麦思浦半导体首款2500V超高压MOSFET MS1N250HGC0上线

发布时间:2023-11-08 11:44
作者:AMEYA360
来源:麦思浦
阅读量:1184

  MS1N250HGC0是麦思浦半导体推出的首款2500V超高压MOSFET,进一步扩充超高压系列MOSFET的产品阵容,较之竞品具有电压较高电阻较低的优势;栅极电荷最小化,能够有效减少开关损耗,可应用于新能源、通信、光伏、和航天航空等领域。

  麦思浦半导体在2022年研制出国内首款2000V和2500V的超高压MOSFET,专注于900V-4700V的超高压MOSFET,细分市场的研发、设计与销售,是国内极少数成功开发出1000V以上VDMOS产品,并实现系列化量产的公司。

麦思浦半导体首款2500V超高压MOSFET MS1N250HGC0上线

麦思浦半导体首款2500V超高压MOSFET MS1N250HGC0上线

  深圳市麦思浦半导体有限公司,是一家致力于功率半导体研发设计、制造与品牌营销的专精特新及国家级高新技术企业,公司总部位于深圳,在上海,深圳有研发中心,公司主要产品是超高压MOSFET,专注于电压1000V—4700V超高压MOS精细化开发,解决客户缺芯问题,主要服务于工业电源,光伏储能,仪器仪表,医疗电源,国网电力电源等行业。

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