罗姆新品|低噪声,低导通电阻,600V 超级结MOSFET PrestoMOS “R60xxJNx系列”

Release time:2019-03-25
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source:罗姆半导体
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<概要>

罗姆新品|低噪声,低导通电阻,600V 超级结MOSFET PrestoMOS “R60xxJNx系列”

全球知名半体制造商ROHM(部位于日本京都)推出600V耐级结 MOSFET“PrestoMOS”系列品,在保持极快反向恢复时间(trr1))的同,提高设计灵活度,非常适用于空、冰箱等白色家驱动以及EV充电桩。近日,系列品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。
此次开
的新系列品与以往品同利用了ROHM独有的寿命控制技实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比,轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外,通提高通MOSFET所需要的电压水平,避免生造成耗增加原因之一的开启(Self Turn-on)2)。不如此,过优化内置二极管的特性,改善了超级结MOSFET特有的恢复指数3),可减少引发误动作的噪声干。通减少些阻碍用户优的障碍,提高设计灵活度。
系列品已以月10万个的模逐步投入量品价格:180日元起,不含税)。前期工序的生基地ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福),后期工序的生基地ROHM Korea Corporation(国)。另外,系列品已于3月起在 AMEYA360电子元器件供应平台开始网售。

 

<背景>

据了解,在全球的力需求中,近50%用于驱动,随着白色家在新国家的普及,驱动带来的力消耗量预计会逐年增加。包括空和冰箱在内,白色家多使用变频电驱动,而变频电路的开关元件一般使用IGBT。但是,近年来在能性能需求高的大趋势下,可有效降低设备稳定运行功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。
种背景下,ROHM于2012年首家实现以极快反向恢复特性特点的功率MOSFET PrestoMOS的量,由于系列品可大大降低用的功耗而受到市的高度好

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<什么是PrestoMOS>

罗姆新品|低噪声,低导通电阻,600V 超级结MOSFET PrestoMOS “R60xxJNx系列”

Presto表示“极快”,是源于意大利的音乐术语
通常,MOSFET具有快速开关以及在低
流范传导损耗低的优势。例如,用于空的情况下,非常有助于定运转时实现低功耗。
PrestoMOS正是在低
流范围实现低功耗的、以极快的反向恢复时间(trr)特点的ROHM独的功率MOSFET。

 

<提高设计灵活度的关

开关速度的高速化与开启象、噪声干是相悖的,用设计时需要通过调阻来化。与一般的MOSFET相比,ROHM的R60xxJNx系列已开启象以及噪声策,有助于提高用设计灵活度。

1.避免增加耗的开启

本系列品通过优化MOSFET构上存在的寄生容,将开关电压降低了20%。另外,使MOSFET通所需的阈值电压(Vth)增加了1.5倍,是“不易开启象的设计”。因此,大了用过栅阻来调节的范

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2.改善恢复特性,减少噪声干

罗姆新品|低噪声,低导通电阻,600V 超级结MOSFET PrestoMOS “R60xxJNx系列”

通常,超级结MOSFET的内置二极管的恢复特性硬恢复。但是,ROHM的R60xxJNx系列,通过优构,与以往品相比,新品的恢复指数改善了30%,不保持了极快的反向恢复时间(trr),成功减少了噪声干。因此,用过栅调节噪音干扰时变得更加容易。

容>

产品链接:

http://www.ameya360.com/suiteproduct/PREST_MOS_JN/1?locale=zh_CN

用例>

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、冰箱、工业设备(充电桩等)

术语

1 trr : 反向恢复时间(Reverse Recovery Time)

开关二极管从通状到完全关断状所需的时间

开启

MOSFET施加急电压时,会外的电压,超过产品特定的阈值而使MOSFET误导通的象。此时产生的不必要的时间会直接耗增加。一般多于逆变电路等路,通常需要采取增加外置部件等策。

恢复指数

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