下半年存储器涨势迎拐点,但2017全年价格涨幅仍十分可观

Release time:2017-07-20
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市场调研机构IC Insights表示,2017年DRAMNAND型闪存销售额都将创出历史新高,而DRAM和NAND闪存创新高的原因都是由于价格疯涨。该机构预计,2017年DRAM出货量同比下降,而NAND闪存也仅增长2%,闪存出货量增长对存储器销售额创新高虽然是正面作用,但并非主要原因。

存储器价格上涨始于2016年第二季度,到2017年上半年为止,每季度价格都持续向上走。如图所示,从2016年第三季度,到2017年第二季度,DRAM价格季度平均增长率为16.8%,NAND闪存价格季度平均增长率为11.6%。

从2016年第三季度DRAM平均售价疯涨开始,DRAM制造商又开始步入加码投资周期,不过这一轮DRAM厂商投资大部分都花在了升级技术方面,并没有盲目扩充产能。

IC Insights判断,2017年闪存厂商绝大部分资本支出都投入在3D NAND工艺技术上。为提升其位于韩国平泽市巨型新工厂的产能,2017年三星在NAND闪存上的资本支出将同比大幅上升。

从历史数据来看,价格上涨周期带来的投资扩产冲动,通常会造成产能过剩,产能过剩程度越高,将来价格下跌也会越猛烈。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪、武汉新芯/长江存储,以及可能出现的中国资本支持的新玩家,都提出了雄心勃勃的3D NAND生产计划,未来几年3D NAND闪存产能出现过剩的概率非常高。

IC Insights收集的数据显示,DRAM的平均售价增长率峰值出现在2016年第四季度,但直到2017年第二季度,涨势都很强劲。该机构预测,2017年第三季度DRAM价格还能维持些许涨势,但第四季度将出现微跌,标志这轮涨价周期即将终结。

虽然2017年下半年DRAM涨势趋缓,但IC Insights预计全年涨幅仍将达63%,这是自该机构从1993年开始追踪DRAM市场数据以来的最高涨幅,此前记录是1997年的57%。

NAND闪存2017年价格涨幅也将创纪录地达到33%。不过,在2000年,NOR型闪存还主导市场时,其平均售价一年涨幅达到了52%。

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