9nm 光刻机难关攻破，国产芯仍在不段前进
在我国庞大的电子产业群之下，没有先进光刻机的支持，必然会约束到我国电子产业的转型与升级。
纵观目前全球智能手机市场，国产手机阵营基本实现了全球覆盖，可即便如此，智能手机的核心组成部件 - 芯片却是我国最大的短板。由于芯片技术的短缺，使得我国科技企业长期以来需要依靠海外进口，这样一来不但没有议价权，同时还会面临着卡脖子的境遇，而中兴和华为事件的发生不就正好说明了问题所在。
从现阶段来看，包括华为在内的中国科技企业都已经突破了芯片设计的技术瓶颈，但是芯片制造环节依旧是最大的短板，其中，制造芯片的光刻机也成为了重中之重。
目前光刻机领域的平均水平在 14nm 工艺范畴，最先进的则是 7nm 工艺掌握在荷兰 ASML 手中，其他国家所涉及的光刻机技术还有 9nm 工艺，主要掌握在日本和德国手里。
目前，包括中芯国际和华虹集团都已经实现量产 28nm 和 90nm 工艺的水平，与 9nm 和 7nm 依旧有着很大的差距。
不过近日中国芯片再传捷报，国产光刻机拐弯超车，攻克 9nm 技术难关。根据相关媒体的报道，由我国武汉光电国家研究中心的甘棕松团队，成功研发出 9nm 工艺光刻机。
此次研发成功的 9nm 光刻机技术与西方不同是，国产光刻机利用了二束激光在自研的光刻机上突破了光束衍射极限的限制，刻出了最小 9nm 线宽的线段，这是我们独有的技术，我们也将拥有自主产权。不过，现阶段 9nm 光刻机技术还仅限于试验阶段，但是作为国人的我们有理由相信，在不久的将来，国产光刻机必然会走出实验室，实现芯片量产。
同时，国产光刻机在技术上的突破在我国芯片发展史上也有着重要意义，毕竟这也代表着我国科技企业在未来可以减少对海外芯片的依赖，从而提高我国在电子产业中地位。让中国芯片走向更大的世界舞台。
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