熟悉的套路：三星芯片产量逆势增长57%

发布时间：2020-05-21 00:00
作者：
来源：Ameya360
阅读量：1319

与2019年第一季度相比，三星的芯片产量在2020年第一季度增长了57.4%。该公司的季度报告显示，尽管COVID-19爆发，韩国科技巨头仍在该季度中增加了DRAM和NAND闪存芯片。结果，该公司在今年第一季度提高了其在DRAM市场的市场份额。


三星是全球最大的内存芯片制造商，其芯片工厂在2020年1月至3月的季度开工率为100%。该公司在2020年第一季度生产了2774亿个半导体器件，高于去年同期的1762亿个半导体器件。它提高了芯片制造工艺的效率。


芯片生产的增长是为了满足数据中心和服务器对DRAM和存储芯片的不断增长的需求。自从COVID-19危机以来，人们一直在家工作，学习和娱乐，云服务器和数据中心支持所有这些活动。该季度芯片销售强劲，帮助该公司实现了更高的利润。


然而，由于经济危机临近，三星在本季度的手机和显示器产量大幅下降，因为人们在智能手机和电视等高价商品上的支出减少了。这家韩国公司生产了5870万台智能手机和145万台显示器，分别比2019年第一季度下降了34.4%和35.5%。


该芯片巨头还宣布了业界首款10nm EUV DRAM芯片，160层NAND闪存芯片和第三代HBM2E Flashbolt存储器 芯片。三星上周还宣布了其新一代SSD，支持PCIe Gen 4和E1.S尺寸。


疫情下三星西安半导体二厂如期投产


韩联社首尔3月16日电 三星电子在疫情下如期启动了位于中国西安的半导体二厂生产线。


据业内及当地媒体16日消息，三星电子10日在西安第二工厂举行第一期投资的产品上市仪式。《西安日报》报道称，西安第二工厂已经做好量产准备，计划8月开足马力生产。


三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基在上市仪式上表示，尽管遇到了2月物流不畅、原材料供应困难、人力不足等问题，但地方政府和企业努力加强防控将新冠疫情影响降至最低。


西安工厂是三星电子唯一一个海外半导体存储器生产基地，量产3D垂直设计的V-NAND闪存。该项目自2012年被引进西安以来，经历了几次扩产。其中一期项目于2014年5月竣工投产。该项目原计划投资70亿美元，但实际总投资超过了100亿美元。


二期项目已于2018年3月开工建设，预计今年7月份建成，2020年一季度实现量产。按照规划，三星西安二期项目的投资将会高达140亿美元。根据中国闪存市场报道，主要生产的是第五代96层3D V-NAND芯片，不仅满足中国市场需求，还通过韩国总部远销欧美、东南亚等地，用于满足不断增长的存储需求。三星宣布开工建设的是西安二期第二阶段工厂，2021年下半年竣工，项目建成后将新增产能13万片/月，新增产值300亿元。


三星西安二期二阶段新厂建成后，将投产128层或更高堆叠层数的3D NAND。


除了三星西安工厂，三星新建成的平泽2号工厂也计划在2020年运营，大规模生产的时间尚未确定。平泽2号工厂将先建NAND Flash生产线，然后再投资建设DRAM产线，与平泽一期工厂的规划大体一致。



（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：东南亚MOSFET产能“渐冻”，国内厂商争取“试用”机会

下一篇：美方欲搅乱全球芯片供应？华为还有路可走吗？

在线留言询价

相关阅读
抢先台积电，三星3nm GAA工艺成功流片
行业新闻

抢先台积电，三星3nm GAA工艺成功流片

目前全球已量产的最先进半导体工艺是5nm，台积电此前表示，2022年下半年将量产3nm工艺，不过在3nm节点台积电依然选择FinFET晶体管技术，而三星则选择了GAA（Gate-all-around）技术。近日，三星对宣布其基于GAA技术的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。据外媒报导，三星3nm制程流片进度是与新思科技（Synopsys）合作，加速为GAA 架构的生产流程提供高度优化参考方法。因为三星基于GAA技术的3nm制程不同于台积电FinFET架构的3nm制程，所以三星需要新的设计和认证工具，故而采用了新思科技的Fusion Design Platform。针对三星3nm GAA制程技术的物理设计套件（PDK）已在2019 年5 月发表，并2020 年通过制程技术认证。预计此流程使三星3nm GAA 结构制程技术可用于高性能计算（HPC）、5G、移动和高端人工智能（AI）应用芯片生产。三星代工设计技术团队副总裁Sangyun Kim 表示，三星代工技术是推动下一阶段产业创新的核心。三星将藉由不断发展技术制程，满足专业和广泛市场增长的需求。三星电子最新且先进的3nm GAA 制程技术，受惠于与新思科技合作，Fusion Design Platform 加速准备，有效达成3nm制程技术承诺，证明关键联盟的重要性和优点。新思科技数位设计部总经理Shankar Krishnamoorthy 也表示，GAA 晶体管结构象征着制程技术进步的关键转换点，对保持下一波超大规模创新所需的策略至关重要。新思科技与三星战略合作支持提供一流技术和解决方案，确保发展趋势延续，以及为半导体产业提供机会。传统的平面晶体管（Planar FET）通过降低电压来节省功耗，然而，平面晶体管的短沟道效应限制了电压的继续降低，而FinFET（鳍式场效应晶体管）的出现使得电压得以再次降低，但随着工艺的继续推进，FinFET已经不足以满足需求。于是，GAA（Gate-all-around，环绕栅极）技术应运而生。如下图，典型的GAA形式——GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是纳米线沟道设计，沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹，代表栅极对沟道的控制性更好。相比之下，传统的FinFET 沟道仅3 面被栅极包围。GAAFET 架构的晶体管提供比FinFET 更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸可以进一步微缩。不过，三星认为采用纳米线沟道设计不仅复杂，且付出的成本可能也大于收益。因此，三星设计了一种全新的GAA形式——MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），采用多层堆叠的纳米片来替代GAAFET中的纳米线。这种纳米片设计已被研究机构IMEC当作FinFET 架构后续产品进行大量研究，并由IBM 与三星和格罗方德合作发展。三星表示，MBCFET可以在保留所有GAAFET优点的情况下，最小化复杂度。同时，MBCFET的设计可以兼容之前的FinFET技术，可以直接将为FinFET的设计迁移到MBCFET上，在不提升面积的情况下，提升性能。此外，在制造环节，此技术也具高度可制造性，因为其利用约90% FinFET 制造技术与设备，只需少量修改的光罩即可。三星称，MBCFET出色的栅极可控性，比三星原本FinFET 技术高出了31%，且纳米片通道宽度可直接图像化改变，设计更有灵活性。三星的3nm GAA（MBCFET）工艺分为3GAAE / GAAP (3nm Gate- AlI-Around Early/Plus)两个阶段。按照三星的说法，与5nm工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。随着此次三星3nm GAA制程的成功流片，则意味着距离三星3nm GAA工艺的量产又近了一步。根据三星此前的预计，可能会在2022年量产。对于台积电来说，其在3nm制程上依然采用了FinFET技术，等到2nm节点才会采用GAA技术，路线应该是纳米线沟道设计的GAAFET架构。目前台积电正在进行先进材料和晶体管结构的预研。另外，台积电还加强先导性研发工作，重点放在2nm以外节点，以及3D晶体管、新记忆体、low-R interconnect 等领域，有望为许多技术平台奠定生产基础。台积电还在扩大Fab 12 的研发能力，目前Fab 12 正在研究开发N3、N2 甚至更高阶制程节点。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
2021-07-01 00:00 阅读量：1484
三星显示器公司可能会将LCD面板生产延长至2022年底
行业新闻

三星显示器公司可能会将LCD面板生产延长至2022年底

【TechWeb】5月28日消息，据国外媒体报道，三星电子旗下的面板制造商三星显示器公司（Samsung Display）可能会将LCD面板的生产时间延长至2022年底。据悉，三星一直在韩国和中国生产LCD面板。2020年3月份，三星显示器公司表示，将在2020年年底前结束所有LCD面板的生产，其中包括韩国本土三座大尺寸LCD面板厂以及此前并未传出关厂消息的苏州8.5代线。但到了2020年12月底，外媒报道称，由于新冠病毒大流行期间消费者对家庭娱乐设备的需求增加，该公司宣布将延长用于电视和显示器的LCD面板的生产时间。虽然该公司宣布延长LCD面板的生产时间，但该公司表示，延长多少时间将取决于市场状况和盈利能力。如今，三星显示器公司首席执行官Choi Joo-sun在发给大尺寸面板业务部门员工的一封电子邮件中表示，该公司正在考虑将大尺寸LCD面板的生产时间延长至2022年底。TFT-LCD、AMOLED以及包括柔性显示等新型显示技术，它们的基础技术都是半导体技术，都可统称为半导体显示。半导体显示可定义为通过半导体器件独立控制每个最小显示单元的显示技术统称。
2021-05-28 00:00 阅读量：1479
三星全力追赶台积电，砸千亿在美建3nm芯片工厂
行业新闻

三星全力追赶台积电，砸千亿在美建3nm芯片工厂

据悉，三星计划投资170亿美元（折合约1101亿人民币）在美建芯片代工厂，生产下一代芯片，采用3nm的制造工艺。　 了解到，三星为了追赶在先进制程工艺上领先的台积电，将跳过4nm工艺，直接建设可量产3nm芯片的晶圆厂。据悉，三星的3nm将采用全新的Gate-All-Aruound技术，该技术科实现更小的芯片面积、更低的能耗。 据外媒报道，这将是三星目前在全球范围内最先进的芯片制造厂，并且该工厂将帮助三星在与台积电的竞争中吸引更多美国客户。不过，据知情人士透露，由于这项计划目前处于初步阶段，后续可能会发生变化。但三星方面希望今年开始施工，并从明年开始安装主要设备，最早于2023年开始在该设施制造芯片。 据报道，三星去年十月就在美国德州奥斯汀购买了十万平方米的土地，并且在十二月开始申请将土地用途变更为工业开发用地。 目前三星在奥斯汀的晶圆代工厂主要生产基于14nm、28nm以及32nm工艺的芯片，工艺较为落后。而且花旗银行的研究报告也曾显示目前奥斯汀的工厂产能较小，无法满足英特尔、高通和特斯拉等公司不断增加的芯片外包业务。因此有分析人士认为，奥斯汀有较大希望成为三星新工厂的地址，员工数量预估为1900人。 目前三星已经在内存芯片市场占据主导地位，并试图在利润更丰厚的智能手机芯片与电脑处理器芯片市场扩大占有率，它和台积电的竞争也趋近于白热化。 如今虽然三星失去了苹果的订单，但却通过低价收获了高通、英伟达和联发科等新客户的订单，其中高通和联发科的芯片过去都由台积电独家供应。 三星也曾表示计划在2030年前向代工和芯片设计业务投资1160亿美元，旨在2022年推出采用3nm工艺的芯片，从而赶超台积电。 本次在美投资的170亿美元建厂很可能是这个宏伟计划的一部分。 不过想要击败行业霸主台积电并不容易，韩国投资银行HMC Securities的高级副总裁Greg Roh表示：“如果三星真的想在2030年前成为最大的芯片制造商，它需要在美国进行大量投资，才能赶上台积电。” 去年5月，台积电宣布在美国亚利桑那州建设的工厂将采用5nm制程技术生产芯片，规划月产能为20000片晶圆，将直接创造超过1600个高科技专业工作机会，预计为该建厂项目支出约120亿美元。此前台积电在美国华盛顿州卡玛斯市建有一座晶圆厂。 台积电在美5nm芯片厂计划在2021年开工，2024年开始生产。如果外媒报道的三星赴美建3nm厂、计划2023年投用的消息为真，那么无论从技术先进性和投用时间来看，三星均有望在争取美国政府资源方面获得更多优势。 就目前而言，台积电在5nm芯片量产、确定美国亚利桑那州建厂计划等方面均领先了三星一步，三星还需要与台积电、SK海力士和美光等公司争夺EUV光刻机订单，接下来的先进工艺竞争于三星而言，仍将是一场难打的硬仗。 另一方面，台积电在近日举行的财报会上表示，公司将斥资200亿美元，用于3nm、5nm等先进制程的研发。 并且，苹果iPhone、iPad与Mac等产品，已经预定了台积电3nm芯片订单。这表示，三星的“苹果梦”在3nm制程上恐难实现。 而且，如今台积电已经在攻克2nm，并且已经取得了一定的进展。据此前消息称，苹果也预定了台积电2nm的首波产能，二者将进行密切的合作。 由此来看，三星的压力不小，想要超越台积电十分困难，让我们拭目以待吧。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
2021-01-26 00:00 阅读量：1221
韩国半导体的“内战”
行业新闻

韩国半导体的“内战”

韩国半导体已经在全球半导体产业链当中占据了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年(1H20)全球十大半导体销售排名中，韩国厂商就占了两个名额，分别是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。三星和SK海力士是韩国半导体产业的名片，但如果将这两者分开来看，我们发现，韩国半导体内部也存在着一些竞争。三星与SK海力士之间的缠斗受惠于韩国政府于1973年推出的“重工业促进计划”（HCI促进计划）以及1975年推出的扶持半导体产业的六年计划，三星和SK海力士在韩国财团的支持下，开始向半导体领域发展。在他们在建立其本土半导体产业链的过程当中，存储是他们布局的重点，这也是三星和SK海力士在半导体行业开疆拓土的原始“武器”。从三星和SK海力士发展的上看，三星比SK海力士成立的时间早（三星于1974年宣布进入半导体领域，而SK海力士的前身现代电子则是成立于1983年，2001年海力士从现代集团中独立， 2012年，更名为SK海力士）。SK海力士虽起步晚，但这两者在DRAM领域上的进展却不相上下——1985年，三星和SK海力士都量产了256k DRAM；1992年两者皆开发出了64M DRAM。64M DRAM的推出，也意味着三星和SK海力士追上了当时DRAM领先厂商的步伐，至此以后，三星和SK海力士开始在存储领域崭露头角，并开始了相互之间的竞争——1994年8月，三星超过日本和美国，率先推出了256M DRAM。次年，SK海力士首次开发出了256M的SDRAM。2005年，三星开发出了业界先进的DDR3 SDRAM，2007年，SK海力士的DDR3 DRAM抢先获得了英特尔产品认证。进入到新世纪后，应用于消费领域的存储芯片需求开始增加，于是针对移动领域的DRAM的竞争开始了——2011年，三星开始大规模生产30纳米级4Gb移动DRAM (LPDDR2)；2013年，SK海力士开发了20纳米级的6Gb LPDDR3；2014年，三星开始大规模生产20 纳米级8Gb移动 DRAM (LPDDR4)；2015年，SK海力士推出了商品化的8Gb LPDDR4。随着时间的推移，存储产品也发生了改变，NAND的出现也同样成为了三星和SK海力士相互较劲的新领域——2002年，三星开发出了90纳米级 2Gb NAND 闪存，两年后，SK海力士也成功开发了其NAND闪存。而后，NAND技术也出现了变化，从2D向3D的转变，也成为了新的竞争点——2013年，三星推出了业内首款3D堆叠式结构NAND闪存并开始量产（V—NAND）；随后，SK海力士也在3D NAND上有所突破。在接下来的几年中，三星接连推出了32层、48层、64层、128层产品，SK海力士则陆续发布了36层、48层、96层以及128层产品。SK海力士在存储领域的反击在SK海力士和三星的你追我赶中，他们早已在多个细分存储芯片领域上站稳了脚跟。根据ChinaFlashMarket发布的数据显示，在2020年Q2 DRAM市场排名中，三星以43.5%的市占依然排名第一，SK海力士则以市占30.3%排名第二。另外，根据TrendForce的最新数据显示，从2020年Q1季度NAND市场的营收来看，三星以45亿美元的营收居于首位，而SK海力士则以14.4亿美元居于第五位。从这两方面来看，SK海力士无论是在营收上还是在市占率均低于三星。但如今半导体市场环境出现了变化，加之新兴领域的崛起也为众多半导体厂商带来了新的发展机遇，在这种情况下，SK海力士也在积极地寻求突破，而存储似乎也是他们准备发力的一个领域。于是，我们看到，今年10月，SK海力士与英特尔双双宣布，SK海力士以90亿美元收购英特尔闪存业务 。TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处指出，此合并案将可望令两家公司在enterprise SSD领域发挥综效，并开启NAND Flash产业整并序幕。从数据上看，根据英国调查公司Omdia公布的调查报告显示，SK海力士（9.9％）和英特尔（9.5％）的市场份额加起来，将超过居第2位的铠侠（19.0％），仅次于三星（35.9％）。按照这个数据来看，即使SK海力士完成了收购，在市场份额上他仍与三星具有较大的差距。但从另外一方面来看，SK海力士通过此举成功跻身NAND领域第二位，这似乎也在是向龙头企业发出挑战。在前不久SK海力士的第三季度财报上，公司还针对NAND领域进行了展望——据Businesskorea报道显示，公司将在未来三年内确保NAND细分市场的自我维持业务能力，并在五年内使公司的NAND销售额达到收购前的两倍以上。多领域布局，寻求突破众所周知，以三星和SK海力士为代表的韩国半导体企业正在试图逐渐减弱对存储产品的依赖。为此，三星不仅在先进制程上加大了投资研发力度来抢夺晶圆代工市场，还试图在CIS领域挑战行业龙头日本索尼的地位。而这两个领域，同样也是SK海力士用以减弱对存储产品依赖的途径。在晶圆代工方面，2017年5月，三星正式宣布将晶圆代工业务部门独立出来，成为一家纯晶圆代工企业，并计划在未来5年内取得芯片代工市场25%的份额。在接下来的几年中，三星作为为数不多的还在致力于10nm工艺以下先进制程研发的晶圆代工厂之一，在该领域上已经取得了一定的成绩，稳居晶圆代工行业第二的位置，并还在试图挑战行业龙头台积电的地位（从最新的消息上看，据相关媒体报道显示，三星半导体业务部门的高管日前曾透露，三星计划在2022年量产3nm工艺。而按照这个进度上看，三星或将早于台积电推出3nm工艺）。就在三星独立其晶圆代工部门的同年，SK海力士也将其旗下晶圆代工业务正式分拆成为独立的事业部，并命名为SK 海力士System IC，服务对象为没有晶圆厂的IC 设计商，分拆晶圆代工业务主要目的是想强化这方面的竞争力。与三星致力于先进工艺的目标不同的是，SK海力士的营运重心则在于8英寸晶圆的代工。而我们都知道，在近两年中，由于终端市场对半导体的需求增加，8英寸晶圆的供给曾几度出现了紧张的情况。受惠于这种市场情况，SK海力士也在今年加快了他们在晶圆代工的布局——在今年年初，SK 海力士收购了 MagnaChip Semiconductor 的晶圆代工部门，并决定将把该业务改名为“Key Foundry”，抢攻晶圆代工市场。3 月，SK 海力士又斥资 4.35 亿美元，买下 MagnaChip Semiconductor 的晶圆代工部门，以取得 8 英寸晶圆代工厂的产线和技术。7月，又有韩媒报道称，SK Hynix 旗下专门从事晶圆代工业务的子公司—— SK Hynix System IC 以 1,942 亿韩元（约合人民币 11.5 亿元）的价格，将其位于韩国忠清北道清州 M8 工厂的 1206 件半导体生产设备出售给了集团旗下位于中国无锡的一家合资企业，以期进一步扩大其在中国的晶圆代工业务。据闪存市场的报道称，SK海力士将把清州M8工厂的设备移至无锡，主要因为韩国内Fabless市场规模很小，给公司的业务扩展带来困难，因此SK海力士决定将晶圆代工产线移至拥有上千个Fabless公司的中国。在CIS领域，三星同样也率先在该领域做出了布局。曾经凭借移动端对CIS的需求，已经使得三星在该领域中占据了一定的优势。但由于市场对CIS需求的扩增，这也为三星提供了一条除存储领域以外的发力点。于是，在近几年中，位居第二的三星也开始试图挑战龙头索尼的地位，并开始向安防、汽车等多个领域发力。SK海力士紧随三星其后，也开始布局移动设备端的CIS发展。据相关报道显示，SK海力士自2014年开始就注意到了CIS领域，并收购了Siliconfle作为其发展CIS的起点。得益于近些年来智能手机前置摄像头对CIS分辨率提升的需求，SK海力士赢得了大量客户订单。在SK海力士2019年第二季度的报告会上，据第一财经的报道显示，SK海力士副社长、首席财务官车辰锡（音译）在季报说明会上曾表态，SK海力士将首先从位于韩国京畿道利川的M10工厂入手，将该工厂部分生产DRAM产品的生产线，逐步转换为CMOS图像传感器的生产线。今年3月，SK海力士还将其CMOS图像传感器品牌命名为“黑珍珠”(Black Pearl)，以加强与竞争对手索尼的Exmor和三星ISOCELL的竞争。伴随着新品牌的发布，SK海力士还推出了4款可应用于智能手机的1.0μm(微米)级图像传感器产品。SK海力士还表示，自今年第一季度推出1.0μm产品之后，SK海力士还计划在下半年推出0.8μm(4800万像素)产品。三星和SK海力士将CIS视为是减少对存储产品依赖的途径之一，是因为CIS在一定程度上与DRAM技术有共通之处。据SK海力士发布的消息显示，SK hynix正在应用DRAM沟槽工艺技术来消除像素之间的光干扰，同时正在进行一些实验来防止使用金属隔墙时吸收光子。而三星电子的ISOCELL则采用了DRAM工艺技术，并正在努力将其工艺改进到32nm的水平。据相关分析师称，凭借卓越的DRAM技术，预计SK海力士和三星电子将缩小与索尼等领先的CIS厂商的技术差距。结语SK海力士和三星之间虽然存在竞争，但从这两者所承担的角色上看，如果说三星是在为韩国半导体产业开疆拓土，那么跟在他身后的SK海力士则更像是承担着一个夯实韩国半导体实力的角色。虽然从成绩上看，SK海力士一直被三星的光芒所掩盖，但在存储领域稳居第二的他，以及在晶圆代工和CIS领域正在不断突破的他，这也是个谁都不能轻视了的对手。
2020-11-19 00:00 阅读量：1149
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。