中国企业“抢人”很凶残,韩国半导体业表示很扎心

发布时间：2017-08-02 00:00
作者：
来源：集微网
阅读量：1606

韩国时报报导，产业人士透露，受工程师外流至中国影响，韩国半导体业正面临人力短缺困境，长期可能会重创韩国半导体制造和电子设备制造商的竞争力。

三星电子副会长权五铉已请求政府提供更多支持，协助解决人力问题。 南韩金融监督院的数据显示，截至第1季，三星半导体业务拥有约4.5万名员工，平均待10.2年，半导体第二大厂SK海力士则有22.6万名，平均待10.9年。

韩国半导体业者已推行多种措施留住人才，包括提供额外福利，降低对国内员工的条件需求，但仍不足以应付中国的「抢人」攻势。

大陆三大存储器阵营分攻3D NAND和DRAM两大存储器技术，紫光集团专攻3D NAND技术，联电晋华与合肥睿力则是专攻DRAM技术开发，其中，紫光几乎汇集所有镁光灯焦点，因为紫光除了以武汉新芯作为研发大本营，在武汉盖12寸晶圆厂，更在南京、成都圈地盖12寸厂，大手笔布局让业界震惊！


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：ADI正式公布中国区代理名单

下一篇：“愤怒”的高通,这价格让联发科怎么活?

在线留言询价

相关阅读
三星扩建美国芯片工厂 计划2030年赶超台积电
行业新闻

三星扩建美国芯片工厂 计划2030年赶超台积电

　　台积电作为全球晶圆代工行业的第一，一直是其他代工厂商追赶的目标。三星计划扩建其位于美国得克萨斯州泰勒市的半导体芯片工厂。这家韩国公司最近与一家无晶圆厂半导体芯片公司签订了一项提供先进人工智能处理芯片的合同，而这次芯片工厂的扩建可能就是这份合同带来的结果，该公司希望扩大其芯片生产能力。　　据 JoongAng Daily 报道，三星将在其泰勒市的半导体芯片工厂增加一栋建筑，建筑面积约为 270 万平方英尺。建设工作已经开始，三星已经聘请了一家当地的工程公司来负责施工审查和检查过程。根据泰勒市网站上的文件，这栋新建筑目前的名称是“三星制造厂 2”。文件中还写道：“市政府与三星签订了一项开发协议，要求市政府指定资源并创建快速流程，以提供与场地开发和建筑施工活动相关的审查、批准和检查服务。”　　这栋建筑将位于市区的西南部，是三星在 2022 年以 170 亿美元的初始投资目标开工的泰勒芯片工厂的一部分。然而，由于建设成本的上涨和新建筑的增加，该预算已经上升到 250 亿美元(IT之家备注：当前约 1805 亿元人民币)。虽然公司没有透露新建筑的具体计划，但有人预计它可能是一个存放原材料的地方或芯片生产线的一部分。　　去年，三星向美国政府提出了在得克萨斯州的11个半导体芯片工厂获得税收优惠的申请。该公司承诺在未来20年内投资近2000亿美元，目标是在2030年成为全球最大的半导体芯片公司并超越台积电，成为世界上最大的合同芯片代工厂。
2023-11-22 10:05 阅读量：1137
三星计划2024年推3D AI芯片封装“SAINT”
行业新闻

三星计划2024年推3D AI芯片封装“SAINT”

　　随着半导体微缩制程接近物理极限，先进封装技术成为竞争焦点，台积电率先推出3Dfabric平台，三星计划推出“SAINT”先进3D芯片封装技术以迎头赶上。　　据悉，三星计划2024年推出先进3D芯片封装技术SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高级互连技术)，能以更小尺寸的封装，将AI芯片等高性能芯片的内存和处理器集成。三星SAINT将被用来制定各种不同的解决方案，可提供三种类型的封装技术。三星已经通过验证测试，但计划与客户进一步测试后，将于明年晚些时候扩大其服务范围，目标是提高数据中心AI芯片及内置AI功能手机应用处理器的性能。　　ChatGPT等生成式AI应用的需求推动了能快速处理大量数据的半导体市场的增长，进而促进了先进封装技术的快速发展。据调研机构Yole Intelligence数据显示，全球先进芯片封装市场将在2022年的443亿美元基础上增长到2027年的660亿美元。其中，3D封装预计将占约25%的市场份额，即约150亿美元的市场规模，这一数字令人瞩目，也推动了立体封装技术的蓬勃发展。　　其他公司如台积电正大手笔斥资测试和升级自家3D芯片间堆栈技术“SoIC”，以满足苹果和Nvidia等客户需求。联华电子也在推出W2W 3D IC项目，至于英特尔，开始使用自家新一代3D芯片封装技术“Fooveros”制造先进芯片。预计未来几年先进芯片封装市场将快速增长，3D封装将占约25%的市场份额。
2023-11-17 09:31 阅读量：1123
三星计划将NAND减产规模扩大40%~50%
行业新闻

三星计划将NAND减产规模扩大40%~50%

　　经历漫长的下行周期之后，存储芯片市场价格止跌，部分型号存储芯片价格出现反弹。三星电子计划在今年第四季将NAND价格上调10~15%，预计明年上半年还会再成长10%至20%。这一举措预示着存储芯片市场的复苏，也反映出三星电子对市场需求的乐观预期。　　NAND价格实际已进入上升趋势，机构透露，10月份用于存储卡和USB设备的128GB NAND价格上涨1.59%，为2021年7月以来首次反弹。　　据悉，三星电子计划到明年上半年(1~6月)为止，将NAND生产量削减规模扩大40~50%，此举推高了价格。SK海力士在上个月举行的法说会上表示：「NAND的库存高于DRAM。我们将暂时保持保守的NAND生产方式。」　　自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了 40%，最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量，眼下正试图推动 NAND 价格正常化。
2023-11-15 09:30 阅读量：1271
三星计划于2025年推出新一代内存HBM4
行业新闻

三星计划于2025年推出新一代内存HBM4

　　三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。　　他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF(非导电粘合膜)组装技术和HCB(混合键合)技术，以应用于该产品。　　此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。　　行业机构预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。　　虽然HBM4技术将有重大突破，但它的推出时间并不会很快，因此讨论其应用和普及还为时过早。业内人士指出，当前HBM市场主要以HBM2e为主，未来HBM3和HBM3e将成为主流。　　据悉，HBM芯片是一种高带宽内存芯片，被广泛应用于高性能计算、数据中心、人工智能等领域。HBM芯片采用3D堆叠工艺，将多个DRAM芯片堆叠在一起，以实现更高的内存带宽和容量，同时减小了芯片面积，降低了功耗和成本。
2023-10-13 09:20 阅读量：1090
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。