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onsemi完成出售日本晶圆厂

Release time：2023-01-04

author：Ameya360

source：网络

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　　onsemi已完成将其位于日本新泻的工厂剥离给JS Foundry。

onsemi完成出售日本晶圆厂

　　onsemi已完成将其日本新泻工厂出售给JS Foundry KK的交易。此次出售符合 onsemi的fab-liter战略，即通过减少固定成本足迹来扩大毛利率和改善财务业绩。

　　JS Foundry由Mercuria Investment Co. Ltd和Sangyo Sosei Advisory Corp. Inc. 合作成立。Mercuria是Mercuria Holdings Co. Ltd的子公司，是日本另类投资领域的领导者之一，其投资涵盖不同行业包括制造业和服务业。SSA是日本第一家专注于技术、媒体和电信(TMT)行业的财务顾问。通过合作，他们成立了JS Foundry，成为一家日资代工公司，为日本客户供应半导体。

　　“在过去两年深入寻找买家之后，我们有信心为JS Foundry的设施找到合适的合作伙伴，”onsemi总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury说。“一如既往，在就我们在全球的制造结构和设施做出决策时，我们会考虑员工的福祉，并力求为所有相关人员创造平稳的过渡。我们期待JS Foundry KK和Niigata员工的光明未来，我们感谢他们的辛勤工作和对onsemi的承诺。”

　　JS Foundry计划将该网站用作其在日本的新铸造业务的基础。为确保向其现有客户持续供应，onsemi已与JS Foundry KK签订了晶圆供应协议，以继续在现场进行现有的晶圆制造。

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行业新闻

onsemi的EliteSiC产品组合高效能

　　onsemi将在拉斯维加斯举行的2023年消费电子展(CES)上展示其EliteSiC碳化硅(SiC)系列的三个新成员——1.7kV EliteSiC MOSFET和两个1.7kV雪崩级EliteSiC肖特基二极管。新器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高效的性能，凸显了安森美作为工业碳化硅解决方案领导者的地位。　　凭借1.7kV EliteSiC MOSFET (NTH4L028N170M1)，onsemi提供了高功率工业应用所需的更高击穿电压(BV)SiC解决方案。两个1.7kV额定EliteSiC肖特基二极管（NDSH25170A、NDSH10170A）使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，同时提供由SiC实现的高效率。　　“通过提供一流的效率和更低的功率损耗，新的1.7kV EliteSiC器件加强了我们EliteSiC系列产品的卓越性能和质量的高标准，并进一步扩展了onsemi的EliteSiC的深度和广度，”onsemi执行副总裁兼电源解决方案事业部总经理SimonKeeton说。“连同我们端到端的SiC制造能力，onsemi提供技术和供应保证，以满足工业能源基础设施和工业驱动供应商的需求。”　　可再生能源应用不断转向更高电压，太阳能系统从1.1kV到1.5kV直流母线。为了支持这一变化，客户需要具有更高BV的MOSFET。新型1.7kV EliteSiC MOSFET提供-15V/25V的最大Vgs范围，使其适用于栅极电压增加至-10V的快速开关应用，从而提高系统可靠性。　　在1.2kV和40A的测试条件下，1.7kV EliteSiC MOSFET实现了200nC的栅极电荷(Qg)–与接近300nC的同等竞争器件相比，这是市场领先的。低Qg对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高效率至关重要。　　在1.7kV的BV额定值下，EliteSiC肖特基二极管器件在二极管的最大反向电压(VRRM)和峰值重复反向电压之间提供了改进的余量。新器件还提供出色的反向泄漏性能，最大反向电流(IR)在25°C时仅为40μA，在175°C时为100μA，明显优于通常在25°C时额定值为100μA的竞争器件。

2023-01-06 11:31 reading：3577

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