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川土微电子推出CA-IF1044具有待机模式的CAN收发器！

　　川土微电子CA-IF1044S/VS-Q1新品来袭!　　支持1.8V~5V逻辑电平，总线故障保护达到±58V，广泛应用于汽车网关、车身控制模块、高级驾驶辅助系统(ADAS)、信息娱乐系统等。　　01产品概述　　CA-IF1044符合 ISO11898-2 (2016) 高速CAN(控制器局域网络)物理层标准。所有器件均设计用于数据速率高达 5Mbps(兆位每秒)的 CAN FD网络。该系列器件具有低功耗待机模式，支持ISO11898-2:2016定义的唤醒序列。CA-IF1044VS包含VIO电压，其内部的逻辑电平转换支持收发器接口直接连接1.8V、2.5V、3.3V或者5V逻辑电平。该器件支持总线故障保护电压±58V，包含许多保护功能，如热关断，TXD显性超时保护和电源欠压保护，以提高器件和CAN的稳定性。　　02产品特性　　• 所有器件均支持经典 CAN 和 5Mbps CAN FD(灵活数据速率)　　• 工作模式　　-常规模式　　-低功耗待机模式，支持远程唤醒请求　　• 未上电时的理想无源特性　　-总线和逻辑引脚处于高阻态(无负载)　　-上电和掉电时总线和 RXD 输出上无毛刺脉冲　　• VIO支持1.8V到5.5V(CA-IF1044VS)　　• CA-IF1044VS在待机模式下，支持+/-12V总线唤醒(VIO=1.8V), 支持+/-20V总线唤醒(VIO=2.5V)，支持+/-30V总线唤醒(VIO=3.0V)　　• 保护特性　　-总线故障保护：±58 V　　-VCC和VIO电源引脚上具有欠压保护　　-驱动器显性超时 (TXD DTO) 数据速率低至4kbps　　-热关断保护 (TSD)　　• 接收器共模输入电压：±30 V　　• 典型循环延迟：130ns　　• 结温范围：-55°C 至 150°C　　• 可提供SOIC8封装

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川土微电子

发布时间：2025-05-30 13:39 阅读量：187 继续阅读>>

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灵动微电子发布全新低功耗MM32L0180系列MCU

　　灵动微电子近日宣布推出基于Arm Cortex M0+内核的MM32L0180系列微控制器MCU，以超低功耗设计与丰富外设资源赋能智能终端设备。该系列产品进一步完善了灵动低功耗产品矩阵，形成从32KB至256KB Flash、20至80引脚的完整产品线，可满足工业控制、智能家居、可穿戴设备等多样化场景需求。　　MM32L0180系列核心优势　　MM32L0180产品描述　　高效内核：搭载Arm Cortex M0+处理器，主频高达48MHz，配备3通道DMA，实现高性能与低功耗的平衡。　　灵活存储配置：集成256KB Flash、5KB独立Data Flash及24KB SRAM，支持复杂算法与数据缓存需求。　　极致能效管理：提供6级低功耗模式(低功耗运行/睡眠/低功耗睡眠/停机/深度停机/待机模式)，待机电流仅0.38μA。　　丰富外设资源：　　- 显示驱动：内置段码式液晶驱动模块(SLCD)，支持最大44×8或48×4段码配置。　　- 通信接口：包含2×USART、5×LPUART、I2C、SPI及红外信号调制模块(IRM)，适配多场景通信需求。　　- 模拟功能：集成12位ADC(1MSPS采样率)、2路模拟比较器，支持温度传感与电压监测。　　宽压宽温设计：工作电压1.8V-5.5V，温度范围-40°C至85°C，提供LQFP48/64/80三种封装，适应严苛环境。　　兼容性：在48pin/64pin兼容MM32L0130系列产品。　　MM32L0180系列MCU选型表

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灵动微电子

发布时间：2025-05-30 13:32 阅读量：186 继续阅读>>

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太阳诱电多层陶瓷电容器的优势和特点

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太阳诱电

发布时间：2025-05-30 13:17 阅读量：187 继续阅读>>

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MLCC行业观察：村田销售额与价格趋势解读

　　全球MLCC龙头企业、AMEYA360代理品牌MURATA(村田)，成立于1944年，至今已有80年时间，1969年上市，但是据公开信息，目前仅能看到2001~2024年的上市情况。村田2011年市值为999.8亿人民币，到2024年6月3号，村田市值增长到2673亿人民币，近13年复合增速为7.86%，近13年平均市盈率为25.77倍。　　根据目前村田可公开的数据，2001~2024年，电容产品营收从56亿人民币增加到392亿，近26年复合增速约7%，稍微高于村田其他业务的增速。　　村田MLCC靠销量创收，价格呈现周期性，只是村田的周期性比较弱，23年受消费、工业需求下滑影响导致其价格有所下探。　　2014~2023年，订单量从3400亿片增加到7588亿片，近22年复合增速为7.3%，价格基本上没什么变化，均价为454人民币/万片(基本上也是四年一个周期)。村田25年3月年报有提出，随着新能源汽车及AI服务器的需求，零件需求会呈现增长趋势。　　综上结合村田的发展趋势推测，村田MLCC价格有望在25年、26年左右探底回升。

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村田

发布时间：2025-05-30 10:59 阅读量：181 继续阅读>>

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佰维特存工业级 TDP200 系列 PCIe SSD 全新上市

　　佰维特存深刻理解工业场景对存储稳定、可靠、不间断运行的严苛要求，推出专为工业大数据传输打造的 TDP200 系列工业级 M.2 PCIe SSD。该产品采用工业级软硬件配置、固件算法专项优化，在 7×24 小时高频写入、强机械冲击等极限工况下，依然为【数据通信、智慧医疗、工业自动化、工业机器人、AIoT】等场景提供高效存储支持。　　【工业级软硬件配置，”抗造”又稳定】　　精选工业级电子元器件，优化电路设计，确保在 70℃ 高温、-20℃ 低温等作业场景下平稳运行，保障数据完整性。　　严选 3D TLC 高品质闪存，采用高性能主控，容量高达 2TB，满足海量密集数据的传输需求。　　【专项固件优化，确保耐久可靠】　　集成 4K LDPC、SRAM ECC、RAID 、异常掉电保护等多重可靠性技术，擦写次数高达 3000 P/E，适应 7x24 小时不间断作业，高压运行不“宕机”。　　高精度热传感器结合 S.M.A.R.T. 健康监测工具，实时监测产品温度变化，自行调节至最佳性能状态，保障高负载环境下的持续可靠运行。　　【严苛测试流程，完善的品质保障】　　通过 1000+ 项老化、高低温及可靠性测试，验证产品的强韧品质。　　严格遵循国际生产标准，通过 ORT 测试，持续对产品的性能、可靠性进行全面质量监控，确保产品在全生命周期内的高品质。　　通过全面的兼容性测试，无缝兼容全球主流平台和操作系统。　　从产品设计、硬件架构、器件选型、固件算法再到封测制造，佰维工业级 SSD 每一个细节都只为打造更稳定、更可靠、更持久的工业数据底座。

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佰维

发布时间：2025-05-30 10:51 阅读量：177 继续阅读>>

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维安推出WPB系列主动型熔断器

　　1.新能源时代的“主动保护”趋势　　随着新能源汽车行业的高速发展，其相关安全事故也层出不穷。为此，工信部于2025 年3月 28 日组织制定了强制性国家标准《电动汽车用动力蓄电池安全要求》(GB38031-2025)，并于 2026 年 7 月 1 日起开始实施。　　此次新国标在热扩散测试等方面做出了多项调整，并新增底部撞击和快充循环测试内容，部分内容如下。此次变化对电动汽车的安全设计和制造提出了全新的挑战，并将“主动安全防护”推向行业刚需。　　顺应发展趋势，维安推出了WPB系列主动型熔断器，为客户提供一种全新可靠的主动保护产品。　　2.工作原理　　WPB系列主动型熔断器是一种先进的电路保护装置，其工作原理类似于汽车安全气囊的点火装置。当汽车发生意外情况时，若其内部检测到故障信号，如碰撞、过压、过流、短路、继电器粘连等，电池管理系统(BMS)或电子控制单元(ECU)等会向主动型熔断器发送触发信号。　　收到这个点火信号后，主动型熔断器内部的烟火装置会被迅速启动，产生瞬时爆炸冲击，推动动力装置快速移动，从而切断连接铜排，实现断电要求。整个过程仅需几毫秒，可有效避免短路或火灾等电气危险，为乘客提供宝贵的安全保障。　　3.产品优势　　维安WPB系列主动型熔断器以五大核心优势领跑行业,进一步为客户实现“主动安全防护”保驾护航：　　超快响应　　1毫秒切断负载，极快地缩短故障响应时间，可有效避免意外电气危险。　　精准触发　　严格管控烟火装置触发条件，根据应用需求可满足多种工作场景。　　创新灭弧　　采用独特的灭弧技术，可覆盖至高压、大电流的电气环境。　　高可靠型　　耐电流冲击性强，不易老化，使用寿命更长。　　个性定制　　可根据应用需求调整尺寸设计和载流/分断能力，致力于为 OEM 打造更全面的解决方案。　　4.产品信息　　5.应用场景　　新能源汽车、充电桩、储能系统、其他　　6.应用示例图1：维安WPB系列主动型熔断器在汽车平台中的应用方案图2：维安WPB系列主动型熔断器在储能平台中的应用方案

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维安

发布时间：2025-05-30 10:38 阅读量：184 继续阅读>>

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上海雷卯电子EMC 设计避坑指南：四不口诀

　　你的产品明明设计得很好，为什么一做EMC测试就失败?上海雷卯电子教大家4个超实用的EMC设计技巧四不口诀，帮你避开常见的坑!　　准则1 让电流“走捷径”，不绕远路　　核心逻辑：高频电流走 “电感最小路径”，环路越大→辐射越强!　　雷卯实验室关键知识点：　　· 信号电流必成环路，回流路径紧贴流出路径　　· 低频(kHz 级)走 “电阻最小路径”，回流可能分散;高频(MHz 级)走 “电感最小路径”，回流紧贴主线　　· 设计技巧：高速信号与回流平面紧邻，缩短信号层与地平面间距　　准则2 不要分割信号返回平面　　雷卯 EMC 工程师的安全经验法则是：为所有信号电流提供一个完整的返回平面。若某低频信号易受干扰或可能干扰电路板上的电路，应使用单独层的走线将其电流回流至源端，而非分割平面。随意开槽 / 分割地平面，导致回流路径突变→EMI 激增!　　例外情况：仅当低频敏感信号需隔离时(如音频电源)，可采用独立回流走线，但需满足：　　1. 独立层单独回流，不与高频平面交叉　　2. 可咨询雷EMC专家，避免照搬案例　　警示：99% 场景下，完整平面是最优解!　　准则3 不要在连接器之间布置高速电路　　在雷卯实验室评估过的电路板设计中，这是最常见的问题之一。许多本可轻松满足EMC要求(无需额外成本或精力)的简单设计，最终却因违反这一规则而不得不增加大量屏蔽和滤波措施。　　为何连接器的位置如此重要?在几百兆赫兹以下的频率，波长可达米级或更长，印刷电路板本身的“天线”因电尺寸小而效率低，但连接到电路板的电缆或其他设备却可能成为高效天线。　　信号电流在走线上流动并通过完整平面回流时，平面上任意两点的电压差通常与平面内的电流成正比。当所有连接器沿电路板一侧排列时，它们之间的电压差可忽略不计;但如果连接器之间布置了高速电路，连接器之间可能产生几毫伏或更高的电位差，这些电压会驱动电流流入连接的电缆，导致产品超出辐射发射要求。　　准则4 不盲目追求最快边沿，控制好信号转换时间　　核心逻辑：高频电流走 “电感最小路径”，环路越大→辐射越强!　　雷卯推荐控制手段对比表：　　推荐黄金比例：转换时间≈20% 位周期(如 100MHz 时钟，边沿控制在 2ns 以内)　　总结四不口诀速记表

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上海雷卯电子

发布时间：2025-05-30 10:33 阅读量：198 继续阅读>>

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捷捷微电MOSFET&IGBT双杀，微型逆变器效率狂飙200%

　　微型逆变器作为光伏发电系统的核心组件，其性能与功率器件的选型密切相关。捷捷微电针对不同功率需求，提供了基于MOSFET和IGBT的多样化解决方案。本文结合两种典型架构，分析其器件选型特点及适用场景。　　宽功率范围(250W-2000W)　　架构1采用MOSFET实现高效调制，覆盖功率范围广，支持反激拓扑等设计。关键器件参数如下：　　特点：　　高压MOSFET(650V)：如JMH65R系列，支持高功率密度设计，适用于调制电路。　　低压低阻MOSFET(150V)：如JMSH15系列，导通电阻低至9.9mΩ，优化反激拓扑效率。　　针对高功率段(>800W)，架构1引入IGBT以降低导通损耗，提升系统可靠性：　　特点：　　高耐压(650V)与低饱和压降(1.7V)，平衡开关损耗与导通性能，适用于高频调制场景。　　中低功率范围(250W-800W)　　架构2专注于中低功率段，采用全桥拓扑设计，全系使用MOSFET以实现更高效率：　　特点：　　低压MOSFET(80V)：如JMSL/JMSH系列，导通电阻低至2.4mΩ，支持全桥拓扑的高频开关需求。　　紧凑封装(TO-252/PDFN)：优化空间布局，适配小型化设计。　　对比与选型建议　　功率覆盖：　　架构1(250W-2000W)：MOSFET+IGBT组合，适合宽范围功率需求，高功率段依赖IGBT的低损耗特性。　　架构2(250W-800W)：全MOSFET方案，以高集成度满足中低功率场景。　　拓扑适配：　　架构1支持反激拓扑，架构2适配全桥拓扑，需根据系统设计要求选择。　　效率与成本：　　低压MOSFET(如80V/150V)在低功率段效率更优，而IGBT在高功率段更具成本效益。　　捷捷微电始终致力于为工程师伙伴提供更灵活、更贴心的产品选择。无论是中小功率的轻量化设计，还是高功率场景下的稳定需求，我们通过多样化的MOSFET与IGBT组合方案，让您能够轻松匹配项目中的功率目标、电路结构以及成本规划。选型时，只需聚焦核心需求——高效率的MOSFET可赋能轻载场景，而高可靠性的IGBT则能扛起大功率重任。两种技术路线相辅相成，助您在性能与成本之间找到最优解，让每一款微型逆变器都能高效运行、长久稳定。

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捷捷微电

发布时间：2025-05-30 10:13 阅读量：176 继续阅读>>

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恩智浦发布新一代安全互联NFC标签：为产品防伪打造“数字护照”！

　　恩智浦半导体日前宣布推出新一代Type 4安全互联NFC标签——NTAG X DNA。NTAG X DNA利用16KB的大容量存储、高速数据传输以及安全唯一NFC (SUN) 身份验证技术，能够快速、便捷且安全地验证产品或设备的真伪。　　NTAG X DNA旨在助力打击假冒伪劣产品，帮助制造商满足产品数字护照(DPP)相关要求，可通过I2C或NFC接口实现移动设备之间的安全数据传输。它为医疗保健、智能家居、移动、游戏配件和外设以及工业应用等广泛市场带来了高安全性身份验证解决方案。　　重要意义　　NFC为消费者提供了一种安全便捷的方式，让他们能在购买产品前安全地验证其真伪，从而增强品牌信任，打击假冒伪劣产品。　　这一创新方式与欧盟即将于2027年实施的产品数字护照(DPP)法规紧密相关。该法规要求以数字形式记录产品成分、原产地和生命周期等关键信息。NTAG X DNA可以帮助安全地存储并便捷地访问这些信息，从而助力企业更轻松地满足这些新法规要求。　　恩智浦半导体NFC物联网安全高级总监Alasdair Ross表示：“安全互联的NFC标签具备双接口功能，用户只需触碰一下，即可轻松访问设备信息，完成身份验证和登录，显著提升了用户体验。NTAG X DNA可兼容任何NFC移动设备，在恩智浦EdgeLock 2GO安全凭证下发交服务的支持下，可为医疗保健、智能物联网设备以及移动游戏应用提供高度安全的身份验证体验。”　　更多详情　　NTAG X DNA是恩智浦的新型Type 4安全互联NFC标签，符合 ISO/IEC 14443-4 标准，同时支持NFC和I2C通信协议。它通过与MCU的直接连接支持全面的设备诊断，并允许用户使用支持NFC的手机从云端获取帮助。它配备16KB内存，即使在断电的情况下也能安全地存储和访问设备信息，完成认证和身份验证。这同样允许用户在设备无法开机的情况下删除存储在其中的敏感信息，从而保护用户隐私。与前几代产品相比，848 kbps的高速数据传输不仅带来了无缝的用户体验，也提升了产品性能。　　NTAG X DNA高度安全，已获得Common Criteria EAL 6+ 认证，并支持基于公钥基础设施 (PKI) 的非对称加密和身份验证。NTAG X DNA以恩智浦的EdgeLock 2GO服务为后盾，可提供UID和证书，并生成额外的证书。

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恩智浦

发布时间：2025-05-30 10:05 阅读量：163 继续阅读>>

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纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

　　纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。　　　应用背景　　近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势，能够大幅提升电源系统的功率密度，明显优化能效表现，降低整体系统成本，在人工智能(AI)数据中心电源、微型逆变器、车载充电机(OBC)等高压大功率领域得到日益广泛的应用。　　然而，GaN器件在实际应用中仍面临诸多挑战。以增强型氮化镓(E-mode GaN)器件为例，由于导通阈值较低，在高压大功率场景，特别是硬开关工作模式下，如果驱动电路设计不当，高频、高速开关过程中极易因串扰而导致误导通现象。与此同时，适配的驱动电路设计也比较复杂，这无疑提高了GaN器件的应用门槛。　　为了加速GaN应用普及，国内外头部GaN厂家近年来推出了一些集成驱动IC的GaN功率芯片，特别是MOSFET-LIKE类型的GaN功率芯片，其封装形式可与Si MOSFET兼容，在一定程度上降低了GaN驱动电路的设计难度。但集成驱动的GaN芯片仍存在很多局限性：一方面难以满足一些客户对于差异化产品设计的需求;另一方面，在多管并联、双向开关等应用场景中并不适用，所以在诸多应用场景中仍需要分立GaN器件及相应的驱动电路。对此，纳芯微针对E-mode GaN开发专用驱动芯片NSD2622N，致力于为高压大功率场景下的GaN应用，提供高性能、高可靠性且具备成本竞争力的驱动解决方案。　　产品特性　　NSD2622N是一款专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片内部集成了电压调节电路，可以生成5V~6.5V可配置的稳定正压，从而实现对GaN器件的可靠驱动;内部还集成了电荷泵电路，可以生成-2.5V的固定负压用于GaN可靠关断。该芯片由于将正负电源稳压电路集成到内部，因此可以支持高边输出采用自举供电方式。　　NSD2622N采用纳芯微成熟可靠的电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V耐压，最低可承受200V/ns的SW电压变化速率，同时高低边输出具有低传输延时和较小的传输延时匹配特性，完全满足GaN高频、高速开关的需求。此外，NSD2622N高低边输出均能提供2A/-4A峰值驱动电流，足以应对各类GaN应用对驱动速度的要求，并且可用于GaN并联使用场景。NSD2622N内部还集成一颗5V固定输出的LDO，可以为数字隔离器等电路供电，以用于需要隔离的应用场景。　　NSD2622N详细参数：　　SW耐压范围：-700V~700V　　SW dv/dt抑制能力大于200V/ns　　支持5V~15V宽范围供电　　5V~6.5V可调输出正压　　-2.5V内置输出负压　　2A/4A峰值驱动电流　　典型值10ns最小输入脉宽　　典型值38ns输入输出传输延时　　典型值5ns脉宽畸变　　典型值6.5ns上升时间(1nF 负载)　　典型值6.5ns下降时间(1nF 负载)　　典型值20ns内置死区　　高边输出支持自举供电　　内置LDO固定5V输出用于数字隔离器供电　　具备欠压保护、过温保护　　工作环境温度范围：-40℃~125℃NSD2622N功能框图　　告别误导通风险，提供更稳定的驱动电压　　相较于普通的Si MOSFET驱动方案，E-mode GaN驱动电路设计的最大痛点是需要提供适当幅值且稳定可靠的正负压偏置。这是因为E-mode GaN驱动导通电压一般在5V~6V，而导通阈值相对较低仅1V左右，在高温下甚至更低，往往需要负压关断以避免误导通。为了给E-mode GaN提供合适的正负压偏置，一般有阻容分压和直驱两种驱动方案：　　1.阻容分压驱动方案　　这种驱动方案可以采用普通的Si MOSFET驱动芯片，如图所示，当驱动开通时，图中Cc与Ra并联后和Rb串联，将驱动供电电压(如10V)进行分压后，为GaN栅极提供6V驱动导通电压，Dz1起到钳位正压的作用;当驱动关断时，Cc电容放电为GaN栅极提供关断负压，Dz2起到钳位负压的作用。阻容分压驱动方案　　以上阻容分压电路尽管对驱动芯片要求不高，但由于驱动回路元器件数量较多，容易引入额外寄生电感，会影响GaN在高频下的开关性能。此外，由于阻容分压电路的关断负压来自于电容Cc放电，关断负压并不可靠。　　如以下半桥demo板实测波形所示，在启机阶段(图中T1)由于电容Cc还没有充电，负压无法建立，所以此时是零压关断;在驱动芯片发波后的负压关断期间(图中T2)，负压幅值随电容放电波动;在长时间关断时(图中T3)，电容负压无法维持，逐渐放电到零伏。因此，阻容分压电路往往用于对可靠性要求相对较低的中小功率电源应用，对于大功率电源系统并不适用。E-mdoe GaN采用阻容分压驱动电路波形(CH2为驱动供电，CH3为GaN栅源电压)　　2.直驱式驱动方案　　直驱式驱动方案首先需要选取合适欠压点的驱动芯片，如NSI6602VD，专为驱动E-mode GaN设计了4V UVLO阈值，再配合外部正负电源稳压电路，就可以直接驱动E-mode GaN。　　这种直驱式驱动电路在辅助电源正常工作时，各种工况下都可以为GaN提供可靠的关断负压，因此被广泛使用在各类高压大功率GaN应用场景。　　纳芯微开发的新一代GaN驱动NSD2622N则直接将正负稳压电源集成在芯片内部，如以下半桥demo板实测波形所示，NSD2622N关断负压的幅值、维持时间不受工况影响，在启机阶段(图中T1)驱动发波前负压即建立起来;在GaN关断期间(图中T2)，负压幅值稳定;在驱动芯片长时间不发波时(图中T3)，负压仍然稳定可靠。E-mode GaN采用NSD2622N驱动电路波形(CH2为低边GaN Vds，CH3为低边GaN Vgs)　　简化电路设计，降低系统成本　　NSD2622N不仅可以通过直驱方式稳定、可靠驱动GaN，最为重要的是，NSD2622N通过内部集成正负稳压电源，显著减少了外围电路元器件数量，并且采用自举供电方式，极大简化了驱动芯片的供电电路设计并降低系统成本。　　以3kW PSU为例，假设两相交错TTP PFC和全桥LLC均采用GaN器件，对两种直驱电路方案的复杂度进行对比：　　如果采用NSI6602VD驱动方案，需要配合相应的隔离电源电路与正负电源稳压电路，意味着每一路半桥的高边驱动都需要一路独立的隔离供电，所以隔离辅助电源的设计较为复杂。鉴于GaN驱动对供电质量要求较高，且PFC和LLC的主功率回路通常分别放置在独立板卡上，因此，往往需要采用两级辅助电源架构，第一级使用宽输入电压范围的器件如flyback生成稳压轨，第二级可以采用开环全桥拓扑提供隔离电源，并进一步稳压生成NSI6602VD所需的正负供电电源，以下为典型供电架构：NSI6602VD驱动方案典型供电架构　　如果采用NSD2622N驱动方案，则可以直接通过自举供电的方式来简化辅助电源设计，以下为典型供电架构：NSD2622N驱动方案典型供电架构　　将以上两种GaN直驱方案的驱动及供电电路BOM进行对比并汇总在下表，可以看到NSD2622N由于可以采用自举供电，和NSI6602VD的隔离供电方案相比极大减少了整体元器件数量，并降低系统成本;即使采用隔离供电方式，NSD2622N由于内部集成正负稳压电源，相比NSI6602VD外围电路更简化，因此整体元器件数量也更少，系统成本更低。GaN直驱方案的驱动及供电电路BOM对比　　适配多种类型GaN，驱动电压灵活调节　　纳芯微开发的E-mode GaN驱动芯片NSD2622N，不仅性能强大，还能够适配不同品牌、不同类型(例如电压型和电流型)以及不同耐压等级的GaN器件。举例来说，NSD2622N的输出电压通过反馈电阻可以设定5V~6.5V的驱动电压。这样一来，在搭配不同品牌的GaN时，仅仅通过调节反馈电阻就可以根据GaN特性设定最合适的驱动电压，使不同品牌的GaN都能工作在最优效率点。　　除此之外，NSD2622N具备最低200V/ns的SW节点dv/dt抑制能力，提升了GaN开关速度上限;采用更为紧凑的QFN封装以及提供独立的开通、关断输出引脚，从而进一步减小驱动回路并降低寄生电感;提供过温保护功能，使GaN应用更安全。　　纳芯微还可提供单通道GaN驱动芯片NSD2012N，采用3mm*3mm QFN封装，并增加了负压调节功能，从而满足更多个性化应用需求。

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纳芯微

发布时间：2025-05-30 09:52 阅读量：171 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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