三星记忆体芯片出货量第四季平均下降10%。

前路将面临更多坎坷

分析师表示,苹果和三星的困境预示,随着中国经济增长减速以及中美贸易摩擦雪上加霜,全球性企业的处境将更加艰难。

中国12月制造业活动出现逾两年来首次萎缩。世界银行估计,2019年中国经济增长率将创近30年来最低。

韩国12月对中国半导体出口出现两年多来首次下滑。

中国是韩国芯片生产商的主要市场。2018年1-11月,以三星和SK海力士为主的韩国芯片生产商约41%的产品出口至中国。

Refinitiv数据显示,三星的获利预计在2019年下降,因上述疲弱态势持续。

据全球市调机构DRAMeXchange指出,第四季动态随机存取记忆体(DRAM)价格下降10%。NAND快闪记忆体(闪存)价格下滑了15%。

DRAMeXchange预计,第一季记忆体晶片(存储器芯片)价格将平均下滑10%。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
初学者必看:存储器基础知识汇总
  RAM  Random-Access-Memory,随机存储存储器,可读可写,分为SRAM和DRAM,即静态随机存储器和动态随机存储器,理解上静动态主要体现是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否则数据将丢失;SRAM的效率较好,而成本较高,通常将SRAM作为cache使用。  PSRAM  Pseudo static random access memory,伪SRAM伪随机存储器,内部和DRAM相似,接口和SRAM相似,具有自刷新功能,不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。  单\双端口RAM  单端口RAM同一时刻,只能满足读或写某一动作,而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等,可以同时进行两个操作,当然为避免冲突,存在一定的仲裁控制,成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口,单一个端口只读,另一个端口只能写。  ROM  Read-Only-Memory,只读存储器,通常使用时一次写好,使用时只能进行读操作,而不能进行写操作。  CACHE  高速缓冲存储器,由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢,增加的一级缓冲存储空间,当需要处理器需要访问内存某一块区域时,先缓存cache中,处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。  TCM  Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器,是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次),其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。  EEPROM  Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器,掉电非易失的存储芯片,在特殊高电压模式下可以插写,普通模式下只读ROM。  FLASH  闪存,和EEPROM一样可擦除可重写,差别EEPROM总是按字节操作,FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash,Nor-flash可以按照字节读取,而NandFlash只能按块读取,两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线,成本比Nand-Flash高,而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。  对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型,也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。  eMMC  embedded multi media card,集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路,提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。  硬盘  传统硬盘采用磁材料作为存储介质,固态硬盘使用FLASH,访问速度性能较好。
2024-03-20 11:23 阅读量:481
半导体存储器是什么
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。