美光宣布断供华为

Release time：2020-09-02
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source：国际电子商情网
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上周五，美光在一场大会上明确表示，由于美国政府加强华为禁令，确定将自9月 14日后将无法继续供货华为。

美光是美国最主要DRAM及NAND Flash内存生产商，其中DRAM市占率位居全球第三，NAND Flash也名列全球第五，2019年营收总额达234亿美元。

据美光财报会议时表示，因2020年DRAM及 NAND Flash等产品价格下跌影响，预期2020年营收将衰退至200亿美元。

报道称，若禁令生效前情况没有好转，美光被迫遵守规定放弃供货华为，意味着其每年将减少约20亿美元营收。据悉，华为2019年对美光的采购约占总营收13%，近期已经下跌至10%。

事实上，在美国去年5月对华为制裁中，台媒曾报道，美光在当月月底已经宣布停供华为。虽然停供不到一个月就宣布恢复供应，但该公司在此期间“蒸发”逾两亿美元。

2019年6月26日，美光执行长Sanjay Mehrotra在法说会上说：“中国的华为公司是美光最重要的客户之一，而美国对华为的禁令对该公司的经营造成了巨大的影响，已使美光公司在第三季度损失了2亿美元。”

目前，花旗银行研究部门是最看空美光的外资，之前除了把美光投资等级降至卖出，目标价来到35元，还预计DRAM需求接下来2~4季将下滑。

有分析师指出，一般供应链将芯片交至客户周期为4个月来看，美国本月扩大对华为的管制令后，美光等供应商9月14日之后就无法供货华为，那么这些供应商就必须通过其他业务扩大营收来将这部分的缺口填上。另外，除了华为订单流失，被美国限制的字节跳动与腾讯等公司也是美光重要客户，都将冲击美光营收。

日前美光已发出预警，由于疫情所造成全球经济冲击，使需求预期恶化，客户也根据变化随时调整采购计划，将影响该公司下一季（9~11月）营收情不及预期。美光早间时候预测营收为54~56亿美元。

截至目前，包括高通、联发科等大厂均向美国政府申请供货许可。不过，鉴于在美国在去年首次对华为实施禁令后不久后，又为美光、英特尔等公司提供继续供货的许可来看，9月15日制裁实施后的事态发展情况仍有出现变动的可能。


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美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能
行业新闻

美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能

　　美光科技于2025年5月27日宣布，Motorola最新功能强大的翻盖手机Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X内存以及先进的UFS 4.0解决方案。　　该款智能手机搭载Motorola基于大型语言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解决方案为其提供了所需的容量、能效、速率和性能。　　美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X内存和UFS 4.0存储解决方案专为Motorola Razr 60 Ultra等下一代AI设备量身打造。我们与Motorola合作，为其最新款智能手机赋能，充分展现了高性能、低功耗的内存和存储创新对于释放端侧AI全部潜力的关键作用。”　　为何存储和内存重要?　　随着智能手机AI功能的日益强大，越来越多的数据处理作业已从依赖云计算，逐渐转为直接在端侧设备执行。若要在端侧提供完整的AI体验，就需要性能更强的内存和存储，以容纳大型语言模型和不断增长的数据量。　　在美光内存和存储解决方案的助力下，Motorola Razr 60 Ultra让用户能够探索Moto AI的完整功能，享受快速、流畅的智能体验和精准的反馈。用户可以使用Moto AI提问，以专业级精准度增强照片效果，将文本转化为独特的艺术创作、虚拟人像和贴纸，聆听为每个时刻精选的音乐，并通过简洁、个性化的通知摘要了解当天的重要资讯。　　Motorola产品研发副总裁Leo Liu表示：“Motorola Razr 60 Ultra重新定义了可折叠智能手机的AI性能，让用户能够借助直观的AI功能释放创造力、掌控生活节奏，并清晰、轻松地记录生活中的美好瞬间。为了将手机个性化智能体验呈现在用户指尖，小巧的机身内需配备兼具卓越性能与能效的内存。我们与美光科技的长期合作，确保了我们能够采用针对移动端优化的解决方案，进而在我们迄今为止最强大的折叠屏手机上实现流畅的AI体验。”　　美光基于第二代 1ß(1-beta)节点的LPDDR5X内存，传输速率高达每秒9.6 Gbps ，较上一代产品，速率提升了10%。1 这一卓越性能使用户能够轻松地在应用程序间切换，并更高效地进行多任务处理，同时提供移动AI功能所需的高速数据处理能力。美光的LPDDR5X内存能够节省高达25%的功耗，2 为高能耗的AI应用提供支持，并延长续航——这是Motorola Razr 60 Ultra的一大亮点，续航超过36小时。　　在存储方面，尽管这款手机采用了紧凑的可折叠外形设计，但美光UFS 4.0解决方案为照片、电影、歌曲、应用程序和游戏提供了充足的存储空间。大容量存储功能让旗舰智能手机能够直接在设备上存储由AI分析和生成的大型数据集，无需依赖云端——从而使用户既能享受到个性化AI助手带来的便利，又能保障个人数据的安全和隐私。　　1 相较于上一代1-beta LPDDR5的8.533 Gbps的传输速率　　2 相较于上一代1-beta LPDDR5
2025-05-28 09:36 reading：182
美光G9 NAND技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰
行业新闻

美光G9 NAND技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰

　　在快节奏的今天，手机早已不是单纯的通讯工具，随着AI技术的不断发展，智能手机正在成为人类的AI助手。这背后，都依赖大容量高速存储系统!这一趋势将进一步推动边缘设备对内存和存储的需求。　　在2025年巴塞罗那世界移动通信大会(MWC25)上，美光亮出大招：宣布正在送样业界首款基于 G9 NAND的移动UFS 4.1和UFS 3.1产品。　　G9节点是美光的新一代创新型NAND技术，旨在为旗下所有存储解决方案带来前所未有的性能和密度优势。 G9对新一代移动通用闪存(UFS)移动产品到底有多强?一文揭秘!　　G9 NAND UFS 4.1：性能直接拉满　　美光G9 NAND移动UFS 4.1解决方案可为旗舰智能手机带来业界前沿的性能和创新，从而实现更快速、更灵敏的使用体验。　　速度更快、延迟更低：　　想象一下，手机中的虚拟助手能够充分理解您的指令，您还可以使用手机快速进行实时图片编辑，并在瞬间完成语言翻译。这些都是未来基于大语言模型(LLM)的AI应用，它们将彻底改变智能手机用户的数字体验。　　最终，这些服务将融合成功能强大的多模态AI代理，为用户提供快速、全面且具备情境感知能力的数字体验。为实现这一目标，智能手机需要快速访问海量数据集、降低延迟、提高响应速度，从而实现更流畅的终端用户体验。　　凭借超过4100MBps的顺序读写速度，美光G9 NAND移动UFS 4.1正在引领这一变革趋势。与上一代G8 UFS 4.0进行比较后，我们能清楚地看到G9 UFS 4.1带来的性能飞跃。　　512GB G9 UFS 4.1与512GB G8 UFS 4.0对比　　容量更大：　　更大的存储容量是提升本地计算和处理能力的因素之一。传统的云端AI系统需要将敏感数据通过网络传输后进行处理，存在数据泄露风险。边缘AI可在本地处理生成的数据，从根本上降低了上述风险。　　美光G9 UFS 4.1支持高达1TB的NAND大容量存储，可满足设备端处理大量数据的需求，让您的智能手机轻松处理复杂的计算任务。　　封装更小更薄：　　美光G9 NAND UFS 4.1不仅提高了容量，其更小更薄的外形可支持更具时尚感的创新智能手机设计。　　美光G9 NAND UFS 4.1采用业界前沿封装技术，1TB NAND UFS的封装尺寸仅有9x13x0.85毫米大小(与上一代G8 UFS 4.0相比)，可大幅节省手机内部空间，是下一代可折叠以及超薄智能手机设计的理想之选，其节约的空间可用于搭载更大容量的电池。　　专有功能优化：　　1. 数据碎片整理：　　智能手机的运行速度逐渐变慢，通常是由于数据碎片化—文件分散存储在各个地方，导致存储设备难以实现高效读取。　　美光专有的数据碎片整理功能可解决这一问题，它支持UFS设备的控制器绕过主机层，直接在NAND内部发出碎片整理命令。通过简化数据迁移过程，数据碎片整理功能可将读取速度提升高达60%(启用数据碎片整理与未启用数据碎片整理的对比)，从而提升智能手机的整体性能，包括日常任务和 AI 相关任务。　　简言之，数据碎片整理功能通过在内部处理数据迁移/碎片整理，提高读取性能并降低设备的负荷，使智能手机能够更快、更高效地访问文件，实现更流畅的使用体验。　　2. 增强型WriteBooster：　　借助美光的增强型WriteBooster功能，智能手机处理器可将常用数据“固定”在存储设备内部名为“WriteBooster”的指定区域内。　　利用该功能，处理器可以更轻松地将重要数据从存储设备动态加载到内存，确保处理过程更加高效，不会面临内存容量不足问题。　　内部测试数据表明，启用此功能后，随机读取速度可提高多达30%(启用增强型WriteBooster与未启用增强型WriteBooster的对比)。　　增强型WriteBooster功能可加速智能手机的应用启动速度、文件传输速度，让用户操作更加流畅。当用户需要同时使用日常应用和 AI 应用时，此功能尤为有用。　　在这种使用场景下，可利用增强型WriteBooster功能为AI模型的数据创建内存映射，从而实现更快的数据交换和读取。　　未固定的数据将从缓存缓冲区移至普通存储区域　　3. 智能延迟跟踪器(ILT)：　　美光的智能延迟跟踪器可监控系统和存储设备上的I/O存储延迟，以检测和分析影响智能手机性能的异常延迟，例如应用启动缓慢等。通过识别这些延迟问题，跟踪器可帮助智能手机OEM厂商优化系统，提升整体用户体验。　　此功能可确保智能手机能够高速流畅地运行各种AI应用和日常任务，例如打开相机、在相册中查找之前度假时拍摄的照片等。　　4. UFS分区(ZUFS)：　　想象一下，当您在旅行前收拾行李时，您的行李箱被整齐地划分为三个部分，分别用于放置袜子、衬衫和裤子，通过这种方式，您可以更快地找到所需物品。　　美光的UFS分区(ZUFS)功能以类似方式组织智能手机内的数据。ZUFS将具有相似I/O特性的数据集中存放到UFS设备内的特定区域中，能够尽可能减少数据搜索时间，从而提高读/写效率。　　这种简化的数据检索方式可确保系统响应更快、更流畅，就像在行李箱中取出预先放好的袜子一样。　　传统数据放置方式与分区数据放置方式的对比　　智能加速：面向未来的创新　　美光移动业务部门专注于提供先进的NAND闪存解决方案，并提供针对旗舰智能手机设计的定制功能。　　这些创新旨在加速边缘设备上的AI应用。通过与客户及生态系统伙伴合作，美光正在调整其产品和技术路线图，以便与AI及边缘计算的未来趋势保持一致。　　这种合作可确保未来的移动设备能够处理日益复杂的AI任务，以及数据密集型应用。G9 NAND以及众多新的固件功能正是美光致力于创新的例证。
2025-05-07 11:26 reading：290
美光科技公布SOCAMM内存模块，将用于英伟达GB300产品线
行业新闻

美光科技公布SOCAMM内存模块，将用于英伟达GB300产品线

　　近日，在GTC 2025大会上，美光科技公布了自家的SOCAMM内存模块，将用于英伟达最新发布的Blackwell Ultra GB300产品线。　　SOCAMM并非传统内存条的简单升级，而是将HBM3(高带宽内存)与AI加速单元集成于同一基板，形成“存算一体”的革新架构。其核心技术亮点包括：通过12层HBM3堆叠，单模块带宽较上一代提升3倍，足以支撑万亿参数模型实时训练;采用美光独有的低功耗电路设计，在满载运行时功耗降低至225W，显著低于同类方案;内置硬件级数据调度器，自动优化张量传输路径，减少GPU闲置等待时间。　　英伟达GB300系列作为面向AI数据中心的旗舰产品线，对内存子系统提出三大极限需求：需容纳百万级上下文长度的LLM(大语言模型)参数;自动驾驶等场景要求响应延迟低于1ms;企业级训练任务需保持99%以上的GPU利用率。　　SOCAMM通过NVLink-C2C直连技术与GB300 GPU核心互联，实现内存带宽的“零损耗”传输。实测数据显示，在ResNet-50训练任务中，GB300系统吞吐量提升2.7倍，推理能效比达15.8 TOPS/W。　　此次合作暴露了AI芯片竞争的下一战场——内存架构创新。传统冯·诺依曼架构下，数据在内存与计算单元间的“搬运”已成为算力瓶颈。SOCAMM的存算融合设计，为突破“内存墙”提供了新思路。
2025-03-21 10:48 reading：376
传美光将买下两座工厂？
行业新闻

传美光将买下两座工厂？

　　8月26日，美光在与台积电抢购群创南科四厂失利后，传出将转买友达位于台南科技工业区内的两座厂房，以采建物与土地同步买断方式计算，金额估达一、二百亿新台币，用来扩充先进封装与当红的高带宽内存(HBM)生产线。　　对于相关传言，友达回应称，集团在营运策略双轴转型考虑下，台南厂区已进行生产规模调整，未来会在适当时机活化使用现有厂区，惟友达不会对单一事件或厂商做评论。美光发言系统昨天也表示：「对外界传言与猜测不予评论」。　　据悉，美光相中的是友达位于南科工、公司内部代号为「C5D」及「C6C」两座彩色滤光片厂，这两座厂已于2023年8月关厂，若有买家接手，可随时进行移转，不影响友达营运。　　业界分析，友达相关厂区所在南科工属工业区，与群创四厂位于科学园区不同，若是买工业区厂房，还要将土地价格纳入，不像科学园区厂房买卖只是移转地上物产权，友达此次卖南科工工厂，售价预估会比群创在科学园区卖厂贵得多，在土地增值与厂房配置等考虑下，地上权搭配土地售价估达一、二百亿元。　　半导体暨面板供应链人士透露，美光近期负责扩产的主管频频南下看厂，希望能买到合意的厂房，做为快速扩产之用。晶圆厂偏好买面板厂的原因有二，首先是厂房的面积够大，其次是面板厂的无尘室与半导体的规格十分接近，而彩色滤光片厂的无尘室也与面板厂一致。　　美光先前传出开价180亿元新台币，要买群创南科四厂，用以扩充AI相关先进封装与高带宽内存产能，惟未能成局，群创董事会决议将南科四厂以171.4亿元新台币卖给台积电。
2024-08-26 13:43 reading：810
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