纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515

发布时间：2023-02-23 13:45
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：3364

　　纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广泛应用于工业变频器、伺服、机器人，空调压缩机，新能源汽车主驱，光伏逆变器、储能、UPS、高功率电源等领域。

　　NSi68515输入方式兼容光耦输入，且输入端与输出端采用双电容增强隔离技术，基于纳芯微Adaptive OOK编码技术, 支持150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度（CMTI），提高系统鲁棒性。


纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515

　　NSi68515产品特性

　　- 具备超强驱动能力，可以提供最大5A的拉灌电流

　　- 提供轨到轨输出和非轨到轨输出两个版本

　　- 输入侧电源电压VCC：3V至5.5V

　　- 输入方式兼容光耦电流型输入，可耐-6.5V反向电压

　　- 驱动器侧电源正压轨VCC2：高达35V

　　- 驱动器侧电源负压轨VEE2：高达-17.5V

　　- 超高的最小共模抗扰能力(CMTI)：150 kV/us

　　- 提供完善的保护功能

　　◇ 快速过流和短路保护，DESAT阈值电压6.5V

　　◇ 集成故障时的软关断功能，软关断电流140mA

　　◇ 集成米勒钳位功能，钳位电流高达：4.5A

　　◇ 高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能UVLO

　　◇ 故障报警 (FLT / ULVO引脚指示)

　　◇ 可支持故障自动复位版本选择

　　- 典型传播延时：100ns

　　- 工作环境温度：-40℃ ~ 125℃

　　- 符合 RoHS 标准的封装类型：SOW16, 爬电距离>8mm

　　NSi68515经典电路图

纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515

　　NSi68515 CMTI 高，领先行业水平，提高了系统的抗干扰能力

　　行业内常见的带保护的光耦隔离驱动IC，CMTI 一般在35KV/us。随着系统的开关频率和母线电压的提高，以及SiC MOSFET的普及使用， 系统的dv/dt 急剧上升，这对隔离驱动的抗干扰能力(CMTI)提出了更高的要求。如果隔离驱动IC 的CMTI只有35KV/us，显然已经很难满足系统的要求。而NSi68515 CMTI 大于150KV/us，能够有效提高系统的抗干扰能力。纳芯微基于NSi68515做了静态CMTI和动态CMTI 摸底实验，实验结果是218KV/us均PASS；而同样的测试条件下，普通的光耦隔离驱动在30KV/us左右便已经Fail。

　　静态CMTI 实验结果：218kv/us pass

　　输入一直为高，蓝色是输出波形，粉色是CMTI波形

　　动态CMTI 实验结果：218kv/us pass

　　绿色是输入波形，黄色是输出波形，蓝色是CMTI波形

　　NSi68515 短路保护时间快，提高了管子的鲁棒性

　　当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时，是在饱和区进行工作的；但当IGBT 和 SiC MOSFET在开通过程中，发生过流或者上下管短路的时候，电流便会急剧增大，就会退出饱和区，VCE也随之增大，如果不及时关断IGBT 和 SiC MOSFET，则会导致管子损坏或者使用寿命变短。NSi68515 通过DESAT 引脚检测管子的VCE 电压来判断管子短路和过流，当检测到管子异常后，能够快速关断管子，防止管子损坏。此外，NSi68515 DESAT引脚内部还做了滤波处理，防止系统误触发。

　　NSi68515产品选型表

纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515

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　　纳芯微今日宣布推出高性价比的推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。其中，NSIP6055提供两个版本：开关频率为160kHz的NSIP6055A，可用于对EMI要求更严格的系统应用;以及开关频率为420kHz的NSIP6055B，可用于对提高转换效率和缩小变压器尺寸有需求的系统应用。　　高性价比的NSIP605x系列专为对占板尺寸无特别要求的成本敏感性系统而设计，相比内部集成了变压器的同类器件，NSIP605x可在提供相似系统性能的前提下，具有更高的性价比。NSIP605x系列是对纳芯微现有产品组合的有力补充，通过灵活轻量化的配置可支持客户多样化的系统设计需要，广泛适用于工业、汽车和可再生能源等领域。　　出色的EMI和ESD性能助力缩短系统设计时间　　得益于纳芯微久经验证的EMI优化技术，NSIP605x系列通过对输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟(SSC)可实现超低噪声和EMI，外围电路仅需简单配置即可满足CISPR25 Class 5要求。ESD性能方面，NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性使客户可以更加快速便捷的完成系统整体调试，缩短设计时间。　　通过纳芯微丰富的产品布局满足不同设计需要　　NSIP605x系列推挽变压器驱动是纳芯微推出的高性价比产品系列的新成员。纳芯微亦提供其他高性能、高集成度的产品选择，包括集成了变压器和多通道数字隔离器的NSIP88/89xx系列和NIRSP31x系列;以及集成了变压器和隔离接口的隔离式RS485收发器NSIP83086，和隔离式CAN收发器NSIP1042。纳芯微全面的产品布局可满足各种类型客户多样化的系统设计需要，为不同客户提供一站式的芯片解决方案。　　封装和选型　　NSIP6051支持SOT23- 5L封装，NSIP6055支持SOT23- 6L封装。NSIP605x系列提供工规和车规版本，工规版本已于近期量产，车规版本将于2024年7月量产。
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　　凭借在隔离技术领域的长期耕耘，纳芯微今日宣布推出基于电容隔离技术的全新固态继电器产品NSI7258系列，该系列提供工规和车规版本。NSI7258专门为高压测量和绝缘监测而设计，提供业内领先的耐压能力和EMI性能，可帮助提高工业BMS，光储充，新能源汽车BMS和OBC等高压系统的可靠性和稳定性。　　集成SiC MOSFET，支持1700V耐压　　无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压;在1分钟的标准雪崩测试中，NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流，实现业内领先的耐压和抗雪崩能力。于此同时，在1000V高压，125℃高温的测试条件下，NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内，极大提高了BMS系统中电池包的绝缘阻抗和检测精度，有助于实现更安全的人机交互。　　满足各类安规要求，降低系统验证时间　　高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的专利技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关认证，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。　　EMI显著优化，加速光耦继电器替换　　传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。卓越的EMI表现和更高的可靠性支持客户在系统中同时采用多颗器件而不受影响，显著降低了设计难度，助力客户在系统设计中加速光耦替换。　　封装和选型　　NSI7258提供SOW12封装，兼容市场主流的光耦继电器。工规版本的NSI7258将于近期量产，车规版本的NSI7258-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围，将于2024年7月量产。
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