纳芯微推出单通道MLVDS收发器NLC530x系列

发布时间：2023-04-25 10:03
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：1771

　　纳芯微电子宣布推出单通道MLVDS收发器NLC530x系列，包括NLC5301/2/3/4共四款器件。其中NLC5301和 NLC5302支持100Mbps的总线速率，NLC5303和NLC5304支持200Mbps总线速率。该产品系列满足MLVDS TIA/EIA-899标准，NLC5301和NLC5303支持Type I型接收器，NLC5302和NLC5304支持Type II型接收器。NLC530x系列具有超低延时，高抗干扰性的特点，可广泛用于基站通信，电力保护，仪器仪表等应用。

纳芯微推出单通道MLVDS收发器NLC530x系列

　　纳芯微推出单通道MLVDS收发器NLC530x系列，助力通信电力仪器仪表市场

　　超低延时、超强抗干扰能力

　　NLC530x系列芯片总线引脚可以满足8kV（HBM）ESD防护要求，可以通过最高15kV的接触放电ESD测试（IEC61000-4-2）要求，使得整机更易通过系统级EMC测试并减少外围保护器件。传输速率最高可以达到200Mbps，同时接收延时小于6ns，满足时钟敏感应用的要求。NLC530x从设计、制造到封装测试实现全流程国产化，稳定确保了供应的安全与可靠，以更好地满足客户的交付需求。

纳芯微推出单通道MLVDS收发器NLC530x系列

　　NLC530x系列主要参数

　　符合TIA/EIA-899标准

　　支持100Mbps，200Mbps信号速率

　　供电电压3V到3.6V

　　Type I型接收器门限迟滞25mV

　　Type II型接收器门限偏移100mV

　　输入共模电压支持-1V到3.4V

　　总线IO ESD防护等级8kV HBM

　　工作温度：-40℃到125℃

　　封装类型：SOP8

　　免费送样

　　单通道MLVDS收发器NLC530x系列，与市场主流芯片引脚兼容，可实现原位替换，并提供更好的延时性能和ESD防护性能。全流程国产化助力客户打造更安全、可靠、稳健的供应链。

　　NLC530x系列芯片现均可免费提供样片，如需申请或订购产品可直接上AMEYA360电子元器件采购网进行选购！


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　　纳芯微今日宣布推出高性价比的推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。其中，NSIP6055提供两个版本：开关频率为160kHz的NSIP6055A，可用于对EMI要求更严格的系统应用;以及开关频率为420kHz的NSIP6055B，可用于对提高转换效率和缩小变压器尺寸有需求的系统应用。　　高性价比的NSIP605x系列专为对占板尺寸无特别要求的成本敏感性系统而设计，相比内部集成了变压器的同类器件，NSIP605x可在提供相似系统性能的前提下，具有更高的性价比。NSIP605x系列是对纳芯微现有产品组合的有力补充，通过灵活轻量化的配置可支持客户多样化的系统设计需要，广泛适用于工业、汽车和可再生能源等领域。　　出色的EMI和ESD性能助力缩短系统设计时间　　得益于纳芯微久经验证的EMI优化技术，NSIP605x系列通过对输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟(SSC)可实现超低噪声和EMI，外围电路仅需简单配置即可满足CISPR25 Class 5要求。ESD性能方面，NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性使客户可以更加快速便捷的完成系统整体调试，缩短设计时间。　　通过纳芯微丰富的产品布局满足不同设计需要　　NSIP605x系列推挽变压器驱动是纳芯微推出的高性价比产品系列的新成员。纳芯微亦提供其他高性能、高集成度的产品选择，包括集成了变压器和多通道数字隔离器的NSIP88/89xx系列和NIRSP31x系列;以及集成了变压器和隔离接口的隔离式RS485收发器NSIP83086，和隔离式CAN收发器NSIP1042。纳芯微全面的产品布局可满足各种类型客户多样化的系统设计需要，为不同客户提供一站式的芯片解决方案。　　封装和选型　　NSIP6051支持SOT23- 5L封装，NSIP6055支持SOT23- 6L封装。NSIP605x系列提供工规和车规版本，工规版本已于近期量产，车规版本将于2024年7月量产。
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　　凭借在隔离技术领域的长期耕耘，纳芯微今日宣布推出基于电容隔离技术的全新固态继电器产品NSI7258系列，该系列提供工规和车规版本。NSI7258专门为高压测量和绝缘监测而设计，提供业内领先的耐压能力和EMI性能，可帮助提高工业BMS，光储充，新能源汽车BMS和OBC等高压系统的可靠性和稳定性。　　集成SiC MOSFET，支持1700V耐压　　无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压;在1分钟的标准雪崩测试中，NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流，实现业内领先的耐压和抗雪崩能力。于此同时，在1000V高压，125℃高温的测试条件下，NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内，极大提高了BMS系统中电池包的绝缘阻抗和检测精度，有助于实现更安全的人机交互。　　满足各类安规要求，降低系统验证时间　　高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的专利技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关认证，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。　　EMI显著优化，加速光耦继电器替换　　传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。卓越的EMI表现和更高的可靠性支持客户在系统中同时采用多颗器件而不受影响，显著降低了设计难度，助力客户在系统设计中加速光耦替换。　　封装和选型　　NSI7258提供SOW12封装，兼容市场主流的光耦继电器。工规版本的NSI7258将于近期量产，车规版本的NSI7258-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围，将于2024年7月量产。
2024-05-14 09:56 阅读量：259
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