| RUM002N05T2L | ||
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| 产品描述：
RUM002N05 Series 50 V 2.2 Ohm Surface Mount Silicon N-Channel MOSFET - VMT-3
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
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| 漏源极电压（Vdss） | 50V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 25pF @ 10V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 200mA（Ta） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
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